本文へ移動

トレンチ(Trench)工法

  • 共有
トレンチ工法 [Trench method] 半導体チップの平面を下に掘り出して作った空間にセルを配置して集積度を高める技術。 半導体の容量が大きくなるにつれて、半導体チップの平面にのみセルを集積させる方法が物理的な限界に達し、その結果として生まれた方法である。 セルを上に積み上げて集積度を高める「スタック(stack)工法」と、セルを下に掘り下げて集積度を高める「トレンチ(trench)工法」がある。 ウェハ表面を下に掘って地下層を作り、より多くのセルを集積するトレンチ工法は比較的安全で、小さいチップを作ることができる。 しかし、スタック工法に比べてプロセスが複雑で経済性が劣り、製品不良が発生した時に内部回路を確認しづらいので問題の解決が難しい。
스택,트렌치 공법
스택,트렌치 공법
Related contents
関連コンテンツ