DRAM 제조에 대한 부단한 EUV 혁신 기술 채택

삼성은 엔터프라이즈 및 클라우드 데이터 센터, 에지 장치, 스마트폰에 사용되는 메인 메모리를 제조하는 더 나은 방법을 찾는 데 전력투구하고 있다. 2021년부터 대규모로 출시될 것으로 예상되는 새로운 EUV(극자외선) DRAM 생산 방법론이 미세 조정 중에 있는데, 엄청난 의미를 가질 변화를 몰고 올 것이다. 새로운 경주 트랙 삼성은 현재의 메모리 방정식에서 핵심을 차지하는 확장성 문제를 극복하기 위한 방법으로 DRAM에 EUV를 최초로 채택했다. EUV는 멀티 패터닝에서 반복적인 단계를 줄이고 패터닝 정확도를 향상시켜, 성능 개선과 수율 향상, 개발 시간 단축을 지원한다. 즉, 사용 가능한 칩이 늘고, 사양이 개선되며, 턴어라운드가 빨라져서 프리미엄 전자 시장을 위한 보다 스마트한 접근 방식이라고 할 수 있다.

EUV DRAM에 대한 전적인 노력을 입증하며, 삼성은 이미 EUV 기술을 기반으로 하는 100만 개의 D1x DDR4 모듈을 납품했고, 이 모듈은 글로벌 고객 평가를 완료하는 데 사용되었다. 우리는 내년에 프리미엄 D1a 기반의 16Gb EUV DDR5 제품의 양산을 시작할 계획이며, 이로써 12인치 D1x DRAM 웨이퍼의 제조 생산성은 두 배가 될 것이다. 페이스 조절 양이 더 많아지면 전반적인 제조 효율성이 개선되므로 우리는 EUV 기반 메모리 생산량을 더욱 늘려갈 것다. 우리는 업계를 선도할 뿐만 아니라, 더 오래 사용할 수 있고, 더 안정적인 성능을 갖추고, 더 높은 밀도로 제작할 수 있는 메모리를 널리 보급하기 위한 속도도 정할 것이다. 분명히 EUV DRAM 프로세스는 급진적인 운영상의 변화를 일으킬 것이다. 지금까지 로직 칩에서만 작동했던 것이 이제 곧 모든 DRAM에서도 작동할 것이다. 불굴의 추진력 극도로 낮은 공정 노드에서 누가 DRAM용 EUV 기술을 비용 효율적으로 마스터할 수 있겠냐는 회의론이 있었다. 그러나 혁신을 향한 삼성의 불굴의 추진력으로 인해 내년부터 대다수의 삼성 고급 D램이 이런 방식으로 생산될 수 있는 문이 열렸다. 우리는 이미 선도적인 글로벌 IT 고객과 협력하여, 프로세스 개선을 통해 더 많은 생산량을 확보하기 위한 준비를 하고 있다. 사물 인터넷과 5G 기술이 반도체의 역할을 극적으로 늘려감에 따라 삼성 EUV DRAM 기술은 소비자, 클라우드 및 데이터 센터 애플리케이션을 위한 메모리 성능과 전반적인 최종 사용자 경험을 향상시키는 데 있어서 중추적인 역할을 담당할 것이다. 지금까지 개발된 구현 기술 중 가장 발전된 형태인 EUV는 V낸드가 스토리지에서 했던 것처럼, DRAM의 상층부를 이루어 까다롭지만 혁신적이며 놀라운 성능을 보여줄 것이다.