サムスン電子、業界で初めて「24Gb GDDR7 DRAM」を開発

サムスン電子が業界で初めて12ナノ級の「24Gb GDDR7（Graphics Double Data Rate） DRAM」を開発しました。

<sub>* 12ナノ級工程は第5世代10ナノ級工程を意味します
* Gb（Gigabit、ギガビット）</sub>

「24Gb GDDR7 DRAM」は業界最高仕様の製品で、パーソナルコンピュータやゲーム機など従来のグラフィックDRAMの応用先だけでなく、AIワークステーションやデータセンターなど高性能モデルを必要とする幅広い分野での活用が期待されます。

今回の製品は24Gbの高容量と40Gbps以上の速度を備えており、以前のモデルに比べて容量、性能、電力効率がいずれも向上しました。

<sub>* Gbps（Gigabit per second）:1秒間転送できるギガビット単位のデータ
* 以前のモデル「16Gb GDDR7 DRAM」</sub>

サムスン電子は、今回の製品に12ナノ級微細工程を適用して従来のパッケージサイズにセル集積度を高めることで、容量を以前のモデルに比べて50%向上させました。

また、「PAM3信号方式」でグラフィックDRAMの中で業界最高速度である40Gbpsを実現し、使用環境に応じて最大42.5Gbpsまで可能な性能を誇ります。

_{* PAM3（Pulse-Amplitude Modulation）:信号を「-1」、「0」、「1」に分けて、1周期ごとに1.5ビットデータを転送します}

さらに、低電力特性が重要なモバイル製品に適用される技術を導入し、電力効率を30%以上大きく改善しました。

製品の不要な消費電力を抑える「クラックコントロール制御技術」と「電力二元化設計」などを通じて電力効率を最大化しました。

<sub>* クラックコントロール制御技術:すべての回路に対して動作が必要な時だけ動作する方式を適用することで、消費電力を抑える技術
* 電力二元化設計:低速動作時に外部電圧を下げたり、内部で自主的に低電圧を作り出し、ドレイン印加電圧と電流の減少を通じて電力使用量を最小限に抑える設計技法</sub>

また、高速動作時にも漏れ電流を最小限に抑える「パワーゲーティング設計技術」を適用し、製品の安定性も向上しました。

_{*パワーゲーティング設計技術（Power gating scheme）:漏れ電流が大きい領域に限り、電流を制御するスイッチを追加する設計技術}

サムスン電子メモリー事業部商品企画室長のペ・ヨンチョル(副社長)は「サムスン電子は、昨年7月に開発した「16Gb GDDR7 DRAM」に続き、今回の製品も業界で初めて開発に成功したことで、グラフィックDRAM市場でのリーダシップを強化しました」とし、「急成長するAI市場に合わせて高容量・高性能の製品を持続的に発売し、市場をリードしていきます」と述べました。

サムスン電子は「24Gb GDDR7 DRAM」を年内に主要GPU顧客会社の次世代AIコンピューティングシステムで検証を開始し、来年初めに製品を商用化する計画です。