삼성전자, 실리콘 혁신과 함께 고성능 컴퓨팅 및 연결 기기의 미래를 책임지다

전 세계 첨단 반도체 기술 선도 기업인 삼성전자는 오늘 미래의 고성능 컴퓨팅 및 연결 기기의 핵심에 있는 새로운 실리콘 혁신을 발표했다. 연례 ‘삼성 파운드리 포럼(SFF) 2018 미국’에서 3나노(nm)로의 종합적 공정 기술 로드맵의 업데이트를 발표한 삼성 파운드리는 광범위한 애플리케이션에 사용할 수 있는 강력하면서도 에너지 효율적인 SoC(단일 칩 체제) 설계 및 제조에 필요한 툴을 고객에게 제공하는 데 집중하고 있다. 삼성전자 파운드리 영업마케팅 팀 리더인 배영창 부사장은 “더 스마트하게 연결된 세계로 나아가는 현 추세는 실리콘 공급 업체의 산업 수요를 더 늘어나게 했다”면서, “그 수요를 맞추기 위해 삼성 파운드리는 실리콘 레벨의 혁신을 도모하여, 인간의 삶을 향상하는 데 있어 이전에는 생각지도 못한 새로운 방식에 대한 통찰력, 그에 따른 분석과 데이터에 궁극적으로는 접근할 수 있게 하는 것이 목표다. 고객의 차세대 칩 설계를 위한 최초의 실리콘 성공을 이루는 것이 우리에게 가장 필요한 일”이라고 말했다. 공정 기술 로드맵 업데이트 •7LPP (7나노 Low Power Plus): EUV 리소그래피 솔루션을 이용한 최초의 반도체 공정 기술 7LPP는 올해 하반기에 생산 준비를 마칠 계획이다. 주요 설계자산을 개발 중에 있으며 2019년 상반기 완료가 목표이다. •5LPE (5나노 Low Power Early): 7LPP 공정의 더욱 스마트한 혁신을 통해 이루어진 5LPE는 초저전력의 이점이 있으며, 더 큰 영역 확장을 가능하게 할 것이다. •4LPE/LPP (4나노 Low Power Early/Plus): 고도로 발전되고 검증된 핀펫 기술 사용이 4나노 공정으로 확대될 것이다. 핀펫의 마지막 세대로서 4나노는 쉬운 마이그레이션을 지원하면서 입증된 5LPE를 채택해, 가장 작은 셀 크기, 향상된 성능, 더욱 빨라진 안정적 수준의 수율 증가를 제공한다. •3GAAE/GAAP (3나노 게이트 올 어라운드 Early/Plus): 3나노 공정 노드는 차세대 기기 아키텍처 GAA를 채택한다. 핀펫 아키텍처의 물리적 확장 및 성능 한계를 극복하기 위해 삼성은 나노-시트 기기를 사용하는 고유한 GAA 기술, MBCFETTM(멀티 브리지 채널 FET)을 개발 중에 있다. 게이트 컨트롤을 강화함으로써 3나노 노드의 성능을 상당히 개선할 것이다. HPC(고성능 컴퓨팅) 솔루션 삼성 파운드리는 최근 하이퍼스케일 데이터 센터를 구동하고 인공지능 및 머신러닝 역량의 성장을 가속화할 기술 솔루션을 제공한다. EUV 역량을 가진 최신 7LPP 및 그 이상의 기술들부터 가장 혁신적인 2.5D/3D 이종 패키징의 100Gbps+ SerDes 같은 차별화된 고속 설계자산에 이르기까지, 삼성은 토털 플랫폼 솔루션을 제공하여 컴퓨팅 성능을 크게 높이고 인공지능 혁명을 가속화한다. 연결 기기 솔루션 저전력 마이크로컨트롤러 유닛(MCU) 및 차세대 연결 기기부터, Vehicle to Everything (V2X) 커뮤니케이션 및 5G에 기반한 가장 정교한 자동 차량에 이르기까지, 삼성 파운드리는 강력한 제품을 가능하게 해주는 즉각 사용 가능한 플랫폼을 제공한다. eMRAM 및 RF 역량의 28/18 FD-SOI에서부터 첨단 10/8나노 핀펫 공정에 이르기까지 광범위한 기술 포트폴리오가 연결 기기에서 최종 사용자로 하여금 만족스러운 경험을 하게 해줄 것이다. 배 부사장은 계속해서 “지난 해 우리는 각 고객에게 가장 정교한 기술을 제공하고자 EUV 공정 포트폴리오를 더욱 강화하는 데 집중했다. 우리의 차세대 공정 노드에 GAA 구조를 적용함으로써 삼성은 새로운 스마트하게 연결된 세상을 여는 데 있어 선두에 설 것이며, 우리의 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 말했다. 삼성 파운드리에 대한 자세한 내용은 www.samsungfoundry.com 과www.linkedin.com/company/samsungfoundry에서 확인할 수 있다.