サムスン電子、業界初「QLC 9世代V-NAND」の量産開始

サムスン電子がAI時代の超大容量サーバーSSD向けに、「1Tb（テラビット）QLC（Quad Level Cell）9世代V-NAND」の量産を業界に先がけて開始しました。

_{* 1Tb V-NAND：1兆ビットのセルを単一チップ内で実現した製品}

_{* QLC（Quad Level Cell）：1つのセルに4ビットのデータを記録できる構造}

サムスン電子は、今年4月に「TLC 9世代V-NAND」の量産開始に続き、QLC製品も発表し、大容量・高性能NANDフラッシュ市場でのリーダーシップをさらに強化しました。

_{* TLC（Triple Level Cell）：1つのセルに3ビットのデータを記録できる構造}

サムスン9世代V-NANDは、独自の「チャンネルホールエッチング（Channel Hole Etching）」技術を活用し、ダブルスタック構造で業界最高の積層数を実現しました。

_{* チャネルホールエッチング：モールド層を順次積層した後、一度に電子が通るチャネルホールを形成する技術}

_{* ダブルスタック：チャネルホール工程を2回行って作られる構造}

特に、QLC 9世代V-NANDはセル（Cell）と周辺回路（Peripheral）の面積を最小化し、前世代のQLC V-NANDと比較して約86%向上した業界最高レベルのビット密度（Bit Density）を誇ります。

_{* 周辺回路（Peripheral）：セルの動作を制御する各種回路で構成}

_{* ビット密度（Bit Density）：単位面積あたりに保存されるビット数}

V-NANDの積層数が増えるほど、層間・層ごとのセル特性を均一に維持することがより重要になり、サムスン電子はこれに対応するために「デザインドモールド（Designed Mold）」技術を活用しました。「デザインドモールド」とは、セル特性の均一化と最適化のために、セルを動作させるワードライン（WL）の間隔を調整して積層する技術で、データ保持性能を従来製品より約20%向上させ、製品信頼性を向上させました。

_{* モールド：セルを動作させるワードラインの層}

_{* WL（ワードライン）：トランジスタのオン/オフを担当する配線}

今回発表した9世代QLCは、セルの状態変化を予測して不要な動作を最小限に抑える「予測プログラム（Predictive Program）技術」の革新を通じて、前世代QLC製品に比べて書き込み性能が100%、データ入出力速度が60%改善されました。

また、NANDセルを駆動する電圧を低減し、必要なBL（ビットライン）のみを検知して電力消費を最小化する「低電力設計技術」を通じて、データ読み取りおよび書き込みの消費電力もそれぞれ約30%、50%削減しました。

_{* BL（ビットライン）：データの書き込みと読み取りを担当する配線で、WL（ワードライン）と共にセルアレイを形成}

サムスン電子メモリ事業部Flash開発室のホ・ソンフェ(副社長)は、「第9世代TLC量産から4ヶ月で第9世代QLC V-NANDの量産にも成功し、AI用高性能・大容量SSD市場が求める最新のラインアップをすべて揃えた」とし、「AI向けに需要が急増している企業向けSSD市場でのリーダーシップがさらに強化されるだろう」と述べた。

サムスン電子は、ブランド製品を皮切りに、今後モバイルUFS、PCおよびサーバーSSDなどのQLC 9世代V-NANDベースの製品応用分野を順次拡大する計画です。

_{* UFS：ユニバーサル・フラッシュ・ストレージ}