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  • 고성능 메모리의 빛나는 순간
    고성능 메모리의 빛나는 순간
    고성능 메모리의
    빛나는 순간

    The shining hour of stacked memory

12-layer 기반 고성능 메모리 솔루션, HBM3E
12-layer 기반 고성능 메모리 솔루션, HBM3E
12-layer 기반 고성능 메모리 솔루션, HBM3E

12단 적층 HBM3E 제품으로 HBM 의 새로운 고성능 메모리 시대가 열렸습니다.
삼성 HBM3E 는 다양한 연산 환경에서 안정적이고 향상된 성능을 제공합니다. 5세대 HBM인 HBM3E Shinebolt는 높은 데이터 처리 속도, 우수한 전력 효율을 자랑하고 열 특성도 강화되었습니다. 이러한 특성은 고성능 연산 시스템에서의 효율성과 신뢰성을 보장하며, 다양한 응용 분야로 확장될 수 있습니다.
HBM3E 는 점점 발전하는 AI 시대 고성능 컴퓨팅 기술 발전을 뒷받침하는 핵심 메모리 솔루션으로 활용되고 있습니다. 12단 적층 HBM3E 제품으로 HBM 의 새로운 고성능 메모리 시대가 열렸습니다. 삼성 HBM3E 는 다양한 연산 환경에서 안정적이고 향상된 성능을 제공합니다. 5세대 HBM인 HBM3E Shinebolt는 높은 데이터 처리 속도, 우수한 전력 효율을 자랑하고 열 특성도 강화되었습니다. 이러한 특성은 고성능 연산 시스템에서의 효율성과 신뢰성을 보장하며, 다양한 응용 분야로 확장될 수 있습니다. HBM3E 는 점점 발전하는 AI 시대 고성능 컴퓨팅 기술 발전을 뒷받침하는 핵심 메모리 솔루션으로 활용되고 있습니다. 12단 적층 HBM3E 제품으로 HBM 의 새로운 고성능 메모리 시대가 열렸습니다. 삼성 HBM3E 는 다양한 연산 환경에서 안정적이고 향상된 성능을 제공합니다. 5세대 HBM인 HBM3E Shinebolt는 높은 데이터 처리 속도, 우수한 전력 효율을 자랑하고 열 특성도 강화되었습니다. 이러한 특성은 고성능 연산 시스템에서의 효율성과 신뢰성을 보장하며, 다양한 응용 분야로 확장될 수 있습니다. HBM3E 는 점점 발전하는 AI 시대 고성능 컴퓨팅 기술 발전을 뒷받침하는 핵심 메모리 솔루션으로 활용되고 있습니다.

AI 워크로드를 위한
고성능 메모리 솔루션

메모리의 새로운 시대가 시작되었습니다. 삼성 HBM3E Shinebolt는 고성능 메모리의 한계를 확장하는 12단 적층 기술을 기반으로 합니다.

5세대 HBM인 HBM3E는 12단 적층 구조를 통해 최대 1,180GB/s bandwidth(9.2 Gbps)을 구현하여 방대한 워크로드에서도 안정적인 성능을 지원합니다.

또한 높은 확장성을 바탕으로, AI 중심 혁신을 견인하는 핵심 메모리 솔루션으로 활용될 수 있습니다.

빠른 데이터 분석

혁신적인 발열 제어 기술

HBM3E Shinebolt는 advanced TC NCF* 기술을 적용하여 이전 세대 대비 약 11% 향상된 열 저항 특성을 제공합니다.

칩 적층 과정에서는 필연적으로 열이 발생합니다. 이에 따라, 안정적인 신호 연결을 유지하면서도 효율적인 열 방출을 가능하게 하기 위해 범프(bump)를 전략적으로 설계했습니다. 신호 연결이 필요한 구간에는 작은 범프를, 열 방출이 중요한 구간에는 큰 범프를 배치하여 성능과 신뢰성을 동시에 확보했습니다. *TC NCF : Thermal Compression - Non-Conductive Film

한 차원 향상된 내열성

저전력 고성능
메모리 솔루션
저전력 고성능
메모리 솔루션
저전력 고성능
메모리 솔루션

데이터센터를 24시간 안정적으로 운영할 수 있도록,
HBM3E Shinebolt는 성능을 향상시키는 동시에 전력 소모를 줄였습니다. 이전 세대 대비 약 12% 개선된 전력 효율을 제공하며,
이를 통해 데이터센터의 에너지 소비를 절감하고 운영 비용을
낮출 수 있습니다.
데이터센터를 24시간 안정적으로 운영할 수 있도록, HBM3E Shinebolt는 성능을 향상시키는 동시에 전력 소모를 줄였습니다. 이전 세대 대비 약 12% 개선된 전력 효율을 제공하며, 이를 통해 데이터센터의 에너지 소비를 절감하고 운영 비용을 낮출 수 있습니다.
데이터센터를 24시간 안정적으로 운영할 수 있도록, HBM3E Shinebolt는 성능을 향상시키는 동시에 전력 소모를 줄였습니다. 이전 세대 대비 약 12% 개선된 전력 효율을 제공하며, 이를 통해 데이터센터의 에너지 소비를 절감하고 운영 비용을 낮출 수 있습니다.
저전력이 실현하는 최고의 성능

AI부터 자율주행까지
아우르는 활용성

AI의 급격한 성장과 함께, HBM3E Shinebolt는
여러 산업 전반에서 고성능 메모리 솔루션으로 자리매김하고 있습니다.

HBM3E Shinebolt 는 AI 서비스 확장을 위한 방대한 데이터 처리를 위해 활용됩니다.

HBM 고도화된 자율주행 기술 발전에도 핵심적으로 기여합니다.
다양한 혁신 프로그램 지원

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HBM3E Shinebolt 응용처

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