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  • 未来を切り開く
    圧倒的な性能
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    サムスン半導体、DRAM DDR5。

データ主導の革新をリードするDDR5
データ主導の革新をリードするDDR5
データ主導の革新をリードするDDR5

大容量データ処理を必要とする新次元の速度、容量、信頼性を満たすと同時に、
低電力特性を実現し、環境に優しいメモリー技術へとさらなる進化を続けています。
大容量データ処理を必要とする新次元の速度、容量、信頼性を満たすと同時に、
低電力特性を実現し、環境に優しいメモリー技術へとさらなる進化を続けています。
大容量データ処理を必要とする新次元の速度、容量、信頼性を満たすと同時に、
低電力特性を実現し、環境に優しいメモリー技術へとさらなる進化を続けています。
삼성 DDR5 칩이 지구 위에 올려져 있는 설명 이미지
삼성 DDR5 칩이 지구 위에 올려져 있는 설명 이미지

大容量データをリアルタイムで処理する
素晴らしい速度
大容量データをリアルタイムで処理する
素晴らしい速度
大容量データをリアルタイムで処理する
素晴らしい速度

最大7,200 Mbpsの転送速度で大規模の複雑なデータ作業を迅速かつ効果的に処理します。
DDR4に比べてバースト長が8バイトから16バイトに、16バンクから32バンク構造に増加し、性能も2倍以上向上しました。
最大7,200 Mbpsの転送速度で大規模の複雑なデータ作業を迅速かつ効果的に処理します。
DDR4に比べてバースト長が8バイトから16バイトに、16バンクから32バンク構造に増加し、性能も2倍以上向上しました。
最大7,200 Mbpsの転送速度で大規模の複雑なデータ作業を迅速かつ効果的に処理します。
DDR4に比べてバースト長が8バイトから16バイトに、16バンクから32バンク構造に増加し、性能も2倍以上向上しました。
최대 7,200 Mbps의 고성능 전송 속도를 제공하는 DDR5에 대해 설명하는 이미지
최대 7,200 Mbps의 고성능 전송 속도를 제공하는 DDR5에 대해 설명하는 이미지

革新的な大容量
革新的な大容量
革新的な大容量

サムスンの10nmクラスのプロセス技術とEUV技術を適用し、メモリー密度を16GBから32GBに高めて、
業界最大容量の512GB DDR5メモリモジュールを開発しました。
容量が倍増したことで、大規模な作業量を柔軟に同時処理することはもちろん、今後の拡張性も可能にします。
サムスンの10nmクラスのプロセス技術とEUV技術を適用し、メモリー密度を16GBから32GBに高めて、
業界最大容量の512GB DDR5メモリモジュールを開発しました。
容量が倍増したことで、大規模な作業量を柔軟に同時処理することはもちろん、今後の拡張性も可能にします。
サムスンの10nmクラスのプロセス技術とEUV技術を適用し、メモリー密度を16GBから32GBに高めて、
業界最大容量の512GB DDR5メモリモジュールを開発しました。
容量が倍増したことで、大規模な作業量を柔軟に同時処理することはもちろん、今後の拡張性も可能にします。
'최대 512 GB, 2X 용량'이란 글과 함께 데이터 센터에 삼성 DDR5 칩과 다양한 애플리케이션 형태가 떠있는 이미지
'최대 512 GB, 2X 용량'이란 글과 함께 데이터 센터에 삼성 DDR5 칩과 다양한 애플리케이션 형태가 떠있는 이미지

自己修正ソリューションに基づく
高信頼性
自己修正ソリューションに基づく
高信頼性
自己修正ソリューションに基づく
高信頼性

DDR5に適用されたODECC(on-die error correction code)技術は安定したデータ信頼性を維持しつつ、
DDR5の強力な性能を存分に活用できるようにサポートします。 ビックデータ環境でも信頼性向上のために1ビットのエラーまで
自動修正します。
DDR5に適用されたODECC(on-die error correction code)技術は安定したデータ信頼性を維持しつつ、
DDR5の強力な性能を存分に活用できるようにサポートします。 ビックデータ環境でも信頼性向上のために1ビットのエラーまで
自動修正します。
DDR5に適用されたODECC(on-die error correction code)技術は安定したデータ信頼性を維持しつつ、
DDR5の強力な性能を存分に活用できるようにサポートします。 ビックデータ環境でも信頼性向上のために1ビットのエラーまで
自動修正します。
'Non ODECC, ODECC'란 글과 데이터 상징 이미지에 삼성 DDR5 칩이 교차하는 이미지
'Non ODECC, ODECC'란 글과 데이터 상징 이미지에 삼성 DDR5 칩이 교차하는 이미지

環境に優しい低電力設計
環境に優しい低電力設計
環境に優しい低電力設計

性能改善と消費電力の減少を通じてDDR4に比べて30 %高い電力効率を確保しました。
データセンターのDDR4をDDR5に交換すると、年間最大1TWhの電力が削減できます。
また、DDR5のOn-DIMM PMICの場合、電力管理効率と供給安定性がさらに向上します。
持続可能な環境のための選択です。
性能改善と消費電力の減少を通じてDDR4に比べて30 %高い電力効率を確保しました。
データセンターのDDR4をDDR5に交換すると、年間最大1TWhの電力が削減できます。
また、DDR5のOn-DIMM PMICの場合、電力管理効率と供給安定性がさらに向上します。
持続可能な環境のための選択です。
性能改善と消費電力の減少を通じてDDR4に比べて30 %高い電力効率を確保しました。
データセンターのDDR4をDDR5に交換すると、年間最大1TWhの電力が削減できます。
また、DDR5のOn-DIMM PMICの場合、電力管理効率と供給安定性がさらに向上します。
持続可能な環境のための選択です。
지구의 나무, 산과 '최대 전력 효율 30 %'란 글이 함께 있는 이미지
지구의 나무, 산과 '최대 전력 효율 30 %'란 글이 함께 있는 이미지

* すべての製品仕様は内部結果を反映したものですが、ユーザーのシステム構成により変動する場合があります。
* すべての製品画像は例です。実際の製品とは異なる場合があります。
* サムスン電子は、事前の予告なく製品の画像や説明書を変更することがあります。