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  • 차원이 다른 성능과 전력 효율,
    초고성능 메모리의 새로운 기준
    차원이 다른 성능과 전력 효율,
    초고성능 메모리의 새로운 기준
    차원이 다른 성능과
    전력 효율, 초고성능 메모리의 새로운 기준

    Samsung HBM4 high-bandwidth memory product

30년 이상 축적된 기술 리더십으로 완성한 HBM4,
차원이 다른 고성능 메모리 솔루션
30년 이상 축적된 기술 리더십으로 완성한 HBM4,
차원이 다른 고성능 메모리 솔루션
30년 이상 축적된 기술 리더십으로 완성한 HBM4, 차원이 다른 고성능 메모리 솔루션

30년 이상 축적된 기술 리더십을 바탕으로, 삼성은 한계를 넘어 다음을 준비합니다.
HBM4 는 최대 13.0 Gbps의 데이터 처리 성능으로 최선단 1c 나노급 D램 및 Foundry 4nm 와 같은
최선단 공정을 적용해 세계 최고 수준의 성능과 뛰어난 효율을 제공합니다.
삼성은 전세계 유일하게 메모리, Foundry 공정, 선단 패키징 역량을 모두 갖춘 종합 반도체 솔루션 기업으로
고객과 함께 어려움을 해결하고 좀 더 나은 미래를 위해 나아갑니다. 30년 이상 축적된 기술 리더십을 바탕으로, 삼성은 한계를 넘어 다음을 준비합니다. HBM4 는 최대 13.0 Gbps의 데이터 처리 성능으로 최선단 1c 나노급 D램 및 Foundry 4nm 와 같은 최선단 공정을 적용해 세계 최고 수준의 성능과 뛰어난 효율을 제공합니다. 삼성은 전세계 유일하게 메모리, Foundry 공정, 선단 패키징 역량을 모두 갖춘 종합 반도체 솔루션 기업으로 고객과 함께 어려움을 해결하고 좀 더 나은 미래를 위해 나아갑니다. 30년 이상 축적된 기술 리더십을 바탕으로, 삼성은 한계를 넘어 다음을 준비합니다. HBM4 는 최대 13.0 Gbps의 데이터 처리 성능으로 최선단 1c 나노급 D램 및 Foundry 4nm 와 같은 최선단 공정을 적용해 세계 최고 수준의 성능과 뛰어난 효율을 제공합니다. 삼성은 전세계 유일하게 메모리, Foundry 공정, 선단 패키징 역량을 모두 갖춘 종합 반도체 솔루션 기업으로 고객과 함께 어려움을 해결하고 좀 더 나은 미래를 위해 나아갑니다.

AI 시스템 한계를 넘어서는 최대 2.7배 강력한 성능 AI 시스템 한계를 넘어서는 최대 2.7배 강력한 성능 AI 시스템 한계를 넘어서는 최대 2.7배 강력한 성능

AI 모델의 규모가 커지고 학습과 추론의 실시간 결합이 가속화될수록, 메모리 성능은 시스템 성능과 효율을 좌우하는 핵심 요소가 됩니다. 

삼성 HBM4는 이전 세대 대비 약 2.7배 향상된 최대 3,300GB/s 의 대역폭으로 기존의 한계를 뛰어넘어, AI 시스템의 진화를 이끄는 강력한 기반을 제공합니다.

AI 모델의 규모가 커지고 학습과 추론의 실시간 결합이 가속화될수록, 메모리 성능은 시스템 성능과 효율을 좌우하는 핵심 요소가 됩니다. 삼성 HBM4는 이전 세대 대비 약 2.7배 향상된 최대 3,300GB/s 의 대역폭으로 기존의 한계를 뛰어넘어, AI 시스템의 진화를 이끄는 강력한 기반을 제공합니다.

AI 모델의 규모가 커지고 학습과 추론의 실시간 결합이 가속화될수록, 메모리 성능은 시스템 성능과 효율을 좌우하는 핵심 요소가 됩니다. 삼성 HBM4는 이전 세대 대비 약 2.7배 향상된 최대 3,300GB/s 의 대역폭으로 기존의 한계를 뛰어넘어, AI 시스템의 진화를 이끄는 강력한 기반을 제공합니다.

HBM4 고대역폭 메모리 장착 이미지 예시
두 배로 확장된 2,048개의 I/O 핀으로 대폭 향상된 대역폭 두 배로 확장된 2,048개의 I/O 핀으로 대폭 향상된 대역폭 두 배로 확장된 2,048개의 I/O 핀으로 대폭 향상된 대역폭

삼성 HBM4는 I/O 핀 수를 기존 1,024개에서 2,048개로 두 배 확장해 더 많은 데이터를 동시에 전송할 수 있는 인터페이스를 구현하고, 

총 메모리 대역폭을 대폭 향상시킵니다. 이를 통해 AI 가속기의 메모리 병목을 해소하여 연산 성능과 에너지 효율을 동시에 끌어올립니다.

삼성 HBM4는 I/O 핀 수를 기존 1,024개에서 2,048개로 두 배 확장해 더 많은 데이터를 동시에 전송할 수 있는 인터페이스를 구현하고, 총 메모리 대역폭을 대폭 향상시킵니다. 이를 통해 AI 가속기의 메모리 병목을 해소하여 연산 성능과 에너지 효율을 동시에 끌어올립니다.

삼성 HBM4는 I/O 핀 수를 기존 1,024개에서 2,048개로 두 배 확장해 더 많은 데이터를 동시에 전송할 수 있는 인터페이스를 구현하고, 총 메모리 대역폭을 대폭 향상시킵니다. 이를 통해 AI 가속기의 메모리 병목을 해소하여 연산 성능과 에너지 효율을 동시에 끌어올립니다.

입출력 핀 수 차이에 따른대역폭 비교 이미지 (좌측 1024핀, 우측 2048핀)
최선단 DRAM 기술이 만드는 차원이 다른 효율과 신뢰성 최선단 DRAM 기술이 만드는 차원이 다른 효율과 신뢰성 최선단 DRAM 기술이 만드는 차원이 다른 효율과 신뢰성

삼성 HBM4에는 1c 나노 D램을 사용하고, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 및 전력 분배 네트워크 (PDN) 최적화 기술이 적용됐습니다. 

이 결과 전력 효율은 이전 세대 대비 약 40% 개선되었고, 수직 열 저항 특성은 10%, 방열 특성은 총 30% 개선되었습니다. 삼성 HBM4는 데이터센터 환경에 최적화된

최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖추며 고객사의 운영 비용 절감에 기여합니다.

삼성 HBM4에는 1c 나노 D램을 사용하고, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 및 전력 분배 네트워크 (PDN) 최적화 기술이 적용됐습니다. 이 결과 전력 효율은 이전 세대 대비 약 40% 개선되었고, 수직 열 저항 특성은 10%, 방열 특성은 총 30% 개선되었습니다. 삼성 HBM4는 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖추며 고객사의 운영 비용 절감에 기여합니다.

삼성 HBM4에는 1c 나노 D램을 사용하고, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 및 전력 분배 네트워크 (PDN) 최적화 기술이 적용됐습니다. 이 결과 전력 효율은 이전 세대 대비 약 40% 개선되었고, 수직 열 저항 특성은 10%, 방열 특성은 총 30% 개선되었습니다. 삼성 HBM4는 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖추며 고객사의 운영 비용 절감에 기여합니다.

좌측 전력 효율 40% 향상 아이콘, 우측 열 저항 특성 10% 개선 아이콘
메모리, Foundry, 로직, 그리고 패키징 까지
세계 유일의 '종합 반도체 솔루션' 시너지 메모리, Foundry, 로직, 그리고 패키징 까지
세계 유일의 '종합 반도체 솔루션' 시너지 메모리, Foundry, 로직, 그리고 패키징 까지 세계 유일의 '종합 반도체 솔루션' 시너지

HBM이 진화할수록 베이스 다이의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. 삼성은 메모리에서 선단 패키징에 이르는 세계 유일 종합반도체 솔루션 업체로, 

메모리 기술력과 Foundry 선단 공정 기반 로직 설계, 첨단 패키징 역량을 결집해 업계 최고 수준의 HBM 성능과 품질을 구현하고, 

이를 통해 고객의 요구에 최적화된 AI 메모리 솔루션을 제공합니다.

HBM이 진화할수록 베이스 다이의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. 삼성은 메모리에서 선단 패키징에 이르는 세계 유일 종합반도체 솔루션 업체로, 메모리 기술력과 Foundry 선단 공정 기반 로직 설계, 첨단 패키징 역량을 결집해 업계 최고 수준의 HBM 성능과 품질을 구현하고, 이를 통해 고객의 요구에 최적화된 AI 메모리 솔루션을 제공합니다.

HBM이 진화할수록 베이스 다이의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. 삼성은 메모리에서 선단 패키징에 이르는 세계 유일 종합반도체 솔루션 업체로, 메모리 기술력과 Foundry 선단 공정 기반 로직 설계, 첨단 패키징 역량을 결집해 업계 최고 수준의 HBM 성능과 품질을 구현하고, 이를 통해 고객의 요구에 최적화된 AI 메모리 솔루션을 제공합니다.

메모리, 파운드리 공정, 선단 패키징 역량의 시너지를 나타내는 이미지

HBM4 응용처

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