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M392B1G70BH0-YK0

삼성반도체 DRAM 모듈, 다용도 메모리 모듈
삼성반도체 DRAM 모듈, 다용도 메모리 모듈

グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション
グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション
グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション

サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。 サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。 サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。

スペック

  • DDRDDR
    DDR3
  • Dimm TypeDIMMタイプ
    RDIMM
  • Density密度
    8 GB
  • Rank*Orgランク×構成
    1R x 4
  • Speed速度
    1600 Mbps
  • Voltage電圧
    1.5 V / 1.35 V
  • No. of Pinsピン数
    240
  • Component Compositionコンポーネントコンポジション
    (1G x 4) x 18
  • Production Status製品ステータス
    EOL

全ての製品仕様は社内での試験結果を反映するものであり、システム構成による制約がある場合があります。
表示されている全ての製品イメージは説明のみを目的としており、実際の製品とは異なる場合があります。
Samsungは、予告なしに製品のイメージや仕様を変更する権利を留保します。