製品スペック

  • フォームファクタ
    M.2
  • 容量
    1TB, 2TB, 4TB, 8TB
  • シーケンシャル読み出し速度
    最大 14,800 MB/秒
  • シーケンシャル書き込み速度
    最大 13,400 MB/秒

MORE SPECS

モデルコード（容量）1)

  • MZ-VAP1T0BW (1TB)

  • MZ-VAP2T0BW (2TB)

  • MZ-VAP4T0BW (4TB)

  • MZ-VAP8T0BW (8TB)

一般機能

  • アプリケーション

    クライアントPC, PlayStation®5

  • フォームファクタ

    M.2 (2280)

  • インターフェース

    PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0

  • 寸法（WxHxD）

    1TB/2TB/4TB : 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
    8TB : 80.15 x 22.15 x 3.88 mm

  • 重量 (最大)

    1TB/2TB/4TB : Max 9.0g Weight
    8TB : Max 9.5g Weight

  • 記録素子

    Samsung V-NAND TLC

  • コントローラ

    サムスン自社製コントローラ

  • キャッシュメモリ

    Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM (1TB)
    Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM (2TB)
    Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM (4TB)
    Samsung 8GB Low Power DDR4X SDRAM (8TB)

特長

  • トリム

    対応

  • S.M.A.R.T SUPPORT

    対応

  • GC（ガベージコレクション）

    自動ガベージコレクションアルゴリズム

  • 暗号化対応

    AES 256ビット暗号化（クラス0）TCG / Opal IEEE1667（暗号化されたドライブ）

  • WWN

    非対応

  • デバイススリープモード

    対応

パフォーマンス2)

  • 連続読み出し

    1TB: 最大 14,700 MB/秒
    2TB: 最大 14,700 MB/秒
    4TB: 最大 14,800 MB/秒
    8TB: 最大 14,800 MB/秒 (TBD)

  • 連続書き込み

    1TB: 最大 13,300 MB/秒
    2TB: 最大 13,400 MB/秒
    4TB: 最大 13,400 MB/秒
    8TB: 最大 13,400 MB/秒 (TBD)

  • ランダム読み出し（4KB、QD32）

    1TB: 最大 1,850,000 IOPS
    2TB: 最大 1,850,000 IOPS
    4TB: 最大 2,200,000 IOPS
    8TB: 最大 2,200,000 IOPS (TBD)

  • ランダム書き込み（4KB、QD32）

    1TB: 最大 2,600,000 IOPS
    2TB: 最大 2,600,000 IOPS
    4TB: 最大 2,600,000 IOPS
    8TB: 最大 2,600,000 IOPS (TBD)

電気特性、信頼性

  • 平均消費電力（システムレベル3)

    1TB: 平均：読み出し 7.6 W / 書き込み 7.2 W
    2TB: 平均：読み出し 8.1 W / 書き込み 7.9 W
    4TB: 平均：読み出し 9 W / 書き込み 8.2 W

  • 消費電力（アイドル状態）3)

    1TB: 標準 4 mW
    2TB: 標準 4.8 mW
    4TB: 標準 6.5 mW

  • 消費電力（デバイス省電力モード）

    1TB: 標準 3.3 mW
    2TB: 標準 4 mW
    4TB: 標準 5.7 mW

  • 許容電圧

    3.3 V ± 5 %

  • 信頼性（MTBF）

    150万時間

  • 動作温度

    0 - 70 ℃

  • 衝撃

    1,500 G & 0.5 ms（ハーフサイン）

付属品

  • 取り付けキット

    なし

ソフトウェア

Warranty4)

  • MZ-VAP1T0BW (1TB)

    5年または600 TBW(いずれか短い期間)

  • MZ-VAP2T0BW (2TB)

    5年またはor 1200 TBW(いずれか短い期間)

  • MZ-VAP4T0BW (4TB)

    5年または2400 TBW(いずれか短い期間)

  • MZ-VAP8T0BW (8TB)

    5年または4800 TBW(いずれか短い期間)

  • 1)実際に利用可能な容量は、フォーマット、パーティション、OS、アプリケーションなどにより少ないことがあります。
  • 2)パフォーマンスは、システムのハードウェア及び構成によって異なります。
  • 3)実際の消費電力は、システムのハードウェア及び構成によって異なります。
  • 4)サムスン電子は、サムスン電子の製品及びストレージデバイスに含まれているデータまたはその他の情報の損失またはユーザーに発生する可能性のある利益または収益の損失を含みますが、これに限らないいかなる損失についても責任を負いません。保証の詳細については、https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/support/warranty