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위대한 여정

소박한 출범에서 세계 반도체 시장의 리더가 되기까지
혁신을 향한 끊임없는 열정이 우리 역사 곳곳에 스며들어 있습니다.

미래를 설계하다 2010-Recent

  • 반도체 탄소배출 전과정평가 검증 완료
  • 국제수자원관리동맹(AWS) 최고 등급 인증
  • 세계 최초 12나노급 D램 양산
  • 2억 화소 이미지센서 HP3 출시
  • 세계 최초 3나노 공정기반의 파운드리 양산 시작
  • 8세대 236단 V낸드 양산
  • 12나노 16Gb DDR5 개발
  • 세계최초 AI 메모리반도체 개발
  • 반도체 국내외 전 사업장 탄소-물-폐기물 저감 인증 획득
  • 2억화소 아이소셀 HP1 공개
  • 업계 최초 14나노 D램 상용화
  • LPDDR5X 개발
  • 차세대 차량용 고성능 메모리 반도체 솔루션 양산
  • 세계최초 3나노 초미세공정 기술 개발
  • 화성 EUV전용 V1라인 본격 가동
  • 업계 최초, D램에 EUV 공정 적용
  • EUV 시스템 반도체에 업계 최초 3차원 적층기술 적용
  • 세계 최초 '1TB eUFS' 양산
  • 세계 최초 3세대 10나노급 D램  개발
  • 업계 최초 6,400만 화소 모바일 이미지센서 공개
  • 세계 최초 6세대 V낸드 SSD 양산
  • 업계 최초 12단 3D-TSV 패키징 기술 개발
  • 한국 화성 EUV 라인, 중국 시안 두 번째 메모리 라인 착공
  • 5세대 V-NAND 양산 시작 및 업계 최초 8Gb LPDDR5 개발
  • 삼성전자 최초 5G 모뎀 Exynos Modem 5100 개발
  • 자동차 솔루션 브랜드, Exynos Auto 및 ISOCELL Auto 출시
  • EUV 기반 7 nm LPP 생산 시작
  • 대한민국 평택에서 생산 시작
  • 파운드리 사업부 시스템 LSI 사업에서 분리
  • 2세대 10 nm FinFET 공정 양산 시작
  • 업계 최초 10 nm FinFET SoC 양산 개시
  • 업계 최초 10 nm급 DRAM 양산 개시
  • 17번째 생산 라인 가동
  • 업계 최초 14 nm FinFET 모바일 AP 양산 개시
  • 미국 반도체 사업장 신규 본부 개설
  • 20 nm급 8 Gb mobile DRAM (LPDDR4) 대량 생산 시작
  • 중국 시안(SCS) 생산 시작
  • 업계 최초 3D Vertical NAND (V-NAND) 메모리 양산 개시
  • big.LITTLE ™ 아키텍처를 구현한 업계 최초의 모바일 AP 인 Exynos 5 Octa 소개
  • 30 nm급 4 Gb mobile DRAM (LPDDR2) 대량 생산 시작
  • 브랜드 애플리케이션 프로세서, Exynos 출시
  • 업계 최초 32 nm HKMG 프로세스 개발
  • 20 nm급 NAND flash 대량 생산 시작

지속적으로 발전하다 2000-2009

  • 40 nm급 2 Gb DRAM 대량 생산 시작
  • 미국 오스틴(SAS)에서 두 번째 생산 라인 가동 시작
  • 업계 최초 16-chip MCP 개발
  • 업계 최초 32 GB SSD 개발
  • 업계 최초 DDR3 SDRAM 개발
  • 업계 최초 60 nm급 8 Gb NAND flash 개발
  • 플래시 메모리 시장 점유율 최고 수준 달성
  • LCD Driver IC 시장 점유율 최고 수준 달성
  • 업계 최초 90 nm급 2 Gb NAND flash개발
  • 화성 부지 설립

중심에 서다 1990-1999

  • 업계 최초 128 Mb 플래시 메모리 수출 시작
  • 미국 오스틴(SAS)에서 생산 시작
/content/semiconductor/kr/events/samsung-foundry-forum-2023
  • 업계 최초 1 Gb DRAM 개발
  • 업계 최초 256 Mb DRAM 개발
  • 업계 최초 200 mm 제조 라인 개통 (5 라인)
  • 세계 메모리 시장 점유율 최고 수준 달성
  • 업계 최초 64 Mb DRAM 개발
  • 세계 DRAM 시장 점유율 최고 수준 달성

역사를 쓰다 1980-1989

  • 4 Mb DRAM 개발
  • 1 Mb DRAM 개발
  • 대한민국, 기흥 라인 1 오픈
  • 256 Kb DRAM 개발
  • VLSI 사업 시작
  • 64 Kb DRAM 개발
  • E기흥 부지 설립

씨앗을 심다 1974-1979

  • LED 손목시계용 IC 양산 시작
  • 삼성전자의 한국반도체 인수