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[인터뷰] 초거대 AI 시대의 랜드마크, 삼성전자 V낸드

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삼성전자는 지난달 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)*9세대 V낸드’ 양산을 시작하며 낸드플래시 시장에서 리더십을 공고히 했다. ‘9세대 V낸드’는 업계 최소 크기의 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold)* 두께가 구현되어 이전 세대보다 약 1.5배 높은 비트 밀도(Bit Density)*를 자랑한다. 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 간섭 현상*을 제어하고, 제품 속도와 소비 전력, 품질과 신뢰성을 높인 것이 특징이다. 오늘 뉴스룸은 ‘9세대 V낸드’ 기획과 개발을 담당한 삼성전자 상품기획실 현재웅 상무, Flash개발실 홍승완 부사장, 김은경 상무, 조지호 상무를 만났다. 이들과 함께 AI 시대의 새로운 가능성을 창조해 가는 삼성전자 V낸드 공간으로 입장해 보자.
* TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조 * 몰드(Mold): 셀을 동작시키는 워드 라인(트랜지스터의 on/off를 담당하는 배선)의 층 * 비트 밀도(Bit Density): 단위 면적당 저장되는 비트의 수 * 간섭 현상: 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되거나 인접 셀이 영향을 받는 현상
삼성전자 V낸드 카드 뉴스 01
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 02
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 03
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 04
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 05
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 06
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 07
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 08
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 09
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 10
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 11
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 12
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 13
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삼성전자 V낸드 카드 뉴스 14
삼성전자 V낸드 카드 뉴스 14
삼성전자는 2002년 낸드플래시 메모리 분야에서 세계 1위에 오른 뒤, 시장을 선도하며 초격차 기술을 선보이고 있다. 긴 여정의 결실이라고 할 수 있는 9세대 V낸드에 이어, 삼성전자는 앞으로도 끊임없는 혁신과 첨단 메모리 기술 개발을 통해 정교한 미래를 설계해 나갈 예정이다.
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