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  • 様々なソリューションに対応できる
    強力な性能
    様々なソリューションに対応できる
    強力な性能
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    強力な性能

    DDR4の前面と背面

高性能、高信頼性、低電力消費を実現したDDR4
高性能、高信頼性、低電力消費を実現したDDR4
高性能、高信頼性、低電力消費を実現したDDR4

エンタープライズサーバからPC、タブレットまで多様なアプリケーションに対応できる強力な性能と低電力ラインアップを提供します。 エンタープライズサーバからPC、タブレットまで多様なアプリケーションに対応できる強力な性能と低電力ラインアップを提供します。 エンタープライズサーバからPC、タブレットまで多様な
アプリケーションに対応できる強力な性能と低電力
ラインアップを提供します。

優れた性能
優れた性能
優れた性能

最大3,200 Mbpsまで帯域幅を増加
最大3,200 Mbpsまで帯域幅を増加
最大3,200 Mbpsまで帯域幅を増加
DDR4は、4つのバンクグループ(合計16バンク)構造を採用することで
メモリアクセスの可用性を高め、最大3,200Mbps、1TB/sのシステムメモリ帯域幅 速度を提供します。 これにより、さらに向上した速度で大規模な作業も
容易に処理することができます。
DDR4は、4つのバンクグループ(合計16バンク)構造を採用することで
メモリアクセスの可用性を高め、最大3,200Mbps、1TB/sのシステムメモリ帯域幅 速度を提供します。 これにより、さらに向上した速度で大規模な作業も
容易に処理することができます。
DDR4は、4つのバンクグループ(合計16バンク)構造を採用することで
メモリアクセスの可用性を高め、最大3,200Mbps、1TB/sのシステムメモリ帯域幅 速度を提供します。 これにより、さらに向上した速度で大規模な作業も
容易に処理することができます。
DDR3 대비 대역폭이 증가한 DDR4를에 대해 설명하는 인포그래픽. DDR4의 대역폭이 DDR3-1600 Mbps보다 2배(DDR4-3200 Mbps) 증가했습니다.

低電力・高効率
低電力・高効率
低電力・高効率

高度なプロセス技術の適用
コアと電源の電力削減
高度なプロセス技術の適用
コアと電源の電力削減
高度なプロセス技術の適用
コアと電源の電力削減
業界初の1x nmプロセス技術を適用することで、低電力と高性能を実現し、
TCOを削減させました。 1.2Vの低い動作電圧およびPOD(Pseudo Open Drain) インタフェースによってエネルギー使用が25%減となり、電力消費を抑えることができます。
業界初の1x nmプロセス技術を適用することで、低電力と高性能を実現し、
TCOを削減させました。 1.2Vの低い動作電圧およびPOD(Pseudo Open Drain) インタフェースによってエネルギー使用が25%減となり、電力消費を抑えることができます。
業界初の1x nmプロセス技術を適用することで、低電力と高性能を実現し、
TCOを削減させました。 1.2Vの低い動作電圧およびPOD(Pseudo Open Drain) インタフェースによってエネルギー使用が25%減となり、電力消費を抑えることができます。
 전력 소비 25 % 절감에 관해 설명하는 인포그래픽

高い信頼性
高い信頼性
高い信頼性

安全なCRC伝送システム
エラー防止のためのパリティビット
安全なCRC伝送システム
エラー防止のためのパリティビット
安全なCRC伝送システム
エラー防止のためのパリティビット
大量のトラフィックを処理する必要があるデータセンターでは、システムの信頼性が
ますます重要になっています。 DDR4のマルチビットエラーを検出するWrite CRCおよびシステム誤作動
防止のためのCMD/ADDパリティ検査を通じて優れたデータ通信を
保証します。
大量のトラフィックを処理する必要があるデータセンターでは、システムの信頼性が
ますます重要になっています。 DDR4のマルチビットエラーを検出するWrite CRCおよびシステム誤作動
防止のためのCMD/ADDパリティ検査を通じて優れたデータ通信を
保証します。
大量のトラフィックを処理する必要があるデータセンターでは、システムの信頼性が
ますます重要になっています。 DDR4のマルチビットエラーを検出するWrite CRCおよびシステム誤作動
防止のためのCMD/ADDパリティ検査を通じて優れたデータ通信を
保証します。
 CMD/ADD용 Write CRC 및 패리티로 갖춘 높은 신뢰성을 설명하는 인포그래픽

結果
すべての製品

最大3つの製品まで同時に比較可能です。3つを超える製品を比較する場合は、エクスポートボタンをクリックします。

すべての製品仕様は社内での試験結果を反映するものであり、システム構成によって制約を受ける場合があります。

本書掲載の製品外観は単なるイメージであり、実際の製品と異なる場合があります。

サムスン電子では、予告なしに製品の外観や仕様を変更する権利を有しています。

製品の仕様の詳細については、お客様の地区の営業担当にお問い合わせください。

FAQs

  • DDR4は、DDR3より優れた、より高速で信頼性の高い代替品として設計されたメモリ規格です。DDR4モジュールまたはDIMMは、DDR3 DIMMと非常によく似ています。ただし、DDR3の240ピンに対してDDR4は288ピン、DDR4のSO-DIMMSはDDR3の204ピンに対して260ピンとなります。DDR4キーノッチは別の場所にあり、エッジコネクタは挿入しやすいように少し湾曲した「V」の字のような形をしています。この設計はまた、モジュール挿入時にすべてのピンが同時にかみ合わないため、挿入力を低く抑えることができます。DDR4モジュールは、DDR3の1.5Vまたは1.35Vと比較して、1.2Vでのみ動作し、よりエネルギー効率が高くなっています。消費電力の低減により、大幅な省電力化を実現し、より高い電力や冷却を必要としない高速動作が可能になりました。DIMMの密度は2GBから始まり、最大128GBまでと、DDR3の512MBから32GBまでの容量から大きく飛躍しています。内臓型および産業用アプリケーション向けの最新のDDR4モジュールは、最大3,200MT/秒の高速データ転送を実現します。ATPが提供する最新の産業用DDR4であるDDR4-3200は、DDR3の最速バージョンの1つであるDDR3-1866よりデータ転送が約70%速く、理論ピーク性能を大幅に向上させます。
  • DDR3とDDR4はクロスコンパチブルではありません。入力電圧、ピン数などの他のものの中で、物理的なソケットが異なっています。
  • 基本的に、DDR3はほぼすべてのマザーボードとソケットと互換性がありますが、DDR4はIntelのX99チップセットとLGA2011プロセッサソケットを使用したボードにのみ対応しています。

DDR4アプリケーション