초고대역폭 적층 메모리로 완성하는 고성능 AI 컴퓨팅

초고대역폭 적층 메모리로 완성하는 고성능 AI 컴퓨팅

초고대역폭 적층 메모리로 완성하는 고성능 AI 컴퓨팅

NCF(Non-Conductive Film)는 반도체 칩을 기판에 붙일 때 사용하는 절연성 접착 필름으로, 자체에는 구리(Cu)가 포함되지 않습니다.

하지만 구리 마이크로범프(Cu bump)와 함께 쓰이며, 칩과 기판 사이를 정밀하게 고정하고 전기 간섭 없이 연결을 돕는 역할을 합니다.

고집적·초미세 반도체 패키징에서 열과 압력을 이용해 공정 간격을 유지하고, 안정적인 접착을 제공하는 핵심 재료입니다.

HBM 시장 내 경쟁이 치열해지고 있는 것은 사실이며, 각 기업은 각자의 전략과 우선순위에 따라 개발 및 양산 일정을 조정하고 있습니다.

삼성전자는 기술력, 품질, 생산 안정성을 바탕으로 고객 맞춤형 HBM 솔루션을 지속 강화하고 있으며, 차세대 제품 역시 계획에 따라 착실히 준비 중입니다.

단기 시장 점유율보다 중장기적 기술 리더십과 고객 신뢰 확보에 집중하고 있는 만큼, 향후 경쟁력은 더욱 명확해질 것으로 보고 있습니다.

NCF(Non-Conductive Film)는 칩과 기판을 붙일 때 사용하는 ‘전기가 통하지 않는 접착 필름'입니다.

Advanced TC NCF는 기존 TC NCF 공정에서 더 정밀하게 열과 압력을 제어하고, 접착재(NCF)를 개선해 기포나 오염을 줄인 고도화된 기술입니다.

DRAM 다이 공정은 계속해서 미세화되며, 더 많은 셀을 작은 공간에 담는 방향으로 발전 중입니다.
장기적으로는 3D 구조나 새로운 소재 도입도 함께 연구되고 있습니다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 메모리 다이를 수직으로 쌓아 TSV(Through-Silicon Via)로 연결한 형태입니다.
실물은 약 1~2cm² 크기의 얇고 정사각형에 가까운 패키지로, 두께는 보통 1mm 내외이며 쌓는 다이 수에 따라 달라집니다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 보통 4단, 8단, 12단 등으로 구성되며, 제품에 따라 다릅니다.
단수(다이 스택 수)가 많을수록 용량과 대역폭이 증가하지만, 열 관리와 공정 난이도도 높아집니다.

HBM 고객사 승인 일정에 대해서는 구체적인 날짜나 시점이 아직 공개된 바가 없습니다.