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KHBBC4B03C-MC1K

HBM3E Shinebolt
HBM3E Shinebolt

HBM3E 12層積層による
高性能メモリソリューション
HBM3E 12層積層による
高性能メモリソリューション
HBM3E 12層積層による高性能メモリソリューション

メモリ技術は新たな段階に突入しました。サムスンは12層積層HBM3Eの量産に成功し、高帯域幅メモリにおける安定かつ効率的なソリューションを提供します。第5世代HBMであるHBM3E Shineboltは、高速データ転送、電力効率の最適化、優れた熱安定性を実現します。その適用分野は高性能コンピューティングやAIの学習・推論など広範にわたり、AIアーキテクチャを支える中核的要素となっています。 メモリ技術は新たな段階に突入しました。サムスンは12層積層HBM3Eの量産に成功し、高帯域幅メモリにおける安定かつ効率的なソリューションを提供します。第5世代HBMであるHBM3E Shineboltは、高速データ転送、電力効率の最適化、優れた熱安定性を実現します。その適用分野は高性能コンピューティングやAIの学習・推論など広範にわたり、AIアーキテクチャを支える中核的要素となっています。 メモリ技術は新たな段階に突入しました。サムスンは12層積層HBM3Eの量産に成功し、高帯域幅メモリにおける安定かつ効率的なソリューションを提供します。第5世代HBMであるHBM3E Shineboltは、高速データ転送、電力効率の最適化、優れた熱安定性を実現します。その適用分野は高性能コンピューティングやAIの学習・推論など広範にわたり、AIアーキテクチャを支える中核的要素となっています。

スペック

  • Density密度
    36 GB
  • Packageパッケージ
    MPGA
  • Speed速度
    9.2 Gbps
  • Refreshリフレッシュ
    32 ms
  • Organization構成
    1024
  • Production Status製品ステータス
    Mass Production

* 全ての製品仕様は社内での試験結果を反映するものであり、システム構成による制約がある場合があります。
* 表示されている全ての製品イメージは説明のみを目的としており、実際の製品とは異なる場合があります。
* Samsungは、予告なしに製品のイメージや仕様を変更する権利を留保します。