サムスン電子、DRAMにEUVを初採用…顧客企業にモジュール100万個を供給

サムスン電子は、業界で初めてDRAMにEUVプロセスを採用し、量産体制を構築した。 サムスン電子は、EUVプロセスを導入して生産された第1世代(1x)10nmクラス(1ナノ：10億分の1メートル)のDDR4(Double Data Rate 4)DRAMモジュールを100万個以上供給し、グローバルな顧客評価を完了した。 これにより、サムスン電子はメモリー業界で初めて次世代DRAM製品からEUVプロセスを全面採用し、半導体の微細化の限界を超える体制を整え、DRAMの新しいパラダイムを示した。 EUV露光技術を適用すれば、回路を描く作業を繰り返すマルチパターニング(Multi-Patterning)工程を減らしつつパターニングの精度を高めて性能と歩留まりを向上させ、製品の開発期間を短縮できるというメリットがある。 サムスン電子は現在、EUVプロセスによる14nm前半の「第4世代10nmクラス(1a)DRAM量産技術」を開発しており、今後、次世代製品の品質と歩留まりも既存プロセスの製品より高める計画だ。 EUVを利用して製造された第4世代10nmクラス(1a)のDRAMは、第1世代10nmクラス(1x)のDRAMに比べて12インチウェハあたりの生産性を2倍に高め、事業の競争力をさらに強化する。 サムスン電子は来年、性能と容量をさらに高めた第4世代10nmクラス(1a)DRAM(DDR5、LPDDR5)を量産し、第5世代、第6世代のDRAMも先行開発することで、プレミアムメモリー市場における技術リーダーシップを一層強化する戦略だ。 サムスン電子メモリー事業部DRAM開発室のイ・ジョンベ副社長は「業界で初めてEUVを導入したDRAMの量産を行い、世界の顧客企業により差別化されたソリューションを一足先に提供できるようになった」とし、「来年も革新的なメモリー技術で次世代製品を先行開発し、グローバルIT市場の持続的な成長に貢献したい」と語った。 一方、サムスン電子は来年からDDR5/LPDDR5 DRAM市場の本格的な拡大に合わせてグローバルIT顧客企業との技術協力を強化し、企業間の様々な標準化活動を進め、次世代システムにおける新製品の搭載比率を拡大していく予定だ。 また、サムスン電子は今年下半期、平沢(ピョンテク)に新たなラインを稼動させ、増加する次世代プレミアムDRAMの需要に安定的に対応できる量産体制を整備する計画だ。

▲ サムスン電子DS部門華城事業所