GTC 2026에서 만난 삼성전자 AI 반도체의 미래

삼성전자 반도체는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 3월 16일(현지 기준) 개최된 엔비디아의 연례 기술 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에 참가해 AI 반도체의 미래 비전을 제시했다. 올해 GTC 행사에서 삼성전자는 최근 업계 최초로 양산을 개시한 HBM4와 함께 차세대 HBM4E 칩 실물을 처음으로 공개하고, 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼을 위한 메모리와 스토리지 ‘토털 솔루션’ 제품군을 선보이며 엔비디아와의 협력을 강조했다.

기조연설에서 더욱 강조된 양사의 AI 파트너십

GTC 2026 참석자들의 시선은 가장 먼저 엔비디아 젠슨 황 CEO의 기조연설에 집중됐다. 황 CEO는 ‘블랙웰(Blackwell)’과 ‘루빈(Rubin)’을 중심으로 한 차세대 AI 칩 시장 규모 비전을 제시하는 한편, 최신 Vera Rubin 플랫폼을 비롯해 네트워크, 소프트웨어 등 AI 산업 혁신을 앞당길 엔비디아의 컴퓨팅 플랫폼 전략과 기술을 공개했다.

특히 황 CEO는 기조연설에서 삼성전자 반도체와의 협력을 직접 언급하기도 했다. HBM4를 중심으로 한 메모리, 스토리지 솔루션 협력은 물론, 삼성전자 Foundry를 통해 그록3 언어처리장치(Groq 3 LPU) 칩을 생산할 계획을 밝히면서 양사 간 파트너십의 중요성이 그 어느 때보다 부각됐다.

삼성전자만의 AI 메모리 토털 솔루션 선보여

삼성전자는 이번 GTC에 마련된 전시 부스에 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련해, HBM 기술 리더십을 조명했다. 지난 달 양산 출하를 발표한 HBM4를 비롯해 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼도 최초로 공개했다.

또한 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시했으며, 특히 기조연설에 언급돼 청중의 관심이 집중된 그록3 LPU 4나노 웨이퍼 실물도 일반에 공개해 눈길을 끌었다.

이와 함께 Vera Rubin 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 기술을 AI Factories존에 공개해 많은 관심을 받기도 했다.

한편, 젠슨 황 CEO는 올해도 삼성전자 반도체 부스를 찾아 많은 관람객들의 관심이 집중됐다. 그는 전시존에 마련된 삼성전자 HBM4 코어 다이 웨이퍼와 그록3 LPU 4나노 웨이퍼에 각각 ‘AMAZING HBM4’와 ‘GROQ SUPER FAST’라는 문구를 적고 서명한 뒤, 삼성전자 Foundry사업부장 한진만 사장, 메모리개발담당 황상준 부사장과 함께 기념 촬영을 하며 양사 간 끈끈한 협력 관계를 보여줬다.

AI 산업의 급격한 발전을 바탕으로 나날이 전 세계의 관심이 높아지고 있는 GTC 2026 콘퍼런스에서, 삼성전자 반도체는 앞선 AI 메모리 기술 경쟁력과 엔비디아와의 전략적 파트너십을 다시 한 번 대중에 각인시켰다. 양사는 글로벌 AI 인프라 발전을 위한 비전을 공유하며 계속해서 긴밀히 협력해 나갈 계획이다.