製品スペック

  • フォームファクタ
    M.2
  • 容量
    1TB, 2TB
  • シーケンシャル読み出し速度
    最大5,000MB/s
  • シーケンシャル書き込み速度
    最大4,200MB/s

MORE SPECS

モデルコード（容量）1)

  • MZ-V9E1T0BW（1TB）

  • MZ-V9E2T0BW（2TB）

一般機能

  • アプリケーション

    クライアントPC

  • フォームファクタ

    M.2 (2280)

  • インターフェース

    PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

  • 寸法（WxHxD）

    Max 80.15×22.15×2.38mm

  • 重量 (最大)

    9.0g

  • 記録素子

    Samsung V-NAND TLC

  • コントローラ

    サムスン自社製コントローラ

  • キャッシュメモリ

    HMB(Host Memory Buffer)

特長

  • トリム

    対応

  • S.M.A.R.T

    対応

  • GC（ガベージコレクション）

    自動ガベージコレクションアルゴリズム

  • 暗号化対応

    AES 256ビット暗号化（クラス0）TCG / Opal IEEE1667（暗号化されたドライブ）

  • WWN

    非対応

  • デバイススリープモード

    対応

パフォーマンス2)

  • 連続読み出し

    1TB：最大 5,000MB/s
    2TB：最大 5,000MB/s

  • 連続書き込み

    1TB：最大4,200MB/s
    2TB：最大4,200MB/s

  • ランダム読み出し（4KB、QD32）

    1TB：最大680,000 IOPS
    2TB：最大700,000 IOPS

  • ランダム書き込み（4KB、QD32）

    1TB：最大800,000 IOPS
    2TB：最大800,000 IOPS

  • ランダム読み出し（4KB、QD1）

    1TB：最大20,000 IOPS
    2TB：最大20,000 IOPS

  • ランダム書き込み（4KB、QD1）

    1TB：最大90,000 IOPS
    2TB：最大90,000 IOPS

電気特性、信頼性

  • 平均消費電力（システムレベル）3)

    1TB：平均：読み出し4.9W / 書き込み4.5W
    2TB：平均：読み出し5.5W /書き込み4.7W

  • 消費電力（アイドル状態）3)

    1TB：標準60mW
    2TB：標準60mW

  • 消費電力（デバイス省電力モード）

    1TB：標準5mW
    2TB：標準5mW

  • 許容電圧

    3.3V±5％

  • 信頼性（MTBF）

    150万時間

  • 動作温度

    0~70℃

  • 衝撃

    1,500G & 0.5ms（ハーフサイン）

付属品

  • 取り付けキット

    なし

ソフトウェア

製品保証4)

  • MZ-V9E1T0BW（1TB）

    5年または600TBW(いずれか短い期間)

  • MZ-V9E2T0BW（2TB）

    5年または1200TBW(いずれか短い期間)

  • 1)実際に利用可能な容量は、フォーマット、パーティション、OS、アプリケーションなどにより少ないことがあります。
  • 2)パフォーマンスは、システムのハードウェア及び構成によって異なります。
  • 3)実際の消費電力は、システムのハードウェア及び構成によって異なります。
  • 4)サムスン電子は、サムスン電子の製品及びストレージデバイスに含まれているデータまたはその他の情報の損失またはユーザーに発生する可能性のある利益または収益の損失を含みますが、これに限らないいかなる損失についても責任を負いません。保証の詳細については、https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/support/warranty をご参照ください。 https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/support/tools/#samsungmagician