サムスン電子、AI時代に最適な業界最大容量の12nmクラス32Gb DDR5 DRAMを発表

高度なメモリ技術の世界的リーダーであるサムスン電子は本日、12ナノメートル(nm)クラスのプロセス技術を使用して、業界で初めて最大容量32ギガビット(Gb)のDDR5 DRAM¹を開発したことを発表しました。サムスン電子は2023年5月に12nmクラス16Gb DDR5 DRAMの量産を既に開始していました。これは、次世代DRAM技術におけるサムスン電子のリーダーの地位を固め、大容量メモリの次章を示すものとなります。 「当社は、12nmクラス32Gb DRAMによって最大1テラバイト(TB)のDRAMモジュールを可能にするソリューションを確立し、AI(人工知能)とビッグデータの時代における大容量DRAMのニーズの高まりに対処する理想的な地位を固めています」とサムスン電子のDRAM製品および技術責任者であるSangJoon Hwang(副社長)は述べています。「当社は、差別化されたプロセスと設計技術を駆使してDRAMソリューションの開発を継続し、メモリ技術の限界を超えることを目指しています」 1983年以来DRAM容量は50万倍に 1983年に初の64キロビット(KB)のDRAMを開発して以来、40年間にわたってサムスン電子はDRAM容量を50万倍増加することに成功しています。 集積密度を高めるための最先端プロセスと技術、および設計最適化によって開発されたサムスン電子の最新のメモリ製品は、単一のDRAMチップで業界最大の容量を誇り、16Gb DDR5 DRAMと同じパッケージサイズで2倍の容量を提供します。 これまで、16Gb DRAMを使用して製造されたDDR5 128GB DRAMモジュールにはシリコン貫通電極(TSV)プロセスが必要でした。サムスン電子の32Gb DRAMを使用することにより、16Gb DRAMを使用する128GBモジュールと比較して消費電力を約10%削減し、TSVプロセスを使用せずに128GBモジュールを製造できるようになりました。この技術革新により、この製品は電力効率が重視されるデータセンターなどの事業にとって最適なソリューションになります。 12nmクラス32Gb DDR5 DRAMを基盤として製造するサムスン電子は、コンピューティングとIT業界の現在と今後の要求を満たすために、大容量DRAMのラインアップを継続的に拡張する予定です。サムスン電子はデータセンターのほか、AIや次世代コンピューティングなどの用途を必要とする顧客に12nmクラス32Gb DRAMを供給することによって次世代DRAM市場におけるリーダーシップを再確認します。この製品は、サムスン電子と他の主要企業との継続的なコラボレーションにおいて重要な役割を果たします。 新製品の12nmクラス32Gb DDR5 DRAMは、今年末までに量産を開始する予定です。 サムスン電子のDRAM製品の詳細については、サムスン電子半導体ウェブサイトをご覧ください。 ※ サムスン電子のメモリに関する主な功績 1983年：64Kb DRAMを開発 1992年：世界初の64MB DRAMを開発(DRAMの世界市場シェア第1位) 1993年：メモリの世界市場シェア第1位 1994年：世界初の256MB DRAMを開発 サムスン電子株式会社について サムスン電子は社会を変革するアイデアとテクノロジーで世界を触発し未来を創ります。サムスン電子はテレビ、スマートフォン、ウエアラブルデバイス、タブレット、デジタル家電、ネットワークシステム、メモリ、システムLSI、ファウンドリー、LEDソリューションの世界を再定義します。最新ニュースは、Samsung Newsroom news.samsung.comをご覧ください。

---

_{¹ DDR5 DRAM：ダブルデータレート5ダイナミックランダムアクセスメモリ。}