サムスン電子、業界最先端技術の12nmクラスDRAMを量産

サムスン電子は、業界最先端の12nmクラスプロセスによる16Gb(ギガビット)DDR5 DRAMの量産を開始し、DRAMの微細化プロセス競争における技術競争力をさらに高めた。 _{※12nmクラスでのプロセスは、第5世代10nmクラスでのプロセスを意味する} サムスン電子の12nmクラスDRAMは、最先端技術を応用しており、前世代製品と比べて生産性が約20％向上した。 また、消費電力も前世代製品に比べて約23％改善された。 消費電力の改善により、データセンター等の運用における電力運用効率も向上させることができる。 これは、CO2排出量とエネルギー使用量の削減に積極的に参加しているグローバルIT企業にとって最適なソリューションになると期待されている。 サムスン電子は、誘電率(K)の高い新素材を適用して電荷を蓄えるコンデンサ(Capacitor)の容量を増やした。 DRAMのコンデンサ容量が増えると、データ信号の電位差が大きくなり区別しやすくなる。 活動電流低減技術とデータをより鮮明に区別できるノイズ低減技術なども応用し、業界最先端プロセスを完成させた。 _{※DRAMは、コンデンサに蓄えられた電荷で1と0を区別する。 コンデンサの容量が大きくなると、データの区別が明確になりデータが確実に区別されるため、エラーが発生しにくくなる。} DDR5規格の12nmクラスDRAMは、最高動作速度7.2Gbpsをサポートする。 
これは、1秒に30GBのUHD映画を2本処理できる速度である。 サムスン電子は顧客の需要に対応し、12nmクラスDRAMのラインナップを継続的に拡大し、データセンターや人工知能、次世代コンピューティングなど様々なアプリケーションに供給する予定である。 _{※Gbps(Gigabit per second): 1秒間に送信されるギガビット単位のデータ} サムスン電子メモリ事業部DRAM開発室長のイ・ジュヨン(副社長)は、「業界最先端12nmクラスDRAMでは、差別化されたプロセス技術を基盤に優れた性能と高い電力効率を実現した」とし、「サムスン電子は、大容量処理が求められるコンピューティング市場の需要に応えて高性能・高容量を確保し、さらには高い生産性で製品を適機に商用化して今後もDRAM市場をリードしていく」と述べた。 サムスン電子は、昨年12月に12nmクラスDRAMに対してAMDプラットフォームベースの互換性検証を終え、グローバルIT企業と協力して次世代DRAM市場を牽引している。