이정배 사장은 삼성전자 DRAM 설계팀에 합류하여, DRAM 기술 전문가로 DDR, DDR2, DDR3, GDDR, LPDDR2, LPDDR3 등 다양한 DRAM 제품 개발에 참여했습니다.

2011년에는 DRAM 기술 발전 공로를 인정받아 DRAM설계를 총괄하는 설계팀장으로 승진했습니다.

2013년부터 2017년까지 상품기획팀장으로 재직하는 동안 뛰어난 비즈니스 통찰력을 발휘하여, 3D-NAND 및 HBM(고 대역폭 메모리)과 같은

삼성전자의 최첨단기술을 전략적으로 제품화하고, 시장에 안착시키는 데에 중요한 역할을 담당했습니다.

그 외에도 메모리 사업부 품질보증실장 및 DRAM개발실장을 역임한 후 메모리 사업부 사장 겸 총괄 책임자로 승진하여 메모리 사업부를 이끌고 있습니다.

서울대학교 전자공학과 학사, 석사, 박사

2014년 삼성전자 차세대제품개발팀 부사장으로 입사한 이후 터치 컨트롤러 IC 및 웨어러블 바이오 프로세서 분야 등 차세대 제품 개발을 총괄하고 있으며, 2015년부터 2018년까지 디스플레이 솔루션, 전력관리 IC, 보안 솔루션과 이미지 센서 등 LSI 제품 연구개발을 주도했습니다.

2019년에는 센서사업팀 부사장을 역임하면서 1억 8백만 화소 CMOS 이미지 센서 최초 개발과 같은 고급 픽셀 기술과 고해상도 센서 연구개발 및 상용화를 이끌었고, 2020년에는 부사장 겸 전략마케팅실장을 맡아 시스템 LSI 사업부 전반의 사업 전략을 공고히 다졌습니다.

박용인 사장은 다양하고 혁신적인 솔루션 개발을 통해 삼성전자의 시스템 LSI 비즈니스의 성장을 이끌고 있습니다.

동부하이텍 대표이사 사장 (2007~2014)
텍사스 인스트루먼트 핵심 기술 관리자 (1999~2007)
LG 반도체 아날로그 그룹장 (1987~1999)
연세대 전자공학 학사(1987), 석사(1993)

최시영 사장은 1995년 삼성전자 입사 이후, 메모리 및 로직 IC 전반에 걸친 차세대 공정 기술 개발에 중추적인 역할을 담당하며 반도체 시장 내 삼성전자의 입지를 공고히 다졌습니다. 그의 리더십 아래 삼성전자는 업계 최초로 14 nm 및 10 nm FinFET 공정 기술을 기반으로 한 SoC를 성공적으로 출시했습니다.

파운드리 사업부 사장이 되기 전에는 2017년부터 제조 기술 센터장을 맡아 세계 최대 반도체 제조 클러스터 구축을 성공적으로 이끌었습니다. 또한, 팹 운영의 효율성을 대폭 강화하고 기술 경쟁력을 극대화하기 위해 제조 시스템 혁신을 주도했습니다.

반도체 사업의 핵심보직을 경험하면서 반도체 전제품에 대한 공정 개발과 제조 부문을 이끌어 온 공정 제조 전문가로, 현재는 파운드리 사업부 사장 겸 총괄 책임자로 승진하여 파운드리 사업을 이끌고 있습니다.

그는 100개 이상의 학술지에 기술 논문을 게재했으며 100개가 넘는 미국 특허를 보유하고 있습니다. 또한, VLSI, ITRS 및 IMEC를 포함한 숫자 기술 위원회의 위원으로 활동하고 있습니다.

연세대학교 재료공학과 학사(1986) 및 석사(1988)
오하이오 주립대학교 재료공학과 박사(1994)