Gen4 SSDの最高峰へ

PCIe® 4.0の最大パフォーマンスに到達したスピードを体験してください。 自社製SSDコントローラーによるスマートな熱制御は、最高の電力効率で速度とパフォーマンスを維持しながら、常に快適なゲーム環境を提供します。

* PCIe 4.0 の理論上の最大シーケンシャル読み出し速度は 8,000 MB/秒です。2022年 第3四半期の時点で 990 PRO は 7,450 MB/秒に達しています。

Samsung Semiconductor 990 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 V-NAND SSD

* PCIe 4.0 の理論上の最大シーケンシャル読み出し速度は 8,000 MB/秒です。2022年 第3四半期の時点で 990 PRO は 7,450 MB/秒に達しています。

大幅なスピードアップ

990 PROは、最大 7450/6900 MB/秒のシーケンシャル読み出し/書き込み速度で、PCIe® 4.0 の最大パフォーマンスに近い速度に達します。また、ランダム読み出し/書き込み速度は、980 PROよりも40%/55%高速な最大 1400K/1550K IOPSを実現し、ゲーム、ビデオおよび 3D 編集、データ分析などで効果を発揮します。

* シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンスは、Intelligent TurboWrite テクノロジを有効にして測定されました。 Intelligent TurboWrite は、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作します。パフォーマンスは、SSD のファームウェア、システムのハードウェアと構成、およびその他の要因によって異なる場合があります。詳細については、お近くのサービスセンターにお問い合わせください。


* テストシステム構成: AMD Ryzen 7 5800X 8 コア プロセッサ CPU@3.80GHz、DDR4 3600MHz 16GBx2 (PC4-25600 オーバークロック)、OS - Windows 10 Pro 64 ビット、チップセット - ASRock-X570 Taichi。


* 990 PRO のパフォーマンスを最大限に引き出すには、お使いのシステムがPCIe®4.0 をサポートしているかご確認ください。


*4TBは2023年発売予定。

Samsung Semiconductor 990 PRO's read/write speeds is up to 7450/6900 MB/s reach near max performance of PCIe® 4.0

* シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンスは、Intelligent TurboWrite テクノロジを有効にして測定されました。 Intelligent TurboWrite は、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作します。パフォーマンスは、SSD のファームウェア、システムのハードウェアと構成、およびその他の要因によって異なる場合があります。詳細については、お近くのサービスセンターにお問い合わせください。


* テストシステム構成: AMD Ryzen 7 5800X 8 コア プロセッサ CPU@3.80GHz、DDR4 3600MHz 16GBx2 (PC4-25600 オーバークロック)、OS - Windows 10 Pro 64 ビット、チップセット - ASRock-X570 Taichi。


* 990 PRO のパフォーマンスを最大限に引き出すには、お使いのシステムがPCIe®4.0 をサポートしているかご確認ください。


*4TBは2023年発売予定。

驚異的な電力効率

通常、パフォーマンスが高いほどより多くの電力を消費しますが、990 PRO は電力効率が高く、980 PRO よりも 1 ワットあたりのパフォーマンスが 50% 以上向上しています。 この低電力設計により、最適な電力効率で最大の PCIe®4.0 パフォーマンスが可能になります。

* 1ワットあたりのシーケンシャル読み出し/書き込み速度 : 980 PRO - 1,129/877 MB、990 PRO - 1380/1319 MB (1TB モデルの内部テスト結果に基づく)

Samsung Semiconductor 990 PRO uses less power with over 50% improved performance per Watt over 980 PRO.

* 1ワットあたりのシーケンシャル読み出し/書き込み速度 : 980 PRO - 1,129/877 MB、990 PRO - 1380/1319 MB (1TB モデルの内部テスト結果に基づく)

熱を超越するスピード

ニッケルコーティングされたコントローラーと最先端の熱制御アルゴリズムが熱を管理し、揺るぎないパフォーマンスを実現します。
基板裏面のヒートスプレッダーラベルが NANDチップの熱を制御し、Dynamic Thermal Guard が温度を最適に保ちます。

This is an enlarged image showing the inside of the structure of the 990 PRO with heatsink product.

最高のゲーム体験

ランダムパフォーマンスが 40% 以上向上したことで、PS5 および DirectStorage対応のPC ゲームでの高速ロードが可能となり、究極のゲーミングリアリズムが実現します。

* “PS5”は、株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメントの登録商標または商標です。


* Microsoftの DirectStorage テクノロジは、最新の NVMe SSD の数GB/秒の速度を活用することで、以前よりも高速にゲームをロードします。


* Samsung 980 PROとの比較に基づきます。

Samsung Semiconductor 990 PRO boosts random performance by over 55%, enabling faster loading for gaming.

* “PS5”は、株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメントの登録商標または商標です。


* Microsoftの DirectStorage テクノロジは、最新の NVMe SSD の数GB/秒の速度を活用することで、以前よりも高速にゲームをロードします。


* Samsung 980 PROとの比較に基づきます。

Samsung Magician
ソフトウェア

990 PRO の性能を最大限引き出します。
Samsung Magicianソフトウェアのユーザーフレンドリーな最適化ツールは、常に最高のSSDパフォーマンスを実現します。
大切なデータを保護し、ドライブの状態を監視し、重要な更新を取得します。

This image shows the performance of Samsung Magician software.

世界 No.1
のフラッシュメモリブランド

Samsungは、SSDの主要構成部品であるNANDフラッシュメモリ市場で、2003 年以降、世界 No.1 の地位を維持しているブランドです。ワールドワイドの市場で培われた優れたパフォーマンスと信頼性を兼ね備えたSamsung SSDを是非ご体感ください。

出典 : 2003~2021年OMDIAデータ - NANDサプライヤ売上金額シェア

Images with the World's No.1 Flash Memory mark.

* 出典 : 2003~2021年OMDIAデータ - NANDサプライヤ売上金額シェア

Specifications

  • Form Factor
    M.2
  • Capacity
    1TB, 2TB
  • Sequential Read Speed
    Up to 7,450 MB/s
  • Sequential Write Speed
    Up to 6,900 MB/s

MORE SPECS

Model Code (Capacity)1)

  • MZ-V9P1T0BW (1TB)

  • MZ-V9P2T0BW (2TB)

General Feature

  • Application

    Client PCs, Game Consoles

  • FORM FACTOR

    M.2 (2280)

  • INTERFACE

    PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

  • DIMENSION (WxHxD)

    80 x 22 x 2.3 mm

  • WEIGHT

    Max 9.0 g Weight

  • STORAGE MEMORY

    Samsung V-NAND 3-bit MLC

  • CONTROLLER

    Samsung in-house Controller

  • CACHE MEMORY

    Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM (1TB)
    Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM(2TB)

Special Feature

  • TRIM Support

    Supported

  • S.M.A.R.T Support

    Supported

  • GC (GARBAGE COLLECTION)

    Auto Garbage Collection Algorithm

  • ENCRYPTION SUPPORT

    AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal
    IEEE1667 (Encrypted drive)

  • WWN SUPPORT

    Not supported

  • DEVICE SLEEP MODE SUPPORT

    Yes

Performance2)

  • SEQUENTIAL READ

    1TB: Up to 7,450 MB/s
    2TB: Up to 7,450 MB/s

  • SEQUENTIAL WRITE

    1TB: Up to 6,900 MB/s
    2TB: Up to 6,900 MB/s

  • RANDOM READ (4KB, QD32)

    1TB: Up to 1,200,000 IOPS
    2TB: Up to 1,400,000 IOPS

  • RANDOM WRITE (4KB, QD32)

    1TB: Up to 1,550,000 IOPS
    2TB: Up to 1,550,000 IOPS

  • RANDOM READ (4KB, QD1)

    1TB: Up to 22,000 IOPS
    2TB: Up to 22,000 IOPS

  • RANDOM WRITE (4KB, QD1)

    1TB: Up to 80,000 IOPS
    2TB: Up to 80,000 IOPS

Environment

  • AVERAGE POWER CONSUMPTION
    (System Level)3)

    1TB: Average 5.4 W Maximum 7.8 W (Burst mode)
    2TB: Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)

  • POWER CONSUMPTION (IDLE)3)

    1TB: Max. 50 mW
    2TB: Max. 55 mW

  • POWER CONSUMPTION (DEVICE SLEEP)

    1TB: Max. 5 mW
    2TB: Max. 5 mW

  • ALLOWABLE VOLTAGE

    3.3 V ± 5 % Allowable voltage

  • RELIABILITY (MTBF)

    1.5 Million Hours Reliability (MTBF)

  • OPERATING TEMPERATURE

    0 - 70 ℃ Operating Temperature

  • Shock

    1,500 G & 0.5 ms (Half sine)

Accessories

  • INSTALLATION KIT

    Not Available

Software

Warranty6)

  • MZ-V9P1T0BW (1TB)

    5-Year Limited Warranty or 600 TBW Limited Warranty

  • MZ-V9P2T0BW (2TB)

    5-Year Limited Warranty or 1200 TBW Limited Warranty

  • 1) Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise)
  • 2) Performance may vary based on system hardware & configuration
  • 3) Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration