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TSV (Through Silicon Via)

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TSV [Through Silicon Via, 실리콘 관통전극] 기존 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 후, 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단의 구멍을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다. TSV는 메모리 칩을 적층해 대용량을 구현하는 기술로, 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 와이어 본딩(Wire Bonding) 기술보다 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있는 것이 특징이다. 삼성전자는 2010년 세계 최초로 TSV 기반 D램 모듈을 개발한 데 이어, 2014년 8월 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용한 64GB 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈 양산을 발표했다.
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