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  • 다양한 솔루션을 위한
    강력한 성능
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    DDR4의 전면 및 후면 모습

고성능, 고신뢰성, 저전력소비의 DDR4
고성능, 고신뢰성, 저전력소비의 DDR4
고성능, 고신뢰성, 저전력소비의 DDR4

엔터프라이즈 서버부터 PC, 태블릿까지 다양한 애플리케이션을 위한 강력한 성능과 저전력 라인업을 제공합니다. 엔터프라이즈 서버부터 PC, 태블릿까지 다양한 애플리케이션을 위한 강력한 성능과 저전력 라인업을 제공합니다. 엔터프라이즈 서버부터 PC, 태블릿까지 다양한 애플리케이션을 위한 강력한 성능과 저전력 라인업을 제공합니다.

탁월한 성능
탁월한 성능
탁월한 성능

최대 3,200 Mbps까지 대역폭 증가
최대 3,200 Mbps까지 대역폭 증가
최대 3,200 Mbps까지 대역폭 증가
DDR4는 4개의 뱅크 그룹 (총 16개 뱅크) 구조를 채택하여 메모리 액세스
가용성을 증가시키고 최대 3,200 Mbps, 1 TB/s의 시스템 메모리 대역폭
속도를 제공합니다. 이를 통해 더욱 향상된 속도로 대규모 작업량을 손쉽게
처리할 수 있습니다.
DDR4는 4개의 뱅크 그룹 (총 16개 뱅크) 구조를 채택하여 메모리 액세스 가용성을 증가시키고 최대 3,200 Mbps, 1 TB/s의 시스템 메모리 대역폭 속도를 제공합니다. 이를 통해 더욱 향상된 속도로 대규모 작업량을 손쉽게 처리할 수 있습니다.
DDR4는 4개의 뱅크 그룹 (총 16개 뱅크) 구조를 채택하여 메모리 액세스 가용성을 증가시키고 최대 3,200 Mbps, 1 TB/s의 시스템 메모리 대역폭 속도를 제공합니다. 이를 통해 더욱 향상된 속도로 대규모 작업량을 손쉽게 처리할 수 있습니다.
DDR3 대비 대역폭이 증가한 DDR4를에 대해 설명하는 인포그래픽. DDR4의 대역폭이 DDR3-1600 Mbps보다 2배(DDR4-3200 Mbps) 증가했습니다.

저전력 고효율
저전력 고효율
저전력 고효율

첨단 공정 기술 적용
코어 및 전원 전력 감소
첨단 공정 기술 적용 코어 및 전원 전력 감소
첨단 공정 기술 적용 코어 및 전원 전력 감소
업계 최초 1x nm 공정기술을 적용하여 저전력, 고성능을 구현, TCO를
감소시켰습니다. 1.2 V의 낮은 동작 전압 및 POD (Pseudo Open Drain)
인터페이스를 통해 25 % 적은 에너지를 사용하여 전력 소비를 줄일 수
있습니다.
업계 최초 1x nm 공정기술을 적용하여 저전력, 고성능을 구현, TCO를 감소시켰습니다. 1.2 V의 낮은 동작 전압 및 POD (Pseudo Open Drain) 인터페이스를 통해 25 % 적은 에너지를 사용하여 전력 소비를 줄일 수 있습니다.
업계 최초 1x nm 공정기술을 적용하여 저전력, 고성능을 구현, TCO를 감소시켰습니다. 1.2 V의 낮은 동작 전압 및 POD (Pseudo Open Drain) 인터페이스를 통해 25 % 적은 에너지를 사용하여 전력 소비를 줄일 수 있습니다.
전력 소비 25 % 절감에 관해 설명하는 인포그래픽

향상된 신뢰성
향상된 신뢰성
향상된 신뢰성

안전한 CRC 전송 시스템
오류 방지를 위한 패리티 비트
안전한 CRC 전송 시스템 오류 방지를 위한 패리티 비트
안전한 CRC 전송 시스템 오류 방지를 위한 패리티 비트
데이터 센터가 많은 트래픽을 처리함에 따라 시스템 신뢰성이 더욱 중요해지고
있습니다. DDR4의 멀티 비트 오류를 인식하는 Write CRC 및 시스템 오작동
방지를 위한 CMD/ADD 패리티 검사를 통해 우수한 데이터 전송을
보장합니다.
데이터 센터가 많은 트래픽을 처리함에 따라 시스템 신뢰성이 더욱 중요해지고 있습니다. DDR4의 멀티 비트 오류를 인식하는 Write CRC 및 시스템 오작동 방지를 위한 CMD/ADD 패리티 검사를 통해 우수한 데이터 전송을 보장합니다.
데이터 센터가 많은 트래픽을 처리함에 따라 시스템 신뢰성이 더욱 중요해지고 있습니다. DDR4의 멀티 비트 오류를 인식하는 Write CRC 및 시스템 오작동 방지를 위한 CMD/ADD 패리티 검사를 통해 우수한 데이터 전송을 보장합니다.
CMD/ADD용 Write CRC 및 패리티로 갖춘 높은 신뢰성을 설명하는 인포그래픽

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삼성전자는 별도의 고지 없이 언제든지 제품 이미지와 사양을 변경할 권리를 보유하고 있습니다.

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FAQs

  • DDR4는 DDR3의 대체재로써 더 우수한 성능과 더 빠른 속도 그리고 더 높은 신뢰성을 지니고 있습니다. DDR4 모듈, 즉 DIMM은 DDR3 DIMM과 매우 유사합니다. 다만 DDR3의 핀 개수는 240개인 데 반해 DDR4는 288개이며, DDR3 SO-DIMMS의 핀 개수는 204개인데 반해 DDR4 SO-DIMMS의 핀 개수는 260개입니다. DDR4의 키 노치는 다른 위치에 있고, 엣지 커넥터는 삽입을 용이하게 하기 위해 살짝 구부러진 ‘V’자 모양처럼 생겼습니다. 이러한 디자인으로 인해 모듈 삽입 중에 모든 핀이 동시에 맞물리지 않게 되므로 삽입력 또한 낮아집니다. DDR3는 1.5V 또는 1.35V에서 작동하는 데 반해 DDR4 모듈은 1.2V에서만 작동하여 에너지 효율성이 더 높습니다. 소비 전력이 감소함으로써 소비 전력이 상당히 절감되며 전력을 더 많이 소비하거나 냉각에 대한 요건을 높이지 않으면서 더 빠른 속도로 작동할 수 있게 됩니다. DIMM의 용량은 2GB에서 시작하여 최대 128GB에 이르며 이는 DDR3의 용량이 512MB~32GB인 것에 비해 크게 향상된 것입니다. 임베디드 애플리케이션 및 산업용 애플리케이션용으로 사용하는 최신 DDR4 모듈은 최대 3200 MT/s의 고속 데이터 전송을 지원합니다. ATP의 최신 산업용 DDR4인 DDR4-3200은 출시된 가장 빠른 DDR3 버전 중 하나인 DDR3-1866보다 약 70% 더 빠르게 데이터를 전송하여, 이론상으로 최대 성능을 크게 향상시킵니다.
  • DDR3와 DDR4는 상호 호환되지 않습니다. 입력 전압, 핀 개수 등과 같은 소켓이 서로 물리적으로 다릅니다.
  • 기본적으로 DDR3는 거의 모든 마더보드 및 해당 소켓과 호환되지만, DDR4는 Intel의 X99 칩셋 및 LGA 2011 프로세서 소켓에만 호환됩니다.

DDR4의 응용처