최첨단, 비용 효율적인 공정 기술
최첨단, 비용 효율적인 공정 기술
최첨단, 비용 효율적인 공정 기술
칩렛 및 첨단 패키징
칩렛 및 첨단 패키징
칩렛 및 첨단 패키징
로직-메모리 통합
로직-메모리 통합
로직-메모리 통합
업계 선도 파트너와 검증된 IP
업계 선도 파트너와 검증된 IP
업계 선도 파트너와 검증된 IP
설계 지원 (Design enablement)
설계 지원 (Design enablement)
설계 지원 (Design enablement)
SAFE™ 파트너 생태계
SAFE™ 파트너 생태계
SAFE™ 파트너 생태계
AI 시대의 도래와 함께, 전력 효율과 성능 요구를 충족하기 위해 GAA(Gate-All-Around)와 같은 구조적 혁신이 필수 요소로 자리잡았습니다.
삼성 Foundry는 GAA 구조를 세계 최초로 양산에 적용한 Foundry로, HPC 및 AI에 최적화된 공정 기술을 제공합니다.
AI 시대의 도래와 함께, 전력 효율과 성능 요구를 충족하기 위해 GAA(Gate-All-Around)와 같은 구조적 혁신이 필수 요소로 자리잡았습니다.
삼성 Foundry는 GAA 구조를 세계 최초로 양산에 적용한 Foundry로, HPC 및 AI에 최적화된 공정 기술을 제공합니다.
AI 시대의 도래와 함께, 전력 효율과 성능 요구를 충족하기 위해 GAA(Gate-All-Around)와 같은 구조적 혁신이 필수 요소로 자리잡았습니다.
삼성 Foundry는 GAA 구조를 세계 최초로 양산에 적용한 Foundry로, HPC 및 AI에 최적화된 공정 기술을 제공합니다.
| 기술 | 컴퓨팅 / 그래픽 | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||||
| N/W | AI | 스토리 | |||||
| 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | 훈련 | 인퍼런스 | 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | ||
| 공정 (권장) |
5나노, 4나노, 3나노(GAA), 2나노(GAA) |
14나노, 8나노 |
5나노, 4나노, 3나노(GAA), 2나노(GAA) |
5나노, 4나노, 3나노(GAA), 2나노(GAA) |
8나노, 5나노, 4나노 | 14나노 8나노, 5나노, 4나노 |
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| 기술 | 컴퓨팅 / 그래픽 | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||||
| N/W | AI | 스토리 | |||||
| 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | 훈련 | 인퍼런스 | 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | ||
| 공정 (권장) |
5나노, 4나노, 3나노(GAA), 2나노(GAA) |
14나노, 8나노 |
5나노, 4나노, 3나노(GAA), 2나노(GAA) |
5나노, 4나노, 3나노(GAA), 2나노(GAA) |
8나노, 5나노, 4나노 | 14나노 8나노, 5나노, 4나노 |
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칩렛과 첨단 패키징 기술은 수율 향상과 전력 효율 개선을 통해 무어의 법칙을 확장하고 있습니다.
칩렛은 IO, 연결성, 가속기 등 다양한 형태로 구성되며, 다양한 컴퓨트 및 메모리 구성을 구현할 수 있습니다.
아키텍처는 단일 구조(homogeneous)에서 이종 구조(heterogeneous)로 진화하고 있으며, 여러 공정 노드 간 D2D 연결을 지원하고,
2.5D 및 3D 패키징 기술로 더욱 고도화되고 있습니다.
칩렛과 첨단 패키징 기술은 수율 향상과 전력 효율 개선을 통해 무어의 법칙을 확장하고 있습니다.
칩렛은 IO, 연결성, 가속기 등 다양한 형태로 구성되며, 다양한 컴퓨트 및 메모리 구성을 구현할 수 있습니다.
아키텍처는 단일 구조(homogeneous)에서 이종 구조(heterogeneous)로 진화하고 있으며, 여러 공정 노드 간 D2D 연결을 지원하고,
2.5D 및 3D 패키징 기술로 더욱 고도화되고 있습니다.
칩렛과 첨단 패키징 기술은 수율 향상과 전력 효율 개선을 통해 무어의 법칙을 확장하고 있습니다.
칩렛은 IO, 연결성, 가속기 등 다양한 형태로 구성되며, 다양한 컴퓨트 및 메모리 구성을 구현할 수 있습니다.
아키텍처는 단일 구조(homogeneous)에서 이종 구조(heterogeneous)로 진화하고 있으며, 여러 공정 노드 간 D2D 연결을 지원하고,
2.5D 및 3D 패키징 기술로 더욱 고도화되고 있습니다.
고객은 삼성전자의 유연한 비즈니스 모델 중 하나를 선택하여 칩 설계에 가장 적합한 패키지 솔루션을 이용할 수 있습니다.
고객은 삼성전자의 유연한 비즈니스 모델 중 하나를 선택하여 칩 설계에 가장 적합한 패키지 솔루션을 이용할 수 있습니다.
고객은 삼성전자의 유연한 비즈니스 모델 중 하나를 선택하여 칩 설계에 가장 적합한 패키지 솔루션을 이용할 수 있습니다.
핸드오프 모델: COT(Customer Owned Tooling, 고객 소유 툴), COPD(Customer Owned Physical Design, 고객 소유 디자인)
핸드오프 모델: COT(Customer Owned Tooling, 고객 소유 툴), COPD(Customer Owned Physical Design, 고객 소유 디자인)
핸드오프 모델: COT(Customer Owned Tooling, 고객 소유 툴), COPD(Customer Owned Physical Design, 고객 소유 디자인)
고객은 삼성 Foundry 패키징 옵션 중에서 선택하거나 Amkor와 같은 성능 OSAT 파트너가 제공하는 옵션을 선택할 수 있습니다.
고객은 삼성 Foundry 패키징 옵션 중에서 선택하거나 Amkor와 같은 성능 OSAT 파트너가 제공하는 옵션을 선택할 수 있습니다.
고객은 삼성 Foundry 패키징 옵션 중에서 선택하거나 Amkor와 같은 성능 OSAT 파트너가 제공하는 옵션을 선택할 수 있습니다.
삼성 Foundry의 첨단 패키징 기술에는 다음과 같은 사항이 포함됩니다.
삼성 Foundry의 첨단 패키징 기술에는 다음과 같은 사항이 포함됩니다.
삼성 Foundry의 첨단 패키징 기술에는 다음과 같은 사항이 포함됩니다.
2.5D Cube-S
(Si 인터포저 기반)
2.5D Cube-S
(Si 인터포저 기반)
2.5D Cube-S
(Si 인터포저 기반)
2.3D Cube-R
(RDL 인터포저)
2.3D Cube-R
(RDL 인터포저)
2.3D Cube-R
(RDL 인터포저)
2.3D Cube-E
(RDL 인터포저 + Si 브릿지)
2.3D Cube-E
(RDL 인터포저 + Si 브릿지)
2.3D Cube-E
(RDL 인터포저 + Si 브릿지)
3D Cube-T/H
(TSV 기반 3D IC)
3D Cube-T/H
(TSV 기반 3D IC)
3D Cube-T/H
(TSV 기반 3D IC)
• 다양한 인터포저 크기, HBM 모듈 및 패키지 크기에서 검증 완료된 고대역폭·고성능 구현 역량
• Chip-on-Wafer(CoW) 기술로 HBM 모듈 확장 지원
• 3.3x 실리콘 인터포저 기반 2.5D 패키지 양산 적용 가능 (첨단 로직 + 최대 8개 HBM 통합, Qualification 완료)
• 확장형 실리콘 인터포저 기반 대형 2.5D 패키지 제공 (8개 이상 HBM 및 3,000nF/㎟ ISC™ 지원)
• 삼성Foundry 실리콘 인터포저 웨이퍼 적용
• 다양한 인터포저 크기, HBM 모듈 및 패키지 크기에서 검증 완료된 고대역폭·고성능 구현 역량
• Chip-on-Wafer(CoW) 기술로 HBM 모듈 확장 지원
• 3.3x 실리콘 인터포저 기반 2.5D 패키지 양산 적용 가능 (첨단 로직 + 최대 8개 HBM 통합, Qualification 완료)
• 확장형 실리콘 인터포저 기반 대형 2.5D 패키지 제공 (8개 이상 HBM 및 3,000nF/㎟ ISC™ 지원)
• 삼성Foundry 실리콘 인터포저 웨이퍼 적용
• 다양한 인터포저 크기, HBM 모듈 및 패키지 크기에서 검증 완료된 고대역폭·고성능 구현 역량
• Chip-on-Wafer(CoW) 기술로 HBM 모듈 확장 지원
• 3.3x 실리콘 인터포저 기반 2.5D 패키지 양산 적용 가능 (첨단 로직 + 최대 8개 HBM 통합, Qualification 완료)
• 확장형 실리콘 인터포저 기반 대형 2.5D 패키지 제공 (8개 이상 HBM 및 3,000nF/㎟ ISC™ 지원)
• 삼성Foundry 실리콘 인터포저 웨이퍼 적용
• Si-Bridge 솔루션 대비 비용 효율적인 대안 제공
• 단순화된 조립 공정 흐름을 통해 제품 개발 및 양산 소요 기간 단축
• 선폭/간격(Line/Space) 2/2㎛ 수준의 2.3D RDL 인터포저 기술 개발 중
• Si-Bridge 솔루션 대비 비용 효율적인 대안 제공
• 단순화된 조립 공정 흐름을 통해 제품 개발 및 양산 소요 기간 단축
• 선폭/간격(Line/Space) 2/2㎛ 수준의 2.3D RDL 인터포저 기술 개발 중
• Si-Bridge 솔루션 대비 비용 효율적인 대안 제공
• 단순화된 조립 공정 흐름을 통해 제품 개발 및 양산 소요 기간 단축
• 선폭/간격(Line/Space) 2/2㎛ 수준의 2.3D RDL 인터포저 기술 개발 중
• 인터포저 크기가 커질수록 실리콘 인터포저 대비 비용 경쟁력이 높아지며, 동시에 Si 브릿지를 통해 미세 선폭/선간격 이점을 유지합니다.
• PLP 기반 RDL 인터포저에 임베디드된 Si 브릿지는 다이 간 인터페이스로 사용됩니다.
• I-Cube E는 우수한 워페이지 제어와 전력 무결성을 제공하여 차세대 칩렛 아키텍처를 지원합니다.
• RDL 인터포저는 Si 브릿지 대비 저비용 옵션이라는 장점이 있습니다.
• 미세 배선 구현으로 라우팅 간섭을 줄이며 높은 설계 유연성을 제공합니다.
• 삼성 Foundry는 2/2μm 선폭/선간격의 2.3D RDL 인터포저 기술을 개발 중입니다.
• 인터포저 크기가 커질수록 실리콘 인터포저 대비 비용 경쟁력이 높아지며, 동시에 Si 브릿지를 통해 미세 선폭/선간격 이점을 유지합니다.
• PLP 기반 RDL 인터포저에 임베디드된 Si 브릿지는 다이 간 인터페이스로 사용됩니다.
• I-Cube E는 우수한 워페이지 제어와 전력 무결성을 제공하여 차세대 칩렛 아키텍처를 지원합니다.
• RDL 인터포저는 Si 브릿지 대비 저비용 옵션이라는 장점이 있습니다.
• 미세 배선 구현으로 라우팅 간섭을 줄이며 높은 설계 유연성을 제공합니다.
• 삼성 Foundry는 2/2μm 선폭/선간격의 2.3D RDL 인터포저 기술을 개발 중입니다.
• 인터포저 크기가 커질수록 실리콘 인터포저 대비 비용 경쟁력이 높아지며, 동시에 Si 브릿지를 통해 미세 선폭/선간격 이점을 유지합니다.
• PLP 기반 RDL 인터포저에 임베디드된 Si 브릿지는 다이 간 인터페이스로 사용됩니다.
• I-Cube E는 우수한 워페이지 제어와 전력 무결성을 제공하여 차세대 칩렛 아키텍처를 지원합니다.
• RDL 인터포저는 Si 브릿지 대비 저비용 옵션이라는 장점이 있습니다.
• 미세 배선 구현으로 라우팅 간섭을 줄이며 높은 설계 유연성을 제공합니다.
• 삼성 Foundry는 2/2μm 선폭/선간격의 2.3D RDL 인터포저 기술을 개발 중입니다.
• 3D 패키징을 통해 더 높은 집적도, 확장성, 저지연 및 고대역폭 구현
• HBM(High Bandwidth Memory) 및 CMOS 이미지 센서(CIS) 기반의 검증된 3D 패키징 기술
• 저전력 3D IC 애플리케이션을 위한 마이크로 범프 CoW 및 TSV 기술 기반 양산 준비 완료
• 3D 패키징을 통해 더 높은 집적도, 확장성, 저지연 및 고대역폭 구현
• HBM(High Bandwidth Memory) 및 CMOS 이미지 센서(CIS) 기반의 검증된 3D 패키징 기술
• 저전력 3D IC 애플리케이션을 위한 마이크로 범프 CoW 및 TSV 기술 기반 양산 준비 완료
• 3D 패키징을 통해 더 높은 집적도, 확장성, 저지연 및 고대역폭 구현
• HBM(High Bandwidth Memory) 및 CMOS 이미지 센서(CIS) 기반의 검증된 3D 패키징 기술
• 저전력 3D IC 애플리케이션을 위한 마이크로 범프 CoW 및 TSV 기술 기반 양산 준비 완료
• 최고 수준의 트랜지스터 집적도와 가장 짧은 수직 신호 경로 제공
• 범프 본드 및 기타 패키징 구성 요소를 제거하여 폼팩터(Factor) 축소 가능
• 범프리스(bumpless) 하이브리드 Die-to-Wafer(D2W) 기술 개발 중
• 최고 수준의 트랜지스터 집적도와 가장 짧은 수직 신호 경로 제공
• 범프 본드 및 기타 패키징 구성 요소를 제거하여 폼팩터(Factor) 축소 가능
• 범프리스(bumpless) 하이브리드 Die-to-Wafer(D2W) 기술 개발 중
• 최고 수준의 트랜지스터 집적도와 가장 짧은 수직 신호 경로 제공
• 범프 본드 및 기타 패키징 구성 요소를 제거하여 폼팩터(Factor) 축소 가능
• 범프리스(bumpless) 하이브리드 Die-to-Wafer(D2W) 기술 개발 중
로직과 메모리를 최적화하여 통합하는 기술
HBM은 AI 학습 및 추론 애플리케이션에서 널리 사용되는 메모리로 자리잡았습니다.
Custom HBM은 전력 소비 절감과 맞춤 설계 측면에서 매력적인 옵션으로 부상하고 있습니다.
로직과 메모리를 최적화하여 통합하는 기술
HBM은 AI 학습 및 추론 애플리케이션에서 널리 사용되는 메모리로 자리잡았습니다.
Custom HBM은 전력 소비 절감과 맞춤 설계 측면에서 매력적인 옵션으로 부상하고 있습니다.
로직과 메모리를 최적화하여 통합하는 기술
HBM은 AI 학습 및 추론 애플리케이션에서 널리 사용되는 메모리로 자리잡았습니다.
Custom HBM은 전력 소비 절감과 맞춤 설계 측면에서 매력적인 옵션으로 부상하고 있습니다.
Custom HBM의 주요 장점:
• 대역폭 및 용량 향상: 다이 간 인터페이스를 통해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하면서 shoreline을 줄입니다.
• 전력 및 지연 감소: HBM 컨트롤러를 베이스 다이에 통합함으로써 전력 소비와 지연을 줄입니다.
• 혁신 및 유연성 향상: 가속기, 메모리 컨트롤러, CPU 등 추가 로직을 베이스 다이에 통합할 수 있습니다.
Custom HBM의 주요 장점:
• 대역폭 및 용량 향상: 다이 간 인터페이스를 통해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하면서 shoreline을 줄입니다.
• 전력 및 지연 감소: HBM 컨트롤러를 베이스 다이에 통합함으로써 전력 소비와 지연을 줄입니다.
• 혁신 및 유연성 향상: 가속기, 메모리 컨트롤러, CPU 등 추가 로직을 베이스 다이에 통합할 수 있습니다.
Custom HBM의 주요 장점:
• 대역폭 및 용량 향상: 다이 간 인터페이스를 통해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하면서 shoreline을 줄입니다.
• 전력 및 지연 감소: HBM 컨트롤러를 베이스 다이에 통합함으로써 전력 소비와 지연을 줄입니다.
• 혁신 및 유연성 향상: 가속기, 메모리 컨트롤러, CPU 등 추가 로직을 베이스 다이에 통합할 수 있습니다.
PO는 모듈형 광 트랜시버로, 쉽게 삽입 및 교체가 가능하여 데이터센터에서 유연성과 확장성을 제공합니다.
CPO는 광 인터페이스를 스위치 ASIC에 직접 통합하여 더 높은 대역폭 밀도, 향상된 전력 효율, 우수한 신호 무결성을 제공합니다.
CPO는 기존 아키텍처의 한계를 극복하기 위한 핵심 솔루션으로 부상하고 있으며, 보다 효율적이고 확장 가능한 네트워크 설계를 지원합니다.
삼성 Foundry는 고객 요구에 맞는 PO 및 CPO 솔루션을 제공합니다.
PO는 모듈형 광 트랜시버로, 쉽게 삽입 및 교체가 가능하여 데이터센터에서 유연성과 확장성을 제공합니다. CPO는 광 인터페이스를 스위치 ASIC에 직접 통합하여 더 높은 대역폭 밀도, 향상된 전력 효율, 우수한 신호 무결성을 제공합니다. CPO는 기존 아키텍처의 한계를 극복하기 위한 핵심 솔루션으로 부상하고 있으며, 보다 효율적이고 확장 가능한 네트워크 설계를 지원합니다. 삼성 Foundry는 고객 요구에 맞는 PO 및 CPO 솔루션을 제공합니다.
PO are modular optical transceivers that can be easily inserted and replaced, providing flexibility and scalability in today's data centers. CPO allows optical interfaces to be directly integrated with switch ASICs, enabling higher bandwidth density, improved power efficiency, and enhanced signal integrity. CPO is emerging as a key solution to overcome the limitations of conventional architectures while supporting more efficient and scalable network designs.
Samsung Foundry offers comprehensive PO and CPO solutions tailored to your needs.
• 1세대 PO : 유연하고 확장 가능한 연결을 가능하게 하는 모듈형 플러그형 광 솔루션
• 2세대 PO : 더 높은 대역폭, 향상된 전력 효율, 고집적 통합을 위해 최적화된 3D 적층 아키텍처 기반의 차세대 플러그형 광 모듈
• CPO Switch : 스위치 ASIC이 공통 기판 상에서 3D 광 엔진(OE)과 통합되어, 전기적 신호 경로를 최소화하고 전력 소모를 줄이는 동시에 더 높은 대역폭 밀도와 효율적인 광 연결을 구현
• CPO XPU : 인터포저 상에서 XPU/GPU와 Co-packaged된 3D 광 엔진(OE)이 통합되어, AI 및 고성능 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 높은 데이터 처리량과 향상된 전력 효율을 제공
• 1세대 PO : 유연하고 확장 가능한 연결을 가능하게 하는 모듈형 플러그형 광 솔루션
• 2세대 PO : 더 높은 대역폭, 향상된 전력 효율, 고집적 통합을 위해 최적화된 3D 적층 아키텍처 기반의 차세대 플러그형 광 모듈
• CPO Switch : 스위치 ASIC이 공통 기판 상에서 3D 광 엔진(OE)과 통합되어, 전기적 신호 경로를 최소화하고 전력 소모를 줄이는 동시에 더 높은 대역폭 밀도와 효율적인 광 연결을 구현
• CPO XPU : 인터포저 상에서 XPU/GPU와 Co-packaged된 3D 광 엔진(OE)이 통합되어, AI 및 고성능 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 높은 데이터 처리량과 향상된 전력 효율을 제공
• 1세대 PO : 유연하고 확장 가능한 연결을 가능하게 하는 모듈형 플러그형 광 솔루션
• 2세대 PO : 더 높은 대역폭, 향상된 전력 효율, 고집적 통합을 위해 최적화된 3D 적층 아키텍처 기반의 차세대 플러그형 광 모듈
• CPO Switch : 스위치 ASIC이 공통 기판 상에서 3D 광 엔진(OE)과 통합되어, 전기적 신호 경로를 최소화하고 전력 소모를 줄이는 동시에 더 높은 대역폭 밀도와 효율적인 광 연결을 구현
• CPO XPU : 인터포저 상에서 XPU/GPU와 Co-packaged된 3D 광 엔진(OE)이 통합되어, AI 및 고성능 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 높은 데이터 처리량과 향상된 전력 효율을 제공
| IP | 14나노/11나노 | 10/8나노 | 5나노 | 4나노 |
| SerDes |  |
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| D2D | |
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| PCle | |
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| LPDDR | |
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| DDR | |
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| GDDR | |
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| 아날로그 IP | |
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| S램, TCQM | |
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삼성 Foundry 설계 지원 플랫폼에는 다음 사항이 포함됩니다.
삼성 Foundry 설계 지원 플랫폼에는 다음 사항이 포함됩니다.
삼성 Foundry 설계 지원 플랫폼에는 다음 사항이 포함됩니다.
완전한 공정 설계 키트(PDK) 파일 세트
완전한 공정 설계 키트(PDK) 파일 세트
완전한 공정 설계 키트(PDK) 파일 세트
완전한 라이브러리와 IP
완전한 라이브러리와 IP
완전한 라이브러리와 IP
빠르게 설계를 시작할 수 있도록 다운로드 가능한 노드별 디자인 플로우 방법
빠르게 설계를 시작할 수 있도록 다운로드 가능한 노드별 디자인 플로우 방법
빠르게 설계를 시작할 수 있도록 다운로드 가능한 노드별 디자인 플로우 방법
삼성 Foundry는 주요 설계 지원 및 IP 파트너와 긴밀히 협력하여 툴을 최적화하며 설계 생산성을 높입니다. 또한 SAFE-QEDA 또는 EDA 인증 프로그램을 통해 IP와 고객 설계가 삼성 Foundry 공정 및 패키징 기술 요구 사항을 충족하도록 함으로써 설계와 실리콘의 성공률을 높입니다. 이에 더해 삼성 Foundry의 설계 지원 파트너는 시스템 수준 설계, 인공지능, 전자설계자동화의 융합으로 한층 더 뛰어난 설계 최적화를 가능하게 하는 컴퓨팅 소프트웨어의 새로운 흐름을 받아들이고 있습니다.
이 모든 최적화는 강력하고 신뢰할 수 있는 설계 지원 플랫폼을 제공하며,
삼성 Foundry 5나노 EUV 공정, 3D IC, 그리고 곧 출시될 GAA와 같은 최신 기술을 채택하는 경우 특히 필수적입니다.
삼성 Foundry는 주요 설계 지원 및 IP 파트너와 긴밀히 협력하여 툴을 최적화하며 설계 생산성을 높입니다. 또한 SAFE-QEDA 또는 EDA 인증 프로그램을 통해 IP와 고객 설계가 삼성 Foundry 공정 및 패키징 기술 요구 사항을 충족하도록 함으로써 설계와 실리콘의 성공률을 높입니다. 이에 더해 삼성 Foundry의 설계 지원 파트너는 시스템 수준 설계, 인공지능, 전자설계자동화의 융합으로 한층 더 뛰어난 설계 최적화를 가능하게 하는 컴퓨팅 소프트웨어의 새로운 흐름을 받아들이고 있습니다.
이 모든 최적화는 강력하고 신뢰할 수 있는 설계 지원 플랫폼을 제공하며,
삼성 Foundry 5나노 EUV 공정, 3D IC, 그리고 곧 출시될 GAA와 같은 최신 기술을 채택하는 경우 특히 필수적입니다.
삼성 Foundry는 주요 설계 지원 및 IP 파트너와 긴밀히 협력하여 툴을 최적화하며 설계 생산성을 높입니다. 또한 SAFE-QEDA 또는 EDA 인증 프로그램을 통해 IP와 고객 설계가 삼성 Foundry 공정 및 패키징 기술 요구 사항을 충족하도록 함으로써 설계와 실리콘의 성공률을 높입니다. 이에 더해 삼성 Foundry의 설계 지원 파트너는 시스템 수준 설계, 인공지능, 전자설계자동화의 융합으로 한층 더 뛰어난 설계 최적화를 가능하게 하는 컴퓨팅 소프트웨어의 새로운 흐름을 받아들이고 있습니다.
이 모든 최적화는 강력하고 신뢰할 수 있는 설계 지원 플랫폼을 제공하며,
삼성 Foundry 5나노 EUV 공정, 3D IC, 그리고 곧 출시될 GAA와 같은 최신 기술을 채택하는 경우 특히 필수적입니다.
| DK/PDK | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||
| Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
| SPICE | |
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| P 셀 | |
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| DRC/안테나 | |
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| 더미 삽입 | |
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| LVS | |
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| RC 추출 | |
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| IR/EM | |
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| DFM | |
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| DK/PDK | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||
| Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
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| DK/PDK | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||
| Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
| RTL | |
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| 합성 | |
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| Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
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SAFE™ 파트너와의 폭넓은 서비스 생태계에는 다음 사항이 포함됩니다.
SAFE™ 파트너와의 폭넓은 서비스 생태계에는 다음 사항이 포함됩니다.
SAFE™ 파트너와의 폭넓은 서비스 생태계에는 다음 사항이 포함됩니다.
주요 전자설계자동화(EDA) 벤더가 제공하는 최상의 레퍼런스 플로우
주요 전자설계자동화(EDA) 벤더가 제공하는 최상의 레퍼런스 플로우
주요 전자설계자동화(EDA) 벤더가 제공하는 최상의 레퍼런스 플로우
혼합 신호, 주변 장치, 멀티미디어 코어, 인터페이스를 포함하는 광범위한 IP 포트폴리오
혼합 신호, 주변 장치, 멀티미디어 코어, 인터페이스를 포함하는 광범위한 IP 포트폴리오
혼합 신호, 주변 장치, 멀티미디어 코어, 인터페이스를 포함하는 광범위한 IP 포트폴리오
첨단 패키징 및 시험
첨단 패키징 및 시험
첨단 패키징 및 시험
클라우드 설계 지원
클라우드 설계 지원
클라우드 설계 지원
표준 셀, 메모리 컴파일러, I/O 인터페이스의 포괄적인 라이브러리
표준 셀, 메모리 컴파일러, I/O 인터페이스의 포괄적인 라이브러리
표준 셀, 메모리 컴파일러, I/O 인터페이스의 포괄적인 라이브러리
디자인 플로우의 수율 상승 처리를 위한 제조 예측 디자인 솔루션
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디자인 서비스 파트너
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삼성 Foundry는 최첨단 고성능 솔루션을 설계하는 고객에게 신뢰받는 파트너입니다.
당사는 차세대 AI SoC 및 첨단 칩렛 플랫폼을 구현하기 위해, 견고하고 신뢰성 있으며 혁신적인 기술을 제공하고, 이를 통해 시스템 전반에서 매끄러운 통합을 실현합니다.
삼성 Foundry의 전문성과 기술을 활용함으로써, 고객은 혁신적인 솔루션을 구현하고 비즈니스 성장을 이끌 수 있습니다.
삼성 Foundry가 귀사의 목표 달성을 어떻게 지원할 수 있는지 확인해 보십시오.
당사가 귀사의 비즈니스를 어떻게 지원할 수 있는지 알아보려면 문의(Contact Us↗)해 주시기 바랍니다.
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