本文へ移動

FinFET(フィンフェット=Fin Field Effect Transistor)

  • 共有
既存の平面(2D)構造の持つ限界を克服するために導入された立体(3D)構造の工程技術で、その構造が魚のひれ(Fin)に似ているということからFinFET(フィンフェット)と呼ばれている。 トランジスタは、ゲートに電圧が加えられると、チャネルを通じてソースからドレインに電流が流れ、動き始める。 このとき、ゲートとの接点が大きいほど効率が高まるが、FinFET工程はフィン(Fin)型の3D構造を適用し、接触面積を増やすことで半導体の性能向上を図り、漏洩電流を減らした。 サムスン電子は、14nmからFinFET工程技術を導入し、その量産に成功した。また、2016年10月には業界で初めて10nm FinFET工程での量産に成功した。
기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술로, 구조가 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫(FinFET)이라고 부른다. 트랜지스터는 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 'Source'에서 'Drain'으로 전류가 흐르며 동작하게 된다. 이때 게이트와 채널과의 접점이 클수록 효율이 높아지는데, 핀펫 공정은 핀(Fin) 모양의 3D 구조를 적용, 접점 면적을 키워 반도체 성능 향상 및 누설 전류를 줄였다. 삼성전자는 14nm부터 핀펫 공정 기술을 도입해 성공적으로 양산하고 있으며, 2016년 10월 10nm 핀펫 공정을 업계 최초로 양산했다.
기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술로, 구조가 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫(FinFET)이라고 부른다. 트랜지스터는 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 'Source'에서 'Drain'으로 전류가 흐르며 동작하게 된다. 이때 게이트와 채널과의 접점이 클수록 효율이 높아지는데, 핀펫 공정은 핀(Fin) 모양의 3D 구조를 적용, 접점 면적을 키워 반도체 성능 향상 및 누설 전류를 줄였다. 삼성전자는 14nm부터 핀펫 공정 기술을 도입해 성공적으로 양산하고 있으며, 2016년 10월 10nm 핀펫 공정을 업계 최초로 양산했다.
Related contents
関連コンテンツ