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점점 더 작아진다, 반도체 초미세 공정

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4차 산업혁명 시대에 반도체는 스마트기기, 인공지능, 5G, 사물인터넷(IoT), 자동차 등에 탑재되는 주요 부품으로 주목 받고 있다. 손바닥 크기의 모바일 기기는 물론, 몸에 착용하는 웨어러블 기기에도 반도체가 들어가면서 반도체 소형화의 중요성이 커지고 있는데 차세대 디바이스에 맞춰 점점 작아지는 반도체와 반도체 초미세 공정에 대해 알아보겠다. 점점 작아지고 미세해지는 반도체
회로 위에 빛나고 있는 반도체 이미지
회로 위에 빛나고 있는 반도체 이미지

반도체는 경박단소(가볍고, 얇고, 짧고, 작은)를 향해 진화해왔다. 모바일 시대로 접어들며 점점 더 작고, 복잡해지는 전자기기에 들어가기 위해서는 부피의 단점을 극복해야 했기 때문인데 또한 한 장의 웨이퍼에 얼마나 많은 반도체를 생산할 수 있느냐는 반도체의 가격에 크게 영향을 준다. 반도체의 크기가 작아지면서 한정된 공간 안에 얼마나 많은 소자를 구현할 수 있는가가 중요한 쟁점이 되었고, 지금은 수십억 개의 소자가 손톱만한 크기의 칩에 들어가 나노 단위의 크기로 선폭을 형성하는 초고집적 반도체의 시대가 열렸다. 반도체 초미세 공정이 지닌 의미
미세한 패턴을 웨이퍼 위에 그리기 위한 불화아르곤(ArF) 기반 ‘멀티패터닝’ 기술과 EUV 기술 비교. 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티패터닝 공정을 줄여 성능과 수율을 높일 수 있다
미세한 패턴을 웨이퍼 위에 그리기 위한 불화아르곤(ArF) 기반 ‘멀티패터닝’ 기술과 EUV 기술 비교. 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티패터닝 공정을 줄여 성능과 수율을 높일 수 있다

▲ 미세한 패턴을 웨이퍼 위에 그리기 위한 불화아르곤(ArF) 기반 ‘멀티패터닝’ 기술과 EUV 기술 비교. 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티패터닝 공정을 줄여 성능과 수율을 높일 수 있다

이처럼 반도체 웨이퍼에 미세한 회로를 그려 넣는 노광(포토) 공정 기술력을 확보하는 것은 하나의 경쟁력이 된다. 최근 반도체 로직공정이 10나노 이하로 접어들면서 불화아르곤(ArF) 광원을 사용하는 기존의 노광 공정은 한계에 이르렀는데 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선)는 불화아르곤을 대체할 수 있는 광원으로, 파장의 길이가 기존 불화아르곤의 1/14 미만에 불과해 보다 세밀한 반도체 회로 패턴 구현에 적합하다. EUV를 사용하게 되면, 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 작업을 한층 간소화할 수 있다. 이는 반도체 칩 디자인 과정을 간단하게 할 수 있고, 회로를 그리는 마스크 숫자를 획기적으로 줄일 수 있다. EUV를 통해 한자리 수의 나노 공정 단계에 진입한다는 것은 단순히 공정 단위 숫자가 줄어드는 것 이상의 의미가 있는데 칩 하나의 크기가 작아지면 동일한 면적의 웨이퍼 안에서 더 많은 반도체를 생산할 수 있기 때문에 반도체의 생산성을 높이고, 성능과 전력효율을 동시에 확보할 수 있다. 또한 반도체를 작게 생산할 수 있다는 것은 앞으로 더욱 다양해질 각종 디바이스에서 활용 가능성이 높다는 의미이기도 하다. 삼성전자의 초미세 공정 개발 현황
삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 조감도
삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 조감도

▲ 삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 조감도

그렇다면 삼성전자의 초미세 공정 기술은 어디까지 발전했을까? 삼성전자는 지난 4월 7나노 파운드리 제품 출하와, 5나노 공정 개발 소식을 밝혔다. 뿐만 아니라 3나노 GAA(Gate-All-Around) 공정 설계 키트를 팹리스 고객들에게 배포하며 초미세 회로 기술을 빠르게 발전시키고 있다. 지금까지 반도체 공정의 초미세화 추세에 대해 살펴봤는데 앞으로도 삼성전자는 초미세 공정 포트폴리오를 확대해나가며 4차 산업혁명 시대에 걸맞은 반도체 사업 경쟁력을 강화해나갈 예정이니 많이 응원해주시길 부탁드린다.

*source : 반도체이야기. http://samsungsemiconstory.com

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