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3D V-NAND型フラッシュメモリ

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3D V-NAND型フラッシュメモリ [3D Vertical NAND、3次元垂直セル構造NAND型フラッシュメモリ] 従来の単層配列のセルを垂直に3次元積層したNAND型フラッシュメモリ。 3D V-NAND型フラッシュメモリは、従来の2D NAND型フラッシュメモリの微細化プロセス技術の限界を克服するために開発された技術である。 最先端ラインの10nmプロセスが導入され、隣接したセル同士の間隔がより狭くなった。 これにより電子が漏れ出す干渉現象が増したが、このような問題を解消するために、単層に配列された従来のセルを3次元垂直構造に積層する革新的な技術が開発された。 物理的な技術の限界を克服した3D V-NANDフラッシュメモリは、セル間で発生する干渉の影響を大幅に減らしてセルの特性を向上させた。また、従来の2D V-NANDフラッシュメモリに比べて、メモリーの速度や寿命、エネルギー消費効率を大きく改善した。
3D V낸드플래시 메모리
3D V낸드플래시 메모리
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