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K9F1G08U0F-SIB0

優れたSLC NANDソリューションで、過剰なワークロードを軽減するために設計
優れたSLC NANDソリューションで、過剰なワークロードを軽減するために設計
優れたSLC NANDソリューションで、過剰なワークロードを軽減するために設計

サムスンの高性能SLC NANDは、データの完全性と最高レベルの安定性を必要とする産業用機器に最適化しています。 サムスンの高性能SLC NANDは、データの完全性と最高レベルの安定性を必要とする産業用機器に最適化しています。 サムスンの高性能SLC NANDは、データの完全性と最高レベルの安定性を必要とする産業用機器に最適化しています。

スペック

  • Density密度
    1 GB
  • Organization構成
    x8
  • VCC RangeVCC範囲
    2.7 ~ 3.6 V
  • I/O SpeedI/O速度
    40 Mbps
  • Package Typeパッケージタイプ
    TSOP
  • No. of Pinsピン数
    48
  • Temperature温度
    -40 ~ 85 °C
  • ECCECC
    On-Chip ECC
  • Production Status製品ステータス
    EOL

* 全ての製品仕様は社内での試験結果を反映するものであり、システム構成による制約がある場合があります。
* 表示されている全ての製品イメージは説明のみを目的としており、実際の製品とは異なる場合があります。
* Samsungは、予告なしに製品のイメージや仕様を変更する権利を留保します。