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삼성전자, COMPUTEX 2026에서 AI 시대 반도체 경쟁력의 새로운 기준을 제시하다

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지난 6월 2일부터 5일까지 대만 타이베이에서 개최된 COMPUTEX 2026은 전 세계 1,400여개 기업과 약 11만 명의 참관객이 참여하며 아시아 최대 ICT 전시회로서의 위상을 다시 한번 확인했다. 올해 행사는 ‘AI Together’를 주제로 AI 기술과 산업 생태계 간 연결성을 강조했으며, NVIDIA GTC Taipei와 연계 개최되면서 AI 인프라와 반도체 기술에 대한 글로벌 관심이 집중됐다.

 

AI 시스템을 위한 통합 메모리·스토리지 솔루션

삼성전자는 이번 전시에서 ‘Integrated AI Semiconductor Solutions’를 주제로 차세대 HBM 기술과 AI 시스템 전반을 아우르는 제품 포트폴리오를 선보였다. 전시 중앙에는 HBM4E 칩과 웨이퍼를 전면 배치했으며, 차세대 HBM향 핵심 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block) 구조 목업(Mock-up)과 관련 샘플도 함께 전시했다. 벽면 전시에서는 차세대 AI 시스템과 Memory Hierarchy를 기반으로, 시스템 전반에 적용되는 삼성전자의 메모리 및 스토리지 포트폴리오를 소개했다. GPU 메모리 영역에는 HBM4를, 시스템 메모리 영역에는 LPDDR5X 기반 서버 모듈인 SOCAMM2를 배치했으며, 스토리지 영역에는 PM1763, PM1753, PM9D3a 등 AI 워크로드에 최적화된 SSD 솔루션을 선보였다. 특히 PM1763은 PCIe Gen6 기반의 차세대 서버향 SSD로, AI 서버 환경에서 요구되는 초고속 데이터 처리 성능과 전력 효율을 제공한다. 이를 통해 삼성전자는 HBM, 시스템 메모리, 스토리지에 이르는 AI 시스템 전 계층을 아우르는 AI Memory & Storage Total Solution 경쟁력을 선보였다.

 

COMPUTEX 2026 삼성전자 부스 전경
Figure 1. COMPUTEX 2026 삼성전자 부스 전경
COMPUTEX 2026 삼성전자 부스 전경
Figure 1. COMPUTEX 2026 삼성전자 부스 전경

 

AI 시스템 경쟁력 강화를 위한 차세대 반도체 혁신

COMPUTEX 행사 첫째 날인 6월 2일(현지시간), 삼성전자 송재혁 CTO는 기자 간담회에서 AI 시대 반도체 산업이 메모리 성능 중심 경쟁을 넘어 패키징, 스토리지, 열관리까지 포함하는 시스템 레벨 경쟁으로 진화하고 있다고 설명했다. 또한 삼성전자가 메모리, 파운드리, 로직, 패키징 역량을 모두 보유한 유일한 IDM(Integrated Device Manufacturer)으로서 AI 시스템 전반을 아우르는 통합 솔루션 경쟁력을 갖추고 있다고 강조했다.

 

기자 간담회 발표 중인 송재혁 CTO
Figure 2. 기자 간담회 발표 중인 송재혁 CTO
기자 간담회 발표 중인 송재혁 CTO
Figure 2. 기자 간담회 발표 중인 송재혁 CTO

 

이와 함께 삼성전자는 차세대 AI 시스템을 위한 HBM 솔루션인 HBM4E를 공개했다. HBM4E는 최선단 1c D램 기반 Core Die와 삼성 파운드리 4나노 공정 기반 Base Die를 결합한 제품으로, 핀당 최대 14Gbps의 속도를 안정적으로 지원하며 향후 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 확장 가능하다. 또한 모델 규모 확대와 데이터 처리량 증가에 대응할 수 있도록 이전 세대 대비 30% 이상 향상된 용량을 제공한다.

 

HPB(Heat Path Block) 구조가 적용된 HBM 목업
Figure 3. HPB(Heat Path Block) 구조가 적용된 HBM 목업
HPB(Heat Path Block) 구조가 적용된 HBM 목업
Figure 3. HPB(Heat Path Block) 구조가 적용된 HBM 목업

 

HBM과 GPU 간 초고속 데이터 통신을 담당하는 D2D PHY(Die-to-Die Physical Layer)는 Base Die 내 주요 발열 구간 중 하나로, 데이터 처리량과 동작 속도가 증가할수록 발열도 함께 증가한다. HPB는 이러한 열을 보다 효율적으로 외부로 전달 및 방출할 수 있도록, D2D PHY 영역에 별도의 열 전달 경로(Thermal Path)를 추가한 기술이다.

이를 통해 열 저항(Thermal Resistance)을 낮추고 동작 안정성을 향상시켜, 고대역폭/고집적 환경에서도 안정적인 성능 구현이 가능하다. 삼성전자는 현재 HBM4E 기반으로 HPB 기술을 검증 중이며, 향후 HBM5부터 적용할 계획이다. 이번 공개를 통해 차세대 HBM 구조와 열관리 기술 방향성을 처음으로 제시하며, 차세대 AI 메모리 기술 리더십을 강화했다.

 


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