글로벌 혁신이 가속화되는 지금,
AI와 5G 기술이 급격하게 발전되면서
점점 더 복잡한 워크로드와 분석을 처리하고 있습니다.
이런 요구 사항을 충족하기 위해 엔터프라이즈 및 초대형 클라우드 데이터 센터, 커뮤니케이션과 네트워킹 플랫폼은 글로벌 업계의 근간이 되었습니다. 이에 따라 컴퓨팅 파워와 성능, 지연 시간, 대역폭, 기능은 타협하지 않으면서 효율적으로 규모를 확대해야 합니다.
글로벌 혁신이 가속화되는 지금,
AI와 5G 기술이 급격하게 발전되면서
점점 더 복잡한 워크로드와 분석을 처리하고 있습니다.
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글로벌 혁신이 가속화되는 지금,
AI와 5G 기술이 급격하게 발전되면서
점점 더 복잡한 워크로드와 분석을 처리하고 있습니다.
이런 요구 사항을 충족하기 위해 엔터프라이즈 및 초대형 클라우드 데이터 센터, 커뮤니케이션과 네트워킹 플랫폼은 글로벌 업계의 근간이 되었습니다. 이에 따라 컴퓨팅 파워와 성능, 지연 시간, 대역폭, 기능은 타협하지 않으면서 효율적으로 규모를 확대해야 합니다.
삼성 Foundry는 업계의 판도를 바꾸는 컴퓨팅 집약적인 고성능 솔루션을 설계하여 고객에게 뛰어난 전문성을 제공하는 중요한 역할을 담당하고 있습니다. 기술의 혁신과 제조의 탁월성에 대한 삼성 Foundry의 약속은 빠르게 진화하는 모바일, AI, 네트워킹, 성능, 스토리지 분야에서 가장 신뢰할 수 있는 파운드리 공급업체가 되겠다는 목표를 기반으로 실현됩니다. 삼성 Foundry는 향상된 차세대 단일 칩 체제(SoC)와 다중 칩 모듈 플랫폼에 원활하게 통합되는 강력하고 신뢰할 수 있으며 혁신적인 기술을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.
삼성 Foundry는 업계의 판도를 바꾸는 컴퓨팅 집약적인 고성능 솔루션을 설계하여 고객에게 뛰어난 전문성을 제공하는 중요한 역할을 담당하고 있습니다. 기술의 혁신과 제조의 탁월성에 대한 삼성 Foundry의 약속은 빠르게 진화하는 모바일, AI, 네트워킹, 성능, 스토리지 분야에서 가장 신뢰할 수 있는 파운드리 공급업체가 되겠다는 목표를 기반으로 실현됩니다. 삼성 Foundry는 향상된 차세대 단일 칩 체제(SoC)와 다중 칩 모듈 플랫폼에 원활하게 통합되는 강력하고 신뢰할 수 있으며 혁신적인 기술을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.
삼성 Foundry는 업계의 판도를 바꾸는 컴퓨팅 집약적인 고성능 솔루션을 설계하여 고객에게 뛰어난 전문성을 제공하는 중요한 역할을 담당하고 있습니다. 기술의 혁신과 제조의 탁월성에 대한 삼성 Foundry의 약속은 빠르게 진화하는 모바일, AI, 네트워킹, 성능, 스토리지 분야에서 가장 신뢰할 수 있는 파운드리 공급업체가 되겠다는 목표를 기반으로 실현됩니다. 삼성 Foundry는 향상된 차세대 단일 칩 체제(SoC)와 다중 칩 모듈 플랫폼에 원활하게 통합되는 강력하고 신뢰할 수 있으며 혁신적인 기술을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.
삼성 Foundry는 대량 생산 역량과 최고를 향한 노력을 바탕으로 고객 제품 수명 주기의 모든 단계에서 고객의 요구를 충족하도록 제품의 규모를 확대하며 독보적인 입지를 다지고 있습니다. 신제품 라인에 대한 주기적인 투자로 첨단 EUV(극자외선) 노드에 대한 적합한 생산 역량을 보장합니다.
삼성 Foundry는 대량 생산 역량과 최고를 향한 노력을 바탕으로 고객 제품 수명 주기의 모든 단계에서 고객의 요구를 충족하도록 제품의 규모를 확대하며 독보적인 입지를 다지고 있습니다. 신제품 라인에 대한 주기적인 투자로 첨단 EUV(극자외선) 노드에 대한 적합한 생산 역량을 보장합니다.
삼성 Foundry는 대량 생산 역량과 최고를 향한 노력을 바탕으로 고객 제품 수명 주기의 모든 단계에서 고객의 요구를 충족하도록 제품의 규모를 확대하며 독보적인 입지를 다지고 있습니다. 신제품 라인에 대한 주기적인 투자로 첨단 EUV(극자외선) 노드에 대한 적합한 생산 역량을 보장합니다.
삼성 Foundry는 CPU와 GPU 엔진, 신경망, 스토리지와 메모리 칩 뿐만 아니라 다양한 인터페이스와 연결 솔루션을 제공하는 기술을 통해 계속해서 HPC와 AI, 첨단 네트워킹 플랫폼을 지원하고 있습니다.
비용 효율적인최첨단 공정 노드 기술
비용 효율적인최첨단 공정 노드 기술
비용 효율적인최첨단 공정 노드 기술
첨단 패키징 및칩렛 집적
첨단 패키징 및칩렛 집적
첨단 패키징 및칩렛 집적
설계 서비스와 OSAT를 위한 유연한 비즈니스 참여 모델
설계 서비스와 OSAT를 위한 유연한 비즈니스 참여 모델
설계 서비스와 OSAT를 위한 유연한 비즈니스 참여 모델
업계를 선도하는 파트너와 공동 개발한 사용성이 입증된 IP
업계를 선도하는 파트너와 공동 개발한 사용성이 입증된 IP
업계를 선도하는 파트너와 공동 개발한 사용성이 입증된 IP
연결 솔루션
연결 솔루션
연결 솔루션
첨단 스토리지 및 메모리 솔루션
첨단 스토리지 및 메모리 솔루션
첨단 스토리지 및 메모리 솔루션
다수의 삼성 Foundry 공정은 보다 뛰어난 성능을 보장하기 위해 트랜지스터와 표준 셀에서 추가적인 최적화 단계를 거쳤습니다. 최적화 단계에는 유연한 금속 스택 옵션과 성능 강화 키트를 비롯한 고성능 트랙 라이브러리가 포함됩니다. 또한 이 공정 노드는 실리콘 생산량 증가에 따르는 모든 파운드리 서비스와 공급망 지원을 제공합니다.
다수의 삼성 Foundry 공정은 보다 뛰어난 성능을 보장하기 위해 트랜지스터와 표준 셀에서 추가적인 최적화 단계를 거쳤습니다. 최적화 단계에는 유연한 금속 스택 옵션과 성능 강화 키트를 비롯한 고성능 트랙 라이브러리가 포함됩니다. 또한 이 공정 노드는 실리콘 생산량 증가에 따르는 모든 파운드리 서비스와 공급망 지원을 제공합니다.
다수의 삼성 Foundry 공정은 보다 뛰어난 성능을 보장하기 위해 트랜지스터와 표준 셀에서 추가적인 최적화 단계를 거쳤습니다. 최적화 단계에는 유연한 금속 스택 옵션과 성능 강화 키트를 비롯한 고성능 트랙 라이브러리가 포함됩니다. 또한 이 공정 노드는 실리콘 생산량 증가에 따르는 모든 파운드리 서비스와 공급망 지원을 제공합니다.
| 기술 | 컴퓨팅 / 그래픽 | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||||
| N/W | AI | 스토리 | |||||
| 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | 훈련 | 인터페이스 | 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | ||
| 공정 (권장) |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
14/11나노, 10/8나노 |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
8나노, 5나노 | 14/11나노 10/8나노, 5나노 |
|
| 기술 | 컴퓨팅 / 그래픽 | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||||
| N/W | AI | 스토리 | |||||
| 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | 훈련 | 인터페이스 | 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | ||
| 공정 (권장) |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
14/11나노, 10/8나노 |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
8나노, 5나노 | 14/11나노 10/8나노, 5나노 |
|
| IP | 14나노/11나노 | 10/8나노 | 5나노 | 4나노 |
| SerDes | ||||
| D2D | ||||
| PCle | ||||
| Ethernet | ||||
| LPDDR | ||||
| DDR | ||||
| GDDR | ||||
| HBM | ||||
| 아날로그 IP | ||||
| S램, TCQM |
| IP | 14나노/11나노 | 10/8나노 | 5나노 | 4나노 |
| SerDes | ||||
| D2D | ||||
| PCle | ||||
| Ethernet | ||||
| LPDDR | ||||
| DDR | ||||
| GDDR | ||||
| HBM | ||||
| 아날로그 IP | ||||
| S램, TCQM |
삼성 Foundry 설계 지원 플랫폼에는 다음 사항이 포함됩니다.
삼성 Foundry 설계 지원 플랫폼에는 다음 사항이 포함됩니다.
삼성 Foundry 설계 지원 플랫폼에는 다음 사항이 포함됩니다.
완전한 공정 설계 키트(PDK) 파일 세트
완전한 공정 설계 키트(PDK) 파일 세트
완전한 공정 설계 키트(PDK) 파일 세트
완전한 라이브러리와 IP
완전한 라이브러리와 IP
완전한 라이브러리와 IP
빠르게 설계를 시작할 수 있도록 다운로드 가능한 노드별 디자인 플로우 방법
빠르게 설계를 시작할 수 있도록 다운로드 가능한 노드별 디자인 플로우 방법
빠르게 설계를 시작할 수 있도록 다운로드 가능한 노드별 디자인 플로우 방법
삼성 Foundry는 주요 설계 지원 및 IP 파트너와 긴밀히 협력하여 툴을 최적화하며 설계 생산성을 높입니다. 또한 SAFE-QEDA 또는 EDA 인증 프로그램을 통해 IP와 고객 설계가 삼성 Foundry 공정 및 패키징 기술 요구 사항을 충족하도록 함으로써 설계와 실리콘의 성공률을 높입니다. 이에 더해 삼성 Foundry의 설계 지원 파트너는 시스템 수준 설계, 인공지능, 전자설계자동화의 융합으로 한층 더 뛰어난 설계 최적화를 가능하게 하는 컴퓨팅 소프트웨어의 새로운 흐름을 받아들이고 있습니다.
이 모든 최적화는 강력하고 신뢰할 수 있는 설계 지원 플랫폼을 제공하며,
삼성 Foundry 5나노 EUV 공정, 3D IC, 그리고 곧 출시될 GAA와 같은 최신 기술을 채택하는 경우 특히 필수적입니다.
삼성 Foundry는 주요 설계 지원 및 IP 파트너와 긴밀히 협력하여 툴을 최적화하며 설계 생산성을 높입니다. 또한 SAFE-QEDA 또는 EDA 인증 프로그램을 통해 IP와 고객 설계가 삼성 Foundry 공정 및 패키징 기술 요구 사항을 충족하도록 함으로써 설계와 실리콘의 성공률을 높입니다. 이에 더해 삼성 Foundry의 설계 지원 파트너는 시스템 수준 설계, 인공지능, 전자설계자동화의 융합으로 한층 더 뛰어난 설계 최적화를 가능하게 하는 컴퓨팅 소프트웨어의 새로운 흐름을 받아들이고 있습니다.
이 모든 최적화는 강력하고 신뢰할 수 있는 설계 지원 플랫폼을 제공하며,
삼성 Foundry 5나노 EUV 공정, 3D IC, 그리고 곧 출시될 GAA와 같은 최신 기술을 채택하는 경우 특히 필수적입니다.
삼성 Foundry는 주요 설계 지원 및 IP 파트너와 긴밀히 협력하여 툴을 최적화하며 설계 생산성을 높입니다. 또한 SAFE-QEDA 또는 EDA 인증 프로그램을 통해 IP와 고객 설계가 삼성 Foundry 공정 및 패키징 기술 요구 사항을 충족하도록 함으로써 설계와 실리콘의 성공률을 높입니다. 이에 더해 삼성 Foundry의 설계 지원 파트너는 시스템 수준 설계, 인공지능, 전자설계자동화의 융합으로 한층 더 뛰어난 설계 최적화를 가능하게 하는 컴퓨팅 소프트웨어의 새로운 흐름을 받아들이고 있습니다.
이 모든 최적화는 강력하고 신뢰할 수 있는 설계 지원 플랫폼을 제공하며,
삼성 Foundry 5나노 EUV 공정, 3D IC, 그리고 곧 출시될 GAA와 같은 최신 기술을 채택하는 경우 특히 필수적입니다.
| DK/PDK | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||
| Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
| SPICE | ||||
| P 셀 | ||||
| DRC/안테나 | ||||
| 더미 삽입 | ||||
| LVS | ||||
| RC 추출 | ||||
| IR/EM | ||||
| DFM | ||||
| DK/PDK | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||
| Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
| SPICE | ||||
| P 셀 | ||||
| DRC/안테나 | ||||
| 더미 삽입 | ||||
| LVS | ||||
| RC 추출 | ||||
| IR/EM | ||||
| DFM | ||||
| DK/PDK | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||
| Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
| RTL | Arteris IP | |||
| 합성 | ||||
| DFT | ||||
| PD/STA | ||||
| PV/승인 | ||||
| IR/EM | ||||
| DK/PDK | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||
| Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
| RTL | Arteris IP | |||
| 합성 | ||||
| DFT | ||||
| PD/STA | ||||
| PV/승인 | ||||
| IR/EM | ||||
SAFE™ 파트너와의 폭넓은 서비스 생태계에는 다음 사항이 포함됩니다.
SAFE™ 파트너와의 폭넓은 서비스 생태계에는 다음 사항이 포함됩니다.
SAFE™ 파트너와의 폭넓은 서비스 생태계에는 다음 사항이 포함됩니다.
주요 전자설계자동화(EDA) 벤더가 제공하는 최상의 레퍼런스 플로우
주요 전자설계자동화(EDA) 벤더가 제공하는 최상의 레퍼런스 플로우
주요 전자설계자동화(EDA) 벤더가 제공하는 최상의 레퍼런스 플로우
혼합 신호, 주변 장치, 멀티미디어 코어, 인터페이스를 포함하는 광범위한 IP 포트폴리오
혼합 신호, 주변 장치, 멀티미디어 코어, 인터페이스를 포함하는 광범위한 IP 포트폴리오
혼합 신호, 주변 장치, 멀티미디어 코어, 인터페이스를 포함하는 광범위한 IP 포트폴리오
첨단 패키징 및 시험
첨단 패키징 및 시험
첨단 패키징 및 시험
클라우드 설계 지원
클라우드 설계 지원
클라우드 설계 지원
표준 셀, 메모리 컴파일러, I/O 인터페이스의 포괄적인 라이브러리
표준 셀, 메모리 컴파일러, I/O 인터페이스의 포괄적인 라이브러리
표준 셀, 메모리 컴파일러, I/O 인터페이스의 포괄적인 라이브러리
디자인 플로우의 수율 상승 처리를 위한 제조 예측 디자인 솔루션
디자인 플로우의 수율 상승 처리를 위한 제조 예측 디자인 솔루션
디자인 플로우의 수율 상승 처리를 위한 제조 예측 디자인 솔루션
디자인 서비스 파트너
디자인 서비스 파트너
디자인 서비스 파트너
OSATS
OSATS
OSATS
고객은 삼성전자의 유연한 비즈니스 모델 중 하나를 선택하여 칩 설계에 가장 적합한 패키지 솔루션을 이용할 수 있습니다.
고객은 삼성전자의 유연한 비즈니스 모델 중 하나를 선택하여 칩 설계에 가장 적합한 패키지 솔루션을 이용할 수 있습니다.
고객은 삼성전자의 유연한 비즈니스 모델 중 하나를 선택하여 칩 설계에 가장 적합한 패키지 솔루션을 이용할 수 있습니다.
핸드오프 모델: COT(Customer Owned Tooling, 고객 소유 툴), COPD(Customer Owned Physical Design, 고객 소유 디자인)
핸드오프 모델: COT(Customer Owned Tooling, 고객 소유 툴), COPD(Customer Owned Physical Design, 고객 소유 디자인)
핸드오프 모델: COT(Customer Owned Tooling, 고객 소유 툴), COPD(Customer Owned Physical Design, 고객 소유 디자인)
고객은 삼성 Foundry 패키징 옵션 중에서 선택하거나 Amkor와 같은 성능 OSAT 파트너가 제공하는 옵션을 선택할 수 있습니다.
고객은 삼성 Foundry 패키징 옵션 중에서 선택하거나 Amkor와 같은 성능 OSAT 파트너가 제공하는 옵션을 선택할 수 있습니다.
고객은 삼성 Foundry 패키징 옵션 중에서 선택하거나 Amkor와 같은 성능 OSAT 파트너가 제공하는 옵션을 선택할 수 있습니다.
삼성 Foundry의 CUBE 기술에는 다음과 같은 사항이 포함됩니다.
삼성 Foundry의 CUBE 기술에는 다음과 같은 사항이 포함됩니다.
삼성 Foundry의 CUBE 기술에는 다음과 같은 사항이 포함됩니다.
I-Cube S: 2.5D 실리콘 인터포저(Si-Interposer)
I-Cube S: 2.5D 실리콘 인터포저(Si-Interposer)
I-Cube S: 2.5D 실리콘 인터포저(Si-Interposer)
I-Cube E: 2.3D RDL-Interposer with Si-Bridge
I-Cube E: 2.3D RDL-Interposer with Si-Bridge
I-Cube E: 2.3D RDL-Interposer with Si-Bridge
X-Cube: 3DIC
X-Cube: 3DIC
X-Cube: 3DIC
300mm TSV를 갖춘 실리콘(Si) 인터포저 웨이퍼는 삼성 Foundry에서 제조됩니다. 사용되는 Si 인터포저 형식에 따라 두 가지 조립 공정이 있습니다: Chip on Substrate(CoS) 또는 Chip on Wafer(CoW).
CoS에서는 백그라인딩 및 절단된 Si 인터포저 칩을 패키지 기판 위에 조립하고, 그 위에 로직 디바이스와 HBM 모듈을 장착합니다.
CoW에서는 로직 디바이스와 HBM 모듈이 웨이퍼 수준 몰딩, 연마, 절단 후 백그라인딩된 Si 인터포저 웨이퍼 위에 장착되고, 이후 장착된 Si 인터포저 다이가 패키지 기판에 장착됩니다.
CoS의 장점: 중간 테스트(interim testing)가 가능하여 HBM 모듈 장착 전에 불량 인터포저나 로직 칩을 장착하지 않도록 도움.
CoW의 장점: 더 큰 Si 인터포저 사용 가능.
CoS는 저비용 2.5D 패키지 개발에, CoW는 더 많은 HBM 모듈을 통합한 2.5D 패키지 개발에 적합합니다.
삼성 Foundry는 다양한 인터포저 크기, HBM 모듈, 패키지 크기를 지원하는 I-Cube S를 성공적으로 검증했습니다. 오늘날, 2x(1,600mm²) Si 인터포저에 첨단 로직 칩과 최대 4개의 HBM 모듈을 통합한 2.5D 패키지는 양산 가능하며 검증 완료되었습니다.
더 큰 Si 인터포저를 활용하여 4개 이상의 HBM 모듈과 2000nF/mm² ISC™(Integrated Stack Capacitor)를 통합하는 대형 2.5D 패키지는 개발 중입니다.
300mm TSV를 갖춘 실리콘(Si) 인터포저 웨이퍼는 삼성 Foundry에서 제조됩니다. 사용되는 Si 인터포저 형식에 따라 두 가지 조립 공정이 있습니다: Chip on Substrate(CoS) 또는 Chip on Wafer(CoW).
CoS에서는 백그라인딩 및 절단된 Si 인터포저 칩을 패키지 기판 위에 조립하고, 그 위에 로직 디바이스와 HBM 모듈을 장착합니다.
CoW에서는 로직 디바이스와 HBM 모듈이 웨이퍼 수준 몰딩, 연마, 절단 후 백그라인딩된 Si 인터포저 웨이퍼 위에 장착되고, 이후 장착된 Si 인터포저 다이가 패키지 기판에 장착됩니다.
CoS의 장점: 중간 테스트(interim testing)가 가능하여 HBM 모듈 장착 전에 불량 인터포저나 로직 칩을 장착하지 않도록 도움.
CoW의 장점: 더 큰 Si 인터포저 사용 가능.
CoS는 저비용 2.5D 패키지 개발에, CoW는 더 많은 HBM 모듈을 통합한 2.5D 패키지 개발에 적합합니다.
삼성 Foundry는 다양한 인터포저 크기, HBM 모듈, 패키지 크기를 지원하는 I-Cube S를 성공적으로 검증했습니다. 오늘날, 2x(1,600mm²) Si 인터포저에 첨단 로직 칩과 최대 4개의 HBM 모듈을 통합한 2.5D 패키지는 양산 가능하며 검증 완료되었습니다.
더 큰 Si 인터포저를 활용하여 4개 이상의 HBM 모듈과 2000nF/mm² ISC™(Integrated Stack Capacitor)를 통합하는 대형 2.5D 패키지는 개발 중입니다.
300mm TSV를 갖춘 실리콘(Si) 인터포저 웨이퍼는 삼성 Foundry에서 제조됩니다. 사용되는 Si 인터포저 형식에 따라 두 가지 조립 공정이 있습니다: Chip on Substrate(CoS) 또는 Chip on Wafer(CoW).
CoS에서는 백그라인딩 및 절단된 Si 인터포저 칩을 패키지 기판 위에 조립하고, 그 위에 로직 디바이스와 HBM 모듈을 장착합니다.
CoW에서는 로직 디바이스와 HBM 모듈이 웨이퍼 수준 몰딩, 연마, 절단 후 백그라인딩된 Si 인터포저 웨이퍼 위에 장착되고, 이후 장착된 Si 인터포저 다이가 패키지 기판에 장착됩니다.
CoS의 장점: 중간 테스트(interim testing)가 가능하여 HBM 모듈 장착 전에 불량 인터포저나 로직 칩을 장착하지 않도록 도움.
CoW의 장점: 더 큰 Si 인터포저 사용 가능.
CoS는 저비용 2.5D 패키지 개발에, CoW는 더 많은 HBM 모듈을 통합한 2.5D 패키지 개발에 적합합니다.
삼성 Foundry는 다양한 인터포저 크기, HBM 모듈, 패키지 크기를 지원하는 I-Cube S를 성공적으로 검증했습니다. 오늘날, 2x(1,600mm²) Si 인터포저에 첨단 로직 칩과 최대 4개의 HBM 모듈을 통합한 2.5D 패키지는 양산 가능하며 검증 완료되었습니다.
더 큰 Si 인터포저를 활용하여 4개 이상의 HBM 모듈과 2000nF/mm² ISC™(Integrated Stack Capacitor)를 통합하는 대형 2.5D 패키지는 개발 중입니다.
I-Cube E는 Si 인터포저보다 대형화 시 비용 효율적이며, RDL 인터포저에 내장된 Si 브리지로 미세 L/S 구현이 가능합니다. 탁월한 워페이지 제어와 전력 무결성을 통해 차세대 칩렛 아키텍처 구현이 가능합니다.
RDL 인터포저는 Si-Bridge 솔루션으로 저비용이며, 미세 라인폭/라인 간격으로 라우팅 간섭을 최소화해 설계 유연성을 제공합니다. 삼성 Foundry는 2/2µm 라인/스페이스와 대형(~1600mm²) 인터포저, 4 HBM 모듈을 통합하는 2.3D RDL 인터포저 기술을 개발 중입니다.
I-Cube E는 Si 인터포저보다 대형화 시 비용 효율적이며, RDL 인터포저에 내장된 Si 브리지로 미세 L/S 구현이 가능합니다. 탁월한 워페이지 제어와 전력 무결성을 통해 차세대 칩렛 아키텍처 구현이 가능합니다.
RDL 인터포저는 Si-Bridge 솔루션으로 저비용이며, 미세 라인폭/라인 간격으로 라우팅 간섭을 최소화해 설계 유연성을 제공합니다. 삼성 Foundry는 2/2µm 라인/스페이스와 대형(~1600mm²) 인터포저, 4 HBM 모듈을 통합하는 2.3D RDL 인터포저 기술을 개발 중입니다.
I-Cube E는 Si 인터포저보다 대형화 시 비용 효율적이며, RDL 인터포저에 내장된 Si 브리지로 미세 L/S 구현이 가능합니다. 탁월한 워페이지 제어와 전력 무결성을 통해 차세대 칩렛 아키텍처 구현이 가능합니다.
RDL 인터포저는 Si-Bridge 솔루션으로 저비용이며, 미세 라인폭/라인 간격으로 라우팅 간섭을 최소화해 설계 유연성을 제공합니다. 삼성 Foundry는 2/2µm 라인/스페이스와 대형(~1600mm²) 인터포저, 4 HBM 모듈을 통합하는 2.3D RDL 인터포저 기술을 개발 중입니다.
X-Cube는 CoW(Chip on Wafer), WoW(Wafer on Wafer), TSV라는 세 가지 기술을 활용합니다.
+ CoW는 얇은 웨이퍼 위에 얇은 칩을 적층합니다.
+ WoW는 얇은 웨이퍼 위에 웨이퍼를 적층합니다.
+ TSV는 위와 아래에 있는 칩과 웨이퍼를 수평적으로 서로 연결합니다.
이 세 가지 기술을 결합함으로써 고밀도 집적과 더 큰 규모로의 확대를 비롯해 전력 효율 개선 및 지연 시간 단축이 가능합니다. 삼성 파운드리는 경쟁력 있고 신뢰성 높은 제품을 제공하는 데 선도적인 입지를 다지고 있습니다.
X-Cube는 CoW(Chip on Wafer), WoW(Wafer on Wafer), TSV라는 세 가지 기술을 활용합니다.
+ CoW는 얇은 웨이퍼 위에 얇은 칩을 적층합니다.
+ WoW는 얇은 웨이퍼 위에 웨이퍼를 적층합니다.
+ TSV는 위와 아래에 있는 칩과 웨이퍼를 수평적으로 서로 연결합니다.
이 세 가지 기술을 결합함으로써 고밀도 집적과 더 큰 규모로의 확대를 비롯해 전력 효율 개선 및 지연 시간 단축이 가능합니다. 삼성 파운드리는 경쟁력 있고 신뢰성 높은 제품을 제공하는 데 선도적인 입지를 다지고 있습니다.
X-Cube는 CoW(Chip on Wafer), WoW(Wafer on Wafer), TSV라는 세 가지 기술을 활용합니다.
+ CoW는 얇은 웨이퍼 위에 얇은 칩을 적층합니다.
+ WoW는 얇은 웨이퍼 위에 웨이퍼를 적층합니다.
+ TSV는 위와 아래에 있는 칩과 웨이퍼를 수평적으로 서로 연결합니다.
이 세 가지 기술을 결합함으로써 고밀도 집적과 더 큰 규모로의 확대를 비롯해 전력 효율 개선 및 지연 시간 단축이 가능합니다. 삼성 파운드리는 경쟁력 있고 신뢰성 높은 제품을 제공하는 데 선도적인 입지를 다지고 있습니다.