Gen4 SSDの最高峰へ

PCIe® 4.0の最大パフォーマンスに到達したスピードを体験してください。 自社製SSDコントローラーによるスマートな熱制御は、最高の電力効率で速度とパフォーマンスを維持しながら、常に快適なゲーム環境を提供します。

* PCIe 4.0 の理論上の最大シーケンシャル読み出し速度は 8,000 MB/秒です。2022年　第3四半期の時点で 990 PRO は 7,450 MB/秒に達しています。

Samsung Semiconductor 990 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 V-NAND SSD

* PCIe 4.0 の理論上の最大シーケンシャル読み出し速度は 8,000 MB/秒です。2022年　第3四半期の時点で 990 PRO は 7,450 MB/秒に達しています。

大幅なスピードアップ

990 PROは、最大 7450/6900 MB/秒のシーケンシャル読み出し/書き込み速度で、PCIe® 4.0 の最大パフォーマンスに近い速度に達します。また、ランダム読み出し/書き込み速度は、980 PROよりも40％/55％高速な最大 1400K/1550K IOPSを実現し、ゲーム、ビデオおよび 3D 編集、データ分析などで効果を発揮します。

* シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンスは、Intelligent TurboWrite テクノロジを有効にして測定されました。 Intelligent TurboWrite は、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作します。
パフォーマンスは、SSD のファームウェア、システムのハードウェアと構成、およびその他の要因によって異なる場合があります。
詳細については、お近くのサービスセンターにお問い合わせください。


* テストシステム構成: AMD Ryzen 7 5800X 8 コア プロセッサ CPU@3.80GHz、DDR4 3600MHz 16GBx2 (PC4-25600 オーバークロック)、
OS - Windows 10 Pro 64 ビット、チップセット - ASRock-X570 Taichi。


* 990 PRO のパフォーマンスを最大限に引き出すには、お使いのシステムがPCIe®4.0 をサポートしているかご確認ください。


*4TBは2023年発売予定。

Samsung Semiconductor 990 PRO's read/write speeds is up to 7450/6900 MB/s reach near max performance of PCIe® 4.0

* シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンスは、Intelligent TurboWrite テクノロジを有効にして測定されました。 Intelligent TurboWrite は、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作します。パフォーマンスは、SSD のファームウェア、システムのハードウェアと構成、およびその他の要因によって異なる場合があります。詳細については、お近くのサービスセンターにお問い合わせください。


* テストシステム構成: AMD Ryzen 7 5800X 8 コア プロセッサ CPU@3.80GHz、DDR4 3600MHz 16GBx2 (PC4-25600 オーバークロック)、OS - Windows 10 Pro 64 ビット、チップセット - ASRock-X570 Taichi。


* 990 PRO のパフォーマンスを最大限に引き出すには、お使いのシステムがPCIe®4.0 をサポートしているかご確認ください。


*4TBは2023年発売予定。

驚異的な電力効率

通常、パフォーマンスが高いほどより多くの電力を消費しますが、990 PRO は電力効率が高く、980 PRO よりも 1 ワットあたりのパフォーマンスが 50% 以上向上しています。 この低電力設計により、最適な電力効率で最大の PCIe®4.0 パフォーマンスが可能になります。

* 1ワットあたりのシーケンシャル読み出し/書き込み速度 : 980 PRO - 1,129/877 MB、990 PRO - 1380/1319 MB (1TB モデルの内部テスト結果に基づく)

Samsung Semiconductor 990 PRO uses less power with over 50% improved performance per Watt over 980 PRO.

* 1ワットあたりのシーケンシャル読み出し/書き込み速度 : 980 PRO - 1,129/877 MB、990 PRO - 1380/1319 MB (1TB モデルの内部テスト結果に基づく)

熱を超越する
スピード

ニッケルコーティングされた
コントローラーと最先端の熱制御アルゴリズムが熱を管理し、
揺るぎないパフォーマンスを実現します。
基板裏面のヒートスプレッダーラベルが NANDチップの熱を制御し、Dynamic Thermal Guard が温度を最適に保ちます。

This is an enlarged image showing the inside of the structure of the 990 PRO with heatsink product.

最高のゲーム体験

ランダムパフォーマンスが 40% 以上向上したことで、PS5 および DirectStorage対応のPC ゲームでの高速ロードが可能となり、究極のゲーミングリアリズムが実現します。

* “PS5”は、株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメントの登録商標または商標です。


* Microsoftの DirectStorage テクノロジは、最新の NVMe SSD の数GB/秒の速度を活用することで、以前よりも高速にゲームをロードします。


* Samsung 980 PROとの比較に基づきます。

Samsung Semiconductor 990 PRO boosts random performance by over 55%, enabling faster loading for gaming.

* “PS5”は、株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメントの登録商標または商標です。


* Microsoftの DirectStorage テクノロジは、最新の NVMe SSD の数GB/秒の速度を活用することで、以前よりも高速にゲームをロードします。


* Samsung 980 PROとの比較に基づきます。

Samsung Magician
ソフトウェア

990 PRO の性能を最大限引き出します。
Samsung Magicianソフトウェアのユーザーフレンドリーな最適化ツールは、常に最高のSSDパフォーマンスを実現します。
大切なデータを保護し、ドライブの状態を監視し、重要な更新を取得します。

もっと見る
This image shows the performance of Samsung Magician software.

世界 No.1
のフラッシュメモリブランド

Samsungは、SSDの主要構成部品であるNANDフラッシュメモリ市場で、2003 年以降、世界 No.1 の地位を維持しているブランドです。ワールドワイドの市場で培われた優れたパフォーマンスと信頼性を兼ね備えたSamsung SSDを是非ご体感ください。

出典 : 2003～2021年OMDIAデータ - NANDサプライヤ売上金額シェア

Images with the World's No.1 Flash Memory mark.

* 出典 : 2003～2021年OMDIAデータ - NANDサプライヤ売上金額シェア

Specifications

  • Form Factor
    M.2
  • Capacity
    1TB, 2TB
  • Sequential Read Speed
    Up to 7,450 MB/s
  • Sequential Write Speed
    Up to 6,900 MB/s

MORE SPECS

Model Code (Capacity)1)

  • MZ-V9P1T0BW (1TB)

  • MZ-V9P2T0BW (2TB)

General Feature

  • Application

    Client PCs, Game Consoles

  • FORM FACTOR

    M.2 (2280)

  • INTERFACE

    PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

  • DIMENSION (WxHxD)

    80 x 22 x 2.3 mm

  • WEIGHT

    Max 9.0 g Weight

  • STORAGE MEMORY

    Samsung V-NAND 3-bit MLC

  • CONTROLLER

    Samsung in-house Controller

  • CACHE MEMORY

    Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM (1TB)
    Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM(2TB)

Special Feature

  • TRIM Support

    Supported

  • S.M.A.R.T Support

    Supported

  • GC (GARBAGE COLLECTION)

    Auto Garbage Collection Algorithm

  • ENCRYPTION SUPPORT

    AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal
    IEEE1667 (Encrypted drive)

  • WWN SUPPORT

    Not supported

  • DEVICE SLEEP MODE SUPPORT

    Yes

Performance2)

  • SEQUENTIAL READ

    1TB: Up to 7,450 MB/s
    2TB: Up to 7,450 MB/s

  • SEQUENTIAL WRITE

    1TB: Up to 6,900 MB/s
    2TB: Up to 6,900 MB/s

  • RANDOM READ (4KB, QD32)

    1TB: Up to 1,200,000 IOPS
    2TB: Up to 1,400,000 IOPS

  • RANDOM WRITE (4KB, QD32)

    1TB: Up to 1,550,000 IOPS
    2TB: Up to 1,550,000 IOPS

  • RANDOM READ (4KB, QD1)

    1TB: Up to 22,000 IOPS
    2TB: Up to 22,000 IOPS

  • RANDOM WRITE (4KB, QD1)

    1TB: Up to 80,000 IOPS
    2TB: Up to 80,000 IOPS

Environment

  • AVERAGE POWER CONSUMPTION
    (System Level)3)

    1TB: Average 5.4 W Maximum 7.8 W (Burst mode)
    2TB: Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)

  • POWER CONSUMPTION (IDLE)3)

    1TB: Max. 50 mW
    2TB: Max. 55 mW

  • POWER CONSUMPTION (DEVICE SLEEP)

    1TB: Max. 5 mW
    2TB: Max. 5 mW

  • ALLOWABLE VOLTAGE

    3.3 V ± 5 % Allowable voltage

  • RELIABILITY (MTBF)

    1.5 Million Hours Reliability (MTBF)

  • OPERATING TEMPERATURE

    0 - 70 ℃ Operating Temperature

  • Shock

    1,500 G & 0.5 ms (Half sine)

Accessories

  • INSTALLATION KIT

    Not Available

Software

Warranty6)

  • MZ-V9P1T0BW (1TB)

    5-Year Limited Warranty or 600 TBW Limited Warranty

  • MZ-V9P2T0BW (2TB)

    5-Year Limited Warranty or 1200 TBW Limited Warranty

  • 1) Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise)
  • 2) Performance may vary based on system hardware & configuration
  • 3) Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration