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  • 미래를 구현하는
    압도적인 성능
    미래를 구현하는
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    압도적인 성능

    삼성반도체 DRAM DDR5.

데이터 중심 혁신을 주도하는 DDR5
데이터 중심 혁신을 주도하는 DDR5
데이터 중심 혁신을 주도하는 DDR5

대용량 데이터 처리가 필요로 하는 새로운 차원의 속도, 용량, 신뢰성을 충족시키는 동시에
저전력 특성을 구현하여 환경 친화적인 메모리 기술로 더욱 진화하고 있습니다.
대용량 데이터 처리가 필요로 하는 새로운 차원의 속도, 용량, 신뢰성을 충족시키는 동시에
저전력 특성을 구현하여 환경 친화적인 메모리 기술로 더욱 진화하고 있습니다.
대용량 데이터 처리가 필요로 하는 새로운 차원의 속도, 용량, 신뢰성을 충족시키는 동시에
저전력 특성을 구현하여 환경 친화적인 메모리 기술로 더욱 진화하고 있습니다.

삼성 DDR5 칩이 지구 위에 올려져 있는 설명 이미지

대용량 실시간 데이터를 처리하는
놀라운 속도
대용량 실시간 데이터를 처리하는 놀라운 속도
대용량 실시간
데이터를
처리하는
놀라운 속도

최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다.
DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.
최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다. DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.
최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한
데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다.
DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로,
16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상
향상된 성능을 제공합니다.
최대 7,200 Mbps의 고성능 전송 속도를 제공하는 DDR5에 대해 설명하는 이미지

혁신을 리드하는 대용량
혁신을 리드하는 대용량
혁신을 리드하는 대용량

삼성의 10 nm급 공정과 EUV 기술을 적용하여 16 Gb에서 32 Gb로 메모리 밀도를 상승시켜
업계 최대 용량의 512 GB DDR5 메모리 모듈을 개발했습니다.
두 배 늘어난 용량은 대규모 작업량을 유연하게 동시 처리하는 것과 함께 향후 확장성을 가능하게 합니다.
삼성의 10 nm급 공정과 EUV 기술을 적용하여 16 Gb에서 32 Gb로 메모리 밀도를 상승시켜 업계 최대 용량의 512 GB DDR5 메모리 모듈을 개발했습니다. 두 배 늘어난 용량은 대규모 작업량을 유연하게 동시 처리하는 것과 함께 향후 확장성을 가능하게 합니다.
삼성의 10 nm급 공정과 EUV 기술을 적용하여 16
Gb에서 32 Gb로 메모리 밀도를 상승시켜 업계 최대
용량의 512 GB DDR5 메모리 모듈을 개발했습니다. 두
배 늘어난 용량은 대규모 작업량을 유연하게 동시
처리하는 것과 함께 향후 확장성을 가능하게 합니다.
'최대 512 GB, 2X 용량'이란 글과 함께 데이터 센터에 삼성 DDR5 칩과 다양한 애플리케이션 형태가 떠있는 이미지

자가 수정 솔루션에 기반한
견고한 신뢰성
자가 수정 솔루션에 기반한 견고한 신뢰성
자가 수정
솔루션에 기반한
견고한 신뢰성

DDR5에 적용된 ODECC(on-die error correction code) 기술은 안정적인 데이터 신뢰성을 유지하며,
DDR5의 강력한 성능을 충분히 활용할 수 있도록 합니다. 빅 데이터 환경에서도 신뢰성 제고를 위해 1 비트의 오류까지 자가
보정합니다.
DDR5에 적용된 ODECC(on-die error correction code) 기술은 안정적인 데이터 신뢰성을 유지하며, DDR5의 강력한 성능을 충분히 활용할 수 있도록 합니다. 빅 데이터 환경에서도 신뢰성 제고를 위해 1 비트의 오류까지 자가 보정합니다.
DDR5에 적용된 ODECC(on-die error correction
code) 기술은 안정적인 데이터 신뢰성을 유지하며,
DDR5의 강력한 성능을 충분히 활용할 수 있도록 합니다.
빅 데이터 환경에서도 신뢰성 제고를 위해 1 비트의
오류까지 자가 보정합니다.
'Non ODECC, ODECC'란 글과 데이터 상징 이미지에 삼성 DDR5 칩이 교차하는 이미지

환경을 위한 저전력 설계
환경을 위한 저전력 설계
환경을 위한
저전력 설계

성능 개선과 전력 감소를 통해 DDR4 대비 30 % 높은 전력 효율성을 확보했습니다.
데이터 센터의 DDR4를 DDR5로 교체하면 연간 최대 1TWh의 전력이 절감됩니다.
또한 DDR5의 On-DIMM PMIC는 전력 관리 효율성과 공급 안정성을 더욱 향상시킵니다.
이것은 우리 환경을 위한 지속 가능한 선택입니다.
성능 개선과 전력 감소를 통해 DDR4 대비 30 % 높은 전력 효율성을 확보했습니다. 데이터 센터의 DDR4를 DDR5로 교체하면 연간 최대 1TWh의 전력이 절감됩니다. 또한 DDR5의 On-DIMM PMIC는 전력 관리 효율성과 공급 안정성을 더욱 향상시킵니다. 이것은 우리 환경을 위한 지속 가능한 선택입니다.
성능 개선과 전력 감소를 통해 DDR4 대비 30 % 높은
전력 효율성을 확보했습니다. 데이터 센터의 DDR4를
DDR5로 교체하면 연간 최대 1TWh의 전력이
절감됩니다. 또한 DDR5의 On-DIMM PMIC는 전력
관리 효율성과 공급 안정성을 더욱 향상시킵니다. 이것은
우리 환경을 위한 지속 가능한 선택입니다.
지구의 나무, 산과 '최대 전력 효율 30 %'란 글이 함께 있는 이미지

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