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    새로운 시대를 열다
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    삼성반도체 DRAM HBM2, 슈퍼 컴퓨팅의 새로운 시대를 열다

새로운 기술 발달의 시작점
새로운 기술 발달의 시작점
새로운 기술 발달의 시작점

HBM2 Flarebolt는 소형 폼팩터 안에서 고대역폭, 고속 데이터 전송, 고성능 그래픽 작업을 지원하는 혁신적인 메모리 제품입니다. HBM2 Flarebolt는 소형 폼팩터 안에서 고대역폭, 고속 데이터 전송, 고성능 그래픽 작업을 지원하는 혁신적인 메모리 제품입니다. HBM2 Flarebolt는 소형 폼팩터 안에서
고대역폭, 고속 데이터 전송, 고성능 그래픽
작업을 지원하는 혁신적인 메모리 제품입니다.

한 차원 높은 고성능
컴퓨팅(HPC)
한 차원 높은 고성능
컴퓨팅(HPC)
한 차원 높은 고성능
컴퓨팅(HPC)

GDDR5 대비 8 배 빠른 속도
1 TB/s 시스템 메모리 대역폭
GDDR5 대비 8 배 빠른 속도
1 TB/s 시스템 메모리 대역폭
GDDR5 대비 8 배 빠른 속도
1 TB/s 시스템 메모리 대역폭
HBM2 Flarebolt는 1,024 I/ O를 통해 최고 1 TB/s의 시스템 대역폭을
제공합니다. HBM2 Flarebolt의 빠른 데이터 전송 속도는 AI, 머신러닝 등
증가하는 IT 산업계의 요구사항을 충족시킵니다.
HBM2 Flarebolt는 1,024 I/ O를 통해 최고 1 TB/s의 시스템 대역폭을 제공합니다. HBM2 Flarebolt의 빠른 데이터 전송 속도는 AI, 머신러닝 등 증가하는 IT 산업계의 요구사항을 충족시킵니다.

HBM2 Flarebolt는 1,024 I/ O를 통해 최고 1 TB/s의 시스템
대역폭을 제공합니다. HBM2 Flarebolt의 빠른 데이터 전송
속도는 AI, 머신러닝 등 증가하는 IT 산업계의 요구사항을
충족시킵니다.
삼성반도체 DRAM HBM2, 최고 속도 성능, 1,024 I/O 대역폭, 1 TB/S 시스템 메모리

저전력에서도
입증된 신뢰성
저전력에서도 입증된 신뢰성
저전력에서도
입증된 신뢰성

전력 효율성 20 % 개선
전력 효율성 20 % 개선
전력 효율성 20 % 개선
HBM2 Flarebolt의 작동 전압은 1.35 V로 GDDR5의 작동전압 1.5 V 대비
20% 전력 소비가 적어 훨씬 효과적으로 전력을 관리할 수 있습니다.
HBM2 Flarebolt의 작동 전압은 1.35 V로 GDDR5의 작동전압 1.5 V 대비 20% 전력 소비가 적어 훨씬 효과적으로 전력을 관리할 수 있습니다.

HBM2 Flarebolt의 작동 전압은 1.35 V로 GDDR5의 작동전압
1.5 V 대비 20% 전력 소비가 적어 훨씬 효과적으로 전력을
관리할 수 있습니다.
삼성반도체 DRAM HBM2 Flarebolt, 20 % 줄어든 전력 소비량

고용량의 유연한
디자인 가능성 제공
고용량의 유연한 디자인 가능성 제공
고용량의 유연한
디자인 가능성 제공

큐브당 8 GB 의 고용량 패키지
94 % 적은 PCB 공간 소비
큐브당 8 GB 의 고용량 패키지
94 % 적은 PCB 공간 소비
큐브당 8 GB 의 고용량 패키지
94 % 적은 PCB 공간 소비
HBM2 Flarebolt 는 삼성 TSV(Through Silicon Via) 기술 덕분에 GDDR5
대비 훨씬 많은 공간을 절약할 수 있습니다. GDDR5 대비 94 % 공간을
절약하여 세련된 소형 폼팩터를 위한 완벽한 솔루션을 제공합니다.
HBM2 Flarebolt 는 삼성 TSV(Through Silicon Via) 기술 덕분에 GDDR5 대비 훨씬 많은 공간을 절약할 수 있습니다. GDDR5 대비 94 % 공간을 절약하여 세련된 소형 폼팩터를 위한 완벽한 솔루션을 제공합니다.

HBM2 Flarebolt 는 삼성 TSV(Through Silicon Via) 기술
덕분에 GDDR5 대비 훨씬 많은 공간을 절약할 수 있습니다.
GDDR5 대비 94 % 공간을 절약하여 세련된 소형 폼팩터를 위한
완벽한 솔루션을 제공합니다.
삼성 반도체 DRAM HBM2, PCB 공간 사용 94 % 감축

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HBM2 Flarebolt 응용처