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TSV (Through Silicon Via)

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TSV [Through Silicon Via、シリコン貫通電極] 従来のワイヤーを用いてチップを接続する代わりに、チップに小さな穴を開けて上下のチップを電極で接続するDRAMチップを普通紙の厚さの半分より薄く削った後、微細な穴を開けてチップの上下の穴を電極で接続するパッケージング技術である。 TSVは、メモリーチップを積層して大容量を実現する技術で、従来のワイヤー(金線)でチップを接続するワイヤーボンディング(Wire Bonding)技術に比べて、速度と消費電力を大きく改善できるのが特徴である。 サムスン電子は、2010年に世界で初めてTSV技術を用いたDRAMモジュールを開発し、2014年8月には世界初の3次元TSV積層技術を適用したサーバ向け次世代DDR4 DRAMモジュール(64GB)の量産を発表した。
従来のワイヤボンディング技術と新規TSV技術の比較イメージ
従来のワイヤボンディング技術と新規TSV技術の比較イメージ