イ・ジョンベ社長は、サムスン電子のDRAM設計チームに合流し、DRAM技術の専門家としてDDR、DDR2、DDR3、GDDR、LPDDR2、LPDDR3など多様なDRAM製品の開発に参加してきました。

2011年にはDRAM技術発展の功績が認められ、DRAM設計を統括する設計チーム長に昇進しました。

2013年から2017年まで商品企画チーム長および先任副社長として在職する間、優れたビジネス洞察力を発揮し、3D-NAND、HBM(高帯域幅

メモリー)といったサムスン電子の最先端技術を戦略的に製品化し、市場に定着させる上で重要な役割を果たしました。

その他にも、メモリー事業部の品質保証室長およびDRAM開発室長を歴任した後、メモリー事業部の社長兼総括責任者に昇進してメモリー事業部をリードしています。

ソウル大学校 電子工学科学士、修士、博士

2014年にサムスン電子次世代製品開発チームの副社長として入社後、タッチコントローラIC及びウェアラブル機器用バイオプロセッサ分野など次世代製品の開発を総括しており、2015年から2018年までディスプレイソリューション、電力管理IC、セキュリティソリューションとイメージセンサーなどLSI製品の研究開発をリードしてきました。

2019年にはセンサー事業チームの副社長を歴任し、1億800万画素CMOSイメージセンサーの初開発のような高度ピクセル技術や高解像度センサーの研究開発、商用化を導き、2020年には副社長兼戦略マーケティング室長を務め、システムLSI事業部全般の事業戦略を強固なものへと整えてきました。

MR. Park(パク・ヨンイン)社長は、多彩で革新的なソリューションの開発を通して、サムスン電子のシステムLSIビジネスの成長を導いています。

東部ハイテック代表取締役社長(2007年~2014年)
テキサス・インスツルメンツ核心技術管理者(1999年~2007年)
LG半導体アナロググループ長(1987年~1999年)
延世大学電子工学 学士号（1987年）・修士号（1993年）

チェ・シヨン社長は、1995年サムスン電子に入社後、メモリーおよびロジックIC全般の次世代プロセス技術の開発において中心的役割を果たし、半導体市場におけるサムスン電子の地位を確固たるものにしました。 彼のリーダーシップのもと、サムスン電子は業界で初めて14nmと10nm FinFETプロセス技術を基盤とするSoCの発売に成功しました。

ファウンドリー事業部社長に就任する前は、2017年から製造技術センター長を務め、世界最大の半導体製造クラスターの構築に尽力しました。 また、ファブ運営の効率化に取り組み、技術競争力を高めるために製造システムの革新を主導してきました。 数々の要職を経験したのち、半導体製品全般に対するプロセス開発と

製造部門をリードしてきたプロセス製造の専門家として、現在はファウンドリー事業部社長兼総括責任者に昇進し、ファウンドリー事業をリードしています。

彼は100冊以上の学術誌に技術論文を掲載し、100件以上の米国特許を保有しています。 さらに、VLSI、ITSおよびIMECを含む複数の技術委員会の委員としても活動しています。

延世大学校 材料工学科学士(1986年) 修士(1988年)
オハイオ州立大学 材料工学科博士(1994年)