삼성전자, 텍사스 오스틴에 최대 규모의 웨이퍼 생산라인 준공 발표

세계 첨단 반도체 기술 선도 기업인 삼성전자는 목요일, 텍사스 오스틴에서 최대 규모의 300mm 낸드플래시 메모리 웨이퍼 생산라인의 준공을 기념하는 자리를 가졌다. 이 자리에는 텍사스 주지사 Rick Perry 및 삼성전자 윤종용 부회장 겸 대표이사가 참석했다. 오스틴에서 가장 큰 빌딩 중 하나이자 미식축구 9개 구장을 합친 규모의 160만 평방피트에 달하는 이 건물은 미국에서 가장 큰 단일 반도체 시설 중 하나이다. 이 신규 공장의 첫 제품은 50나노 수준의 공정 기술을 이용한 16Gb 낸드플래시 칩이 될 것이다. 35억 달러의 이 시설은 2007년 하반기에 가동을 시작할 것이며, 계속 생산량을 늘려 2008년에는 매달 60,000개의 웨이퍼를 생산할 예정이다. 텍사스 주지사 Rick Perry는 “이 새로운 생산 시설과 함께 삼성은 텍사스 역사상 외국 기업의 단일 투자로는 최대 규모의 투자를 감행했다”면서, “이 시설은 텍사스 주 경제와 고용 기반, 문화 생활에 괄목할 만한 성장을 이룰 것”이라고 말했다. 윤종용 부회장은 “우리가 오스틴에 건설한 이 기념비적인 신규 생산 시설은 미국 고객에 대한 우리 회사의 헌신을 보여주는 증거”라며, “오스틴 공장을 통해 삼성은 미국 시장에 최첨단 플래시 메모리 제품을 계속 공급할 것”이라고 말했다. 이 공장은 MP3 플레이어, 휴대전화, 디지털 카메라, 기타 모바일 기기 등, 소비자 관련 제품에서 폭넓게 사용되는 낸드플래시 메모리 칩을 생산할 예정이다. NAND 칩은 또한 소비자가 사진, 문서, 음악, 기타 멀티미디어 데이터를 저장하기 위해 사용하는 흔한 플래시 드라이브뿐 아니라 PC용 SSD에도 필요한 것이다. 낸드플래시 메모리는 전력 공급이 끊겨도 플래시 메모리가 데이터를 잃지 않기 때문에 점점 더 많은 모바일 제품에서 흔하게 사용되고 있다. 삼성은 이 프로젝트에 텍사스뿐 아니라 미국 전체에서도 외국 기업의 단일 투자로는 최대에 달하는 35억 달러의 투자를 했다. 지금까지 텍사스에서 외국 기업의 가장 큰 투자는 1996년 14억 달러가 투자된 기존의 삼성 메모리 공장이었다. 2006년 4월 착공을 시작한 이 신규 하이테크 공장은 오스틴에 있는 기존 8인치(200mm) 웨이퍼 생산 공장 옆에 세워진다. 기존 라인은 1997년 완공되었으며 DRAM 생산을 계속해 나갈 예정이다. 이 새로운 생산 시설, 즉 팹은 300mm (12인치) 웨이퍼 반도체를 생산하는 도시의 첫 번째 시설이 될 것이다. 300mm 웨이퍼는 현재 첫 번째 팹에서 사용되는 200mm (8인치) 웨이퍼보다 2.25배 더 큰 크기이다. 12인치 웨이퍼는 일반적으로 8인치 웨이퍼에서 약 500개의 칩을 보유하는 것에 비하여, 약 1,200 표준 256 메가비트 메모리 칩을 보유할 수 있다. 구조적 관점에서, 이는 기존 시설의 약 2배에 달하는 것으로, 기존 시설이 지금까지는 오스틴에서 가장 큰 반도체 팹이었다. 현재의 8인치 라인은 모바일 기기와 컴퓨터용 메모리 칩의 생산을 위해 계속 운영될 것이다. 삼성 오스틴 반도체는 신규 라인 건설에 약 700명의 신규 고용을 마쳤으며 오스틴에서 총 1,600명의 직원을 고용했다. 신규 라인의 가동이 시작되면, 오스틴에서 삼성의 급여 규모는 (8인치 공장의 경우만) 연간 6,000만 달러에서 약 1억 달러로 성장할 것이다. 삼성전자 반도체 사업부의 황창규 사장은 “삼성의 오스틴 투자는 오스틴 지역사회와 그 인력 자원에 대한 믿음을 보여주는 것”이라며, “현재 인력의 작업 및 에너지는 텍사스 오스틴에서 우리가 글로벌 시장과 경쟁할 수 있음을 입증하는 증거”라고 말했다. 50나노 수준의 가장 작은 첫 번째 칩은 사람 머리카락 지름보다 200배 더 작은 크기이다. 1 나노미터는 10억 분의 1 미터로, 사람의 적혈구 폭이 10,000 나노미터이다. 삼성 오스틴 반도체는 삼성전자의 자회사이다. 오스틴 반도체 공장은 한국 이외 지역에 소재하는 삼성전자 소속의 유일한 공장이다. 현재 삼성전자는 15개의 반도체 생산 라인을 운영 중이다.