サムスン電子、第8世代V-NANDを量産

サムスン電子が世界最大容量の1Tb(テラビット)第8世代V-NANDの量産を開始した。 サムスン電子の1TbTLC(Triple Level Cell)第8世代V-NANDは、業界トップレベルの記録密度(Bit Density)の高容量で、ウェハ当たりのビットの集積度が前世代より大幅に向上した。 _{* 記録密度(Bit density): 単位面積当たりに保存されるビット(Bit)の数} 第8世代V-NANDは、最新のNAND型フラッシュメモリのインターフェース「Toggle DDR 5.0」が採用され、最大2.4Gbpsのデータ転送速度をサポートする。 第7世代V-NANDに比べて、約1.2倍向上した。 _{* Toggle DDR: NAND型フラッシュメモリのインターフェース規格で、1.0は133Mbps、2.0は400Mbps、3.0は800Mbps、4.0は1.2Gbps、5.0は2.4Gbpsの転送速度をサポート} また第8世代V-NANDは、PCIe 4.0インターフェースをサポートし、今後PCIe 5.0までサポートする予定だ。 サムスン電子は、今後第8世代V-NANDを通じて次世代エンタープライズサーバ市場の高容量化をリードし、さらに高い信頼性が要求される自動車市場まで事業領域を広げていく計画。 サムスン電子メモリ事業部フラッシュ開発室長のホ・ソンフェ(副社長)は、「高集積・高容量に対する市場要求でV-NANDの段数がさらに高くなる中、3Dスケーリング(3D Scaling)技術でセルの平面面積と高さの双方を縮小し、セルの体積を減らしながらも、生じる干渉現象を制御する基盤技術も確保した」とし、「第8世代V-NANDを通じて市場のニーズを満たし、さらに差別化された製品とソリューションを提供していく」と語った。 これに先立ち、サムスン電子は8月に開催されたフラッシュメモリサミットと10月のサムスンテックデイで、世界最大容量の第8世代V-NANDの量産計画と多様な次世代メモリソリューションを発表していた。