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  • 궁극의 AI를 향하여
    궁극의 AI를 향하여
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    삼성반도체 DRAM HBM2E Flashbolt

슈퍼컴퓨팅과 AI 기술을 위한 막강한 메모리
슈퍼컴퓨팅과 AI 기술을 위한 막강한 메모리
슈퍼컴퓨팅과 AI 기술을 위한 막강한 메모리

슈퍼 컴퓨팅 및 AI 기반 기술의 발전을 위해서는 대역폭, 용량, 효율 측면에서 현존하는 최고 수준의 메모리가 필요합니다.
HBM2E Flashbolt 는 AI 의 성능을 향상시키고 확장된 용량을 통해 더 많은 빅데이터를 처리할 수 있으며 높은 대역폭을 제공합니다. 슈퍼 컴퓨팅 및 AI 기반 기술의 발전을 위해서는 대역폭, 용량, 효율 측면에서 현존하는 최고 수준의 메모리가 필요합니다. HBM2E Flashbolt 는 AI 의 성능을 향상시키고 확장된 용량을 통해 더 많은 빅데이터를 처리할 수 있으며 높은 대역폭을 제공합니다. 슈퍼 컴퓨팅 및 AI 기반 기술의 발전을 위해서는 대역폭, 용량, 효율 측면에서 현존하는 최고 수준의 메모리가 필요합니다.
HBM2E Flashbolt 는 AI 의 성능을 향상시키고 확장된 용량을 통해 더 많은 빅데이터를 처리할 수 있으며 높은 대역폭을 제공합니다.

고성능 컴퓨팅(HPC)의 원동력
고성능 컴퓨팅(HPC)의 원동력
고성능 컴퓨팅(HPC)의 원동력

AI 알고리즘, 데이터 사이언스, 자율주행, 5G 등 다양한 산업에서 최첨단 기술을 선도한 것에 이어
최초의 HBM2E 솔루션을 통해 삼성은 다시 한번 메모리 산업의 리더로 앞서나가고 있습니다.
AI 알고리즘, 데이터 사이언스, 자율주행, 5G 등 다양한 산업에서 최첨단 기술을 선도한 것에 이어 최초의 HBM2E 솔루션을 통해 삼성은 다시 한번 메모리 산업의 리더로 앞서나가고 있습니다.
AI 알고리즘, 데이터 사이언스, 자율주행, 5G 등 다양한 산업에서 최첨단 기술을 선도한 것에 이어
최초의 HBM2E 솔루션을 통해 삼성은 다시 한번 메모리 산업의 리더로 앞서나가고 있습니다.
Samsung HBM2E Flashbolt의 핀당 3.2Gbps의 빠른 데이터 전송을 보여주는 그림입니다.

고성능 작업도
원활하게 지원하는 고대역폭
고성능 작업도
원활하게 지원하는 고대역폭
고성능 작업도
원활하게 지원하는 고대역폭

HBM2E Flashbolt는 이전 세대 HBM 에 비해 1.5 배 빠른 3.6 Gbps의 처리 속도를 자랑합니다.
또한 대용량 데이터를 빠르게 처리하는 TSV 기술을 통해 고대역폭을 지원하여 AI 트레이닝 효율을 평소보다 6 배 가량 끌어올립니다.*

* 클라우드 서비스 8 GPU vs 72 CPU 비교 데이터
HBM2E Flashbolt는 이전 세대 HBM 에 비해 1.5 배 빠른 3.6 Gbps의 처리 속도를 자랑합니다.
또한 대용량 데이터를 빠르게 처리하는 TSV 기술을 통해 고대역폭을 지원하여 AI 트레이닝 효율을 평소보다 6 배 가량 끌어올립니다.*

* 클라우드 서비스 8 GPU vs 72 CPU 비교 데이터
HBM2E Flashbolt는 이전 세대 HBM 에 비해 1.5 배 빠른 3.6 Gbps의 처리 속도를 자랑합니다.
또한 대용량 데이터를 빠르게 처리하는 TSV 기술을 통해 고대역폭을 지원하여 AI 트레이닝 효율을 평소보다 6 배 가량 끌어올립니다.*

* 클라우드 서비스 8 GPU vs 72 CPU 비교 데이터
시장에 출시된 8 Gb HBM 솔루션의 두 배 용량을 제공하는 16 Gb 코어 다이의 예시 이미지

2 배 확장된 용량으로
더 많은 데이터 처리도 거뜬하게
2 배 확장된 용량으로
더 많은 데이터 처리도 거뜬하게
2 배 확장된 용량으로
더 많은 데이터 처리도 거뜬하게

HBM2E Flashbolt는 10 nm급 16 Gb DRAM 다이를 8 개 적층하여 이전 세대 HBM 솔루션 대비 약 2 배의 용량을 제공합니다.
더 커진 용량은 보다 복잡한 deep learning 기술을 지원하여 빅데이터 분석 속도를 향상시킵니다.
HBM2E Flashbolt는 10 nm급 16 Gb DRAM 다이를 8 개 적층하여 이전 세대 HBM 솔루션 대비 약 2 배의 용량을 제공합니다. 더 커진 용량은 보다 복잡한 deep learning 기술을 지원하여 빅데이터 분석 속도를 향상시킵니다.
HBM2E Flashbolt는 10 nm급 16 Gb DRAM 다이를 8 개 적층하여 이전 세대 HBM 솔루션 대비 약 2 배의 용량을 제공합니다.
더 커진 용량은 보다 복잡한 deep learning 기술을 지원하여 빅데이터 분석 속도를 향상시킵니다.
시장에 출시된 8 Gb HBM 솔루션의 두 배 용량을 제공하는 16 Gb 코어 다이의 예시 이미지

업그레이드된 성능,
더욱 적어진 전력
소비
업그레이드된 성능,
더욱 적어진 전력
소비
업그레이드된 성능,
더욱 적어진 전력
소비

HBM2E Flashbolt는 이전 HBM 솔루션에 대비 18 % 향상된 전력
효율과 1 K 더 많은 Power bump를 적용한 덕분에 보다 적은
에너지로 더 많은 파워 공급이 가능합니다.

※ 삼성전자 내부 데이터기준 (요청 시 제공)
HBM2E Flashbolt는 이전 HBM 솔루션에 대비 18 % 향상된 전력 효율과 1 K 더 많은 Power bump를 적용한 덕분에 보다 적은 에너지로 더 많은 파워 공급이 가능합니다.

※ 삼성전자 내부 데이터기준 (요청 시 제공)
HBM2E Flashbolt는 이전 HBM 솔루션에 대비 18 % 향상된 전력 효율과 1 K 더 많은 Power bump를 적용한 덕분에 보다 적은 에너지로 더 많은 파워 공급이 가능합니다.

HBM2E Flashbolt는 이전 HBM 솔루션에 대비 18 % 향상된 전력 효율과 1 K 더 많은 Power bump를 적용한 덕분에 보다 적은 에너지로 더 많은 파워 공급이 가능합니다.

※ 삼성전자 내부 데이터기준 (요청 시 제공)

저전력으로 고성능을 발휘하는 삼성 HBM2E Flashbolt의 일러스트 사진

On Die ECC로 완성한 높은 신뢰도
On Die ECC로 완성한 높은 신뢰도
On Die ECC로 완성한 높은 신뢰도

HBM2E Flashbolt의 ODECC(On Die ECC) 솔루션은 내부 오류 자체 수정 기능으로 손상된 데이터를 복구합니다.
또한, 단일 비트 오류를 개선하여 전체 데이터 신뢰성을 높일 수 있습니다.
HBM2E Flashbolt의 ODECC(On Die ECC) 솔루션은 내부 오류 자체 수정 기능으로 손상된 데이터를 복구합니다.
또한, 단일 비트 오류를 개선하여 전체 데이터 신뢰성을 높일 수 있습니다.
HBM2E Flashbolt의 ODECC(On Die ECC) 솔루션은 내부 오류 자체 수정 기능으로 손상된 데이터를 복구합니다.
또한, 단일 비트 오류를 개선하여 전체 데이터 신뢰성을 높일 수 있습니다.
On Die ECC 솔루션에 따른 높은 신뢰성과 안전성을 확보한 삼성 HBM2E Flashbolt의 일러스트 사진

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