本文へ移動

M321R3GA3PB0-CWM

삼성반도체 DRAM 모듈, 다용도 메모리 모듈
삼성반도체 DRAM 모듈, 다용도 메모리 모듈

グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション
グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション
グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション

サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。 サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。 サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。

スペック

  • DDRDDR
    DDR5
  • Applicationsアプリケーション
    Server
  • Density密度
    24 GB
  • Speed速度
    5600 Mbps
  • Voltage電圧
    1.1 V
  • Production Status製品ステータス
    Mass Production
  • Rank*Orgランク×構成
    1R x 8
  • Component Compositionコンポーネントコンポジション
    (3G x 8) x 10
  • No. of Pinsピン数
    288

* 全ての製品仕様は社内での試験結果を反映するものであり、システム構成による制約がある場合があります。
* 表示されている全ての製品イメージは説明のみを目的としており、実際の製品とは異なる場合があります。
* Samsungは、予告なしに製品のイメージや仕様を変更する権利を留保します。