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専門的な設計と

ファウンドリ
ソリューションの提供

サムスンファウンドリ:
事業内容

サムスンは、2005年からファウンドリ事業を
展開
しており、
様々な市場に最先端技術を
提供
しています。
サムスンファウンドリは、
革新的な
半導体製造分野において
数十年以上の
経験を
有しています。最先端のファウンドリ


企業として、全世界の顧客と協力し、
革新的
な技術を
開発するため、弛まず努力し
ています。
高度な工程技術と
共にファウンドリ
ライブラリ、
PDK(工程設計キット)、

DM(設計方法論)、
設計サービスからIP
(知的
財産権)支援、
パッケージング技術、
クラウド
サービスに
至るまで、多様な付加価値

ソリューションを
提供しています。
また、大量生産に
裏付けられた
高度な
工程及び設計技術の専門性に
高い信頼をお

寄せいただいています。

日々重要性を増している


サムスンファウンドリの役割

システム半導体は、5G、自動運転車、人工知能、ハイパフォーマンスコンピューティングなどのインダストリー4.0テクノロジーを支えています。データコンピューティングの高速化とデータ量の増加に伴い、高効率かつハイパフォーマンスシステム半導体に対するニーズが急増しています。同時に、アプリケーションが多様化し、様々な仕様の半導体に対するファブレス顧客のニーズも増えています。ファウンドリ産業は、未来の半導体において欠かせない分野となっており、システム半導体を製造するためのファブを探しているファブレス顧客のニーズが爆発的に増えています。ファウンドリは、膨大な投資を必要とする超高度なテクノロジーを開発、改善、拡張する必要があるため、このようなニーズに対応できる半導体メーカーは世界でも限られています。

サムスンファウンドリの成果

テクノロジーの最前線でリーダーシップを発揮するには、弛まないイノベーションが必要です。サムスンファウンドリは、2012年の平面28ナノから業界初の3ナノGAA(Gate-All-Around)に至るまで、パフォーマンス、効率性及び面積の向上を継続的に実現してまいりました。また、7ナノノードから極紫外線(EUV)技術をいち早く採用し、ファウンドリ業界をリードしました。2022年には、3ナノにおいてMBCFETTM(Multi-Bridge-Channel FETTM)技術を通じてGAAの最適化を強化しています。また、RF、eMRAM、高電圧、BCD、BSI CIS、SPAD、指紋センサーなどの特殊技術も提供しています。サムスンファウンドリは、SAFETM(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)パートナーと共に、検証済みのEDAソリューション及び製品IP、優れた設計、パッケージ、テストサービスを提供しています。

サムスンファウンドリの見通し

テキサス州テイラー(Taylor)に
新しいファブ
(fab)
を建設し、
米国内の半導体製造基盤を

(2007年~)
さらに
拡大する大規模投資が順調に
進んでいます。

サムスンファウンドリは、最先

技術とグローバルな
ファブの拠点を活かし、
顧客
が最新のアイデアを
開発して
市場に
届けられるように支援しています。