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大いなる旅路

踏み出したその一歩から、世界の半導体市場のリーダーになるまで
革新を目指す熱い情熱が、私たちに脈々と受け継がれています。

未来を設計する 2010-Recent

  • 半導体の炭素排出に対するライフサイクルアセスメン検証完了
  • サステナブルな水資源管理の国際認証(AWS)最高ランクの認証取得
  • 世界初、12ナノクラスDRAM量産
  • 2億画素イメージセンサーHP3発売
  • 世界初、3ナノプロセスベースファウンドリ量産開始
  • 第8世代236層VNAND量産
  • 12ナノ16Gb DDR5開発
  • 世界初、AIメモリ半導体開発
  • サムスン半導体の韓国内外全事業場に対する炭素-水-廃棄物削減認証取得
  • 2億画素 ISOCELL HP1公開
  • 業界初、14nm DRAM商用化
  • LPDDR5X開発
  • 次世代車両用高性能メモリ半導体ソリューション量産
  • 世界初、3ナノ超微細工程技術開発
  • 華城EUV専用V1ライン本格稼動
  • 業界初、DRAMにEUVプロセス適用
  • 業界で初、EUVシステム半導体に3次元積層技術適用
  • 世界初「1TB eUFS」量産
  • 世界初、第3世代10ナノクラスDRAM開発
  • 業界初、6,400万画素モバイル用イメージセンサー公開
  • 世界初、第6世代VNAND SSD量産
  • 業界初、12層 3D-TSVパッケージング技術開発
  • 韓国華城EUVライン、中国西安第2メモリーライン着工
  • 第5世代V-NANDの量産開始、業界初の8Gb LPDDR5の開発
  • サムスン電子初の5Gモデム Exynos Modem 5100の開発
  • 自動車ソリューションブランド、Exynos AutoおよびISOCELL Auto発売
  • EUV基盤の7nm LPPの生産開始
  • 韓国平沢で生産開始
  • ファウンドリー事業部をシステムLSI事業から分離
  • 第2世代10nm FinFETプロセスの量産開始
  • 業界初の10nm FinFET SoCの量産開始
  • 業界初の10nmクラスDRAMの量産開始
  • 17番目の生産ライン稼動
  • 業界初の14nm FinFETモバイルAPの量産開始
  • アメリカ半導体事業所の新本部を開設
  • 20nmクラスの8Gb mobile DRAM(LPDDR4)の大量生産を開始
  • 中国西安(SCS)で生産開始
  • 業界初の3D Vertical NAND(V-NAND)メモリーの量産開始
  • big.LITTLE™アーキテクチャを具現した業界初のモバイルAPであるExynos 5 Octaを紹介
  • 30nmクラスの4Gb mobile DRAM(LPDDR2)の大量生産を開始
  • ブランドアプリケーションプロセッサ、Exynosを発売
  • 業界初の32nm HKMGプロセスの開発
  • 20nmクラスのNANDフラッシュの大量生産を開始

持続的な発展 2000-2009

  • 40nmクラスの2Gb DRAMの大量生産を開始
  • 米国オースティン(SAS)で第2生産ラインの稼動を開始
  • 業界初の16-chip MCPを開発
  • 業界初の32GB SSDを開発
  • 業界初のDDR3 SDRAMを開発
  • 業界初の60nmクラスの8Gb NANDフラッシュを開発
  • フラッシュメモリ市場で最高シェアを達成
  • LCD Driver IC市場で最高シェアを達成
  • 業界初の90nmクラスの2Gb NANDフラッシュを開発
  • 華城の敷地を設立

中心に立つ 1990-1999

  • 業界初の128Mbフラッシュメモリの輸出開始
  • 米国オースティン(SAS)で生産開始
/content/semiconductor/kr/events/samsung-foundry-forum-2023
  • 業界初の1Gb DRAMを開発
  • 業界初の256Mb DRAMを開発
  • 業界初の200mm製造ラインの稼働開始(5ライン)
  • 世界のメモリー市場で最高シェアを達成
  • 業界初の64Mb DRAMを開発
  • 世界のDRAM市場で最高シェアを達成

歴史を刻む 1980-1989

  • 4Mb DRAMを開発
  • 1Mb DRAMを開発
  • 韓国器興でライン1号がオープン
  • 256Kb DRAMを開発
  • VLSI事業を開始
  • 64Kb DRAMを開発
  • E器興の敷地設立

種を植える 1974-1979

  • LED腕時計用ICの量産開始
  • サムスン電子が韓国半導体を買収