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高度なパッケージ・
プラットフォーム

独自のアーキテクチャを作る

「ムーアの法則」として知られている半導体工程技術の進化が鈍化している現在、私たちは多くの課題と限界に直面している。異種統合と高度なパッケージを活用すれば、設計、開発、製造コストを大幅に削減し「ムーアの法則」を超えて前に進むことができる。
サムスンは、メモリ、ファウンドリー、システムLSIなどの自社の事業部だけではなく、さらに一歩進み、マルチダイ統合アライアンスパートナーと緊密に連携し、設計インフラの準備、チップレットの設計、マルチダイの製造、インターポーザの製造、基板のソーシング、完成品のテスト、必要に応じてメモリのソーシングと統合に至るまであらゆる面で顧客を支援していく予定である。
サムスンは、顧客が提示する独自のアイデア、アーキテクチャや設計に合わせてサポートすることが可能だ。

2.5D I-Cube

I-Cubeは、平行水平チップ配置により、発熱を抑制しながらもパフォーマンスを改善できる。サムスンのシリコン貫通電極（TSV）とBEOL（Backend-of-the-line）技術は、2つ以上のチップがそれぞれの独自機能を組み合わせることで、各部品の強みを合わせたものよりも強力な最新のデバイス用ソリューションを提供できる基盤を形成する。I-Cubeは、インターポーザのタイプによりI-CubeSとI-CubeEの派生製品として提供されている。

I-CubeS
I-CubeE
3D X-Cube

3D ICパッケージは、部品を垂直に積層することでインターコネクトワイヤの長さを大幅に短縮し、パフォーマンスをさらに向上させ、寄生を減らしながら超高度な垂直インターコネクトの密度を実現すると同時に膨大な量のオンチップスペースを節約できる。また、3DIC：X-Cube技術は、3D統合により大型モノリシックダイの歩留まりリスクを大幅に減らし、高帯域幅と低電力を維持すると共に低コストで高いシステムパフォーマンスを実現できる。
サムスンのマイクロバンプベースの3DIC技術は実際、HBM用に開発されており数千万のHBMの生産への使用に成功している、大量生産が実証されたコスト効率の高い技術である。一方、現在準備中のバンプレスハイブリッド銅ボンディングは、ジョイントギャップをなくしさらに高いインターコネクト密度と熱パフォーマンスを提供できる。

X-Cube TCB (マイクロバンプ)
X-Cube HCB (バンプレス)
2D FOPKG

モバイルやウェアラブルデバイスのように低電力メモリ統合が求められるアプリケーションのため、サムスンはパネルレベルパッケージであるファンアウト（Fan-out）PLPとウェハレベルパッケージであるファンアウトWLPのプラットフォームを提供している。いずれのタイプのファンアウトパッケージも、既存のパッケージに比べサイズ、厚さ、熱パフォーマンの面で優れている。フリップチップパッケージに比べ最大40％小さいフォームファクタを提供しており、基板をなくすことで厚さを最大30％削減し、より厚いダイを使用できるようになるため熱パフォーマンスを最大15％向上させた。

FOPLP
FOWLP
業界全体にわたる協業

サムスンは常に着実に
イノベーションに貢献してきた。

サムスンは、UCIe技術の発展のためのコンソーシアムであるUCIeコンソーシアムの

創立メンバーの一員として、3DIC、

メモリインターコネクト、
車載用チップレットの規格を

共同で策定するために継続的に
取り組んでいく計画である。