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速度と容量、
シームレスなフラッグシップストレージ
速度と容量、
シームレスなフラッグシップストレージ
速度と容量、
シームレスなフラッグシップストレージ

フラッグシップスマートフォンのパフォーマンスを引き上げるUFS 4.0は、より薄く、
スマートなハイパフォーマンスデバイスの時代を切り拓くフラッシュモバイルストレージです。
1TBに達する容量を誇り、前世代に比べて2倍速い速度と45%向上したバッテリー効率でボトルネックを解消し、
スマートフォンはより早く、VRはよりスムーズに実行できます。
フラッグシップスマートフォンのパフォーマンスを引き上げるUFS 4.0は、より薄く、
スマートなハイパフォーマンスデバイスの時代を切り拓くフラッシュモバイルストレージです。
1TBに達する容量を誇り、前世代に比べて2倍速い速度と45%向上したバッテリー効率でボトルネックを解消し、
スマートフォンはより早く、VRはよりスムーズに実行できます。
フラッグシップスマートフォンのパフォーマンスを引き上げるUFS 4.0は、より薄く、
スマートなハイパフォーマンスデバイスの時代を切り拓くフラッシュモバイルストレージです。
1TBに達する容量を誇り、前世代に比べて2倍速い速度と45%向上したバッテリー効率でボトルネックを解消し、
スマートフォンはより早く、VRはよりスムーズに実行できます。

フラッシュメモリ業界をリードする

絶え間ない革新と未来を見渡すビジョンは、フラッシュメモリ業界をリードするために不可欠な要素です。
サムスンは2003年からフラッシュメモリ市場でシェア1位を維持しており、
* UFS市場が形成された2014年以降、UFSの限界を乗り越えて続けてきました。 * 資料: 2003~2021, OMDIAデータ NANDメーカー売上基準市場シェア

24Gps、
独自技術が実現するスピード

5Gの超高速通信速度、優れたアプリパフォーマンス、卓越した読み取り/書き込み速度を実現するUFS 4.0を紹介します。
サムスンの設計・製造技術で製作した特殊コントローラーと176層の7代目V-NANDを搭載し4,200MBpsに達する読み取り速度を実現。
また、MIPI M-PHY 5.0の採用でUFS 3.1に比べて2倍速い23.2Gbpsのデータ転送速度を実現しました。
書き込み速度も従来の製品に比べて1.6倍速い2,800MBpsに達し、ユーザーの業務・余暇・創作活動の新たな可能性を広げます。

45%向上した電力効率でさらに伸びた使用時間

フル充電時のスマートフォン使用時間、ドローンの飛行距離、
VR体験の幅を広げると同時に鮮明な画質も逃さない次世代ストレージをご体感ください。
前世代に比べて45%向上した電力効率を備えたUFS 4.0はこのような節電設計に基づき優れたパフォーマンスを発揮します。
連続読み取り速度(sequential read speed)が1mAあたり6.0Mbpsに達するため、最先端デバイスのパフォーマンスが一層向上します。

データのセキュリティが1.8倍向上

スマートフォンには多くの個人情報が保存されます。
UFS 4.0には前世代製品にくらべて1.8倍強化されたアドバンスドRPMB(リプレイ保護メモリーブロック)セキュリティソリューションが搭載されているので、IDやパスワードはもちろん大切な思い出も安心して保存していただけます。
* RPMB技術を活用すれば特定のメモリー領域にデータを保存いただけます。
この領域では、認証することによってリプレイ攻撃からデータを保護します。
よって、IDやパスワードなどの重要なデータを安心して保管いただけます。

1.0mmに実現した1TBの驚く容量

デバイスの薄型化や軽量化のトレンドに合わせてUFS 4.0は1.0mmもの極薄型フォームファクタに1TBもの大容量を盛り込みました。
デバイスのパフォーマンスが大きく向上しながらも長さ13mm、幅11mmという超小型のUFS 4.0は、
スマートフォンメーカーに新しい可能性を提供します。