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  • 持続可能な
    未来に向けた
    超格差プロセス技術力
    持続可能な
    未来に向けた
    超格差プロセス技術力
    持続可能な
    未来に向けた
    超格差プロセス
    技術力

    グリーンチップの一部の外観が拡大しています。

CO2を削減する
超格差プロセス技術力 CO2を削減する
超格差
プロセス技術力 CO2を削減する
超格差プロセス技術力

青い壁の左側には照明スイッチがオフになっており、右側のコンセントはコードが抜かれている様子です。

エアコンの使用時間を減らしたり、使用していない家電のプラグを抜くなど、私たちは省エネに努めています。 電力を節約すれば、気候変動を引き起こす火力発電のCO2排出量も減らせるからです。 サムスン半導体がデータセンターの電力削減のために低消費電力メモリー半導体を開発するのと同じです。

エアコンの使用時間を減らしたり、使用していない家電のプラグを抜くなど、私たちは省エネに努めています。 電力を節約すれば、気候変動を引き起こす火力発電のCO2排出量も減らせるからです。 サムスン半導体がデータセンターの電力削減のために低消費電力メモリー半導体を開発するのと同じです。

エアコンの使用時間を減らしたり、使用していない家電のプラグを抜くなど、私たちは省エネに努めています。電力を節約すれば、気候変動を引き起こす火力発電のCO2排出量も減らせるからです。 

サムスン半導体がデータセンターの電力削減のために低消費電力メモリー半導体を開発するのと同じです。

サムスン半導体は、
どのように作られているのでしょう。 サムスン半導体は、
どのように作られて
いるのでしょう。 サムスン半導体は、
どのように作られているのでしょう。

上は青色、下は緑色をしたウェハ(円形の半導体)が斜め方向に拡大されています。

人工知能(AI)から5G、モノのインターネット(IoT)、自動運転の自動車まで、半導体は第四次産業革命時代をリードする核心技術となりました。 半導体技術が高度化・複雑化するにつれて、半導体プロセス技術も進化しています。 特に、デバイスの小型化が進むにつれて半導体のサイズもさらに小さくなり、超微細化プロセス技術が重要になっています。

人工知能(AI)から5G、モノのインターネット(IoT)、自動運転の自動車まで、半導体は第四次産業革命時代をリードする核心技術となりました。 

半導体技術が高度化・複雑化するにつれて、半導体プロセス技術も進化しています。 特に、デバイスの小型化が進むにつれて半導体のサイズもさらに小さくなり、超微細化プロセス技術が重要になっています。

人工知能(AI)から5G、モノのインターネット(IoT)、自動運転の自動車まで、半導体は第四次産業革命時代をリードする核心技術となりました。 半導体技術が高度化・複雑化するにつれて、半導体プロセス技術も進化しています。 特に、デバイスの小型化が進むにつれて半導体のサイズもさらに小さくなり、超微細化プロセス技術が重要になっています。

新しい未来と
持続可能な環境をつくる 新しい未来と
持続可能な環境をつくる 新しい未来と
持続可能な環境をつくる

半導体の微細化プロセスについて
見てみましょう。 半導体の微細化プロセスについて
見てみましょう。 半導体の微細化プロセスについて
見てみましょう。

防護服を着用した人がウェハを持って見つめています。
アイデアを現実に、
サムスンファウンドリ アイデアを
現実に、
サムスンファウンドリ アイデアを現実に、
サムスンファウンドリ
青、紫、赤の光が光速で通り過ぎています。
第四次産業革命の
アイコン、
サムスンファウンドリ 第四次産業革命の
アイコン、
サムスンファウンドリ 第四次産業革命の
アイコン、
サムスンファウンドリ

革新的パッケージング技術
3D Packaging ‘X-Cube’ 革新的パッケージング技術
3D Packaging ‘X-Cube’ 革新的パッケージング技術 3D Packaging
‘X-Cube’

青い光を帯びたシステム半導体に3次元積層パッケージング技術の「X-Cube」が採用された様子が拡大されています。

サムスンファウンドリの革新的な技術は、製品の性能だけでなく、環境のためでもあります。 サムスンファウンドリは、 業界で初めてシステム半導体に3次元の積層パッケージング技術「X-Cube」を採用しました。
「X-Cube」とは、全プロセスを経たウェハ状態の複数のチップを上に薄く積層して、一つの半導体にする技術です。 チップ全体の面積を減らしつつ、大容量のメモリーソリューションを搭載することができます。

 

これにより、顧客は一層自由に回路を設計でき、
データの処理速度を大幅に引き上げると同時にエネルギー消費効率も向上するので、より良いパフォーマンスと地球環境の保全に貢献することができます。 三次元の積層パッケージング技術のほかにも、サムスンファウンドリは持続可能な環境に向けて革新と進化を続けています。 人工知能から5G、モノのインターネット、自動運転の自動車にいたるまで、サムスンファウンドリは第四次産業革命時代をリードする重要なアイコンです。

サムスンファウンドリの革新的な技術は、製品の性能だけでなく、環境のためでもあります。 サムスンファウンドリは、 業界で初めてシステム半導体に3次元の積層パッケージング技術「X-Cube」を採用しました。「X-Cube」とは、全プロセスを経たウェハ状態の複数のチップを上に薄く積層して、一つの半導体にする技術です。 チップ全体の面積を減らしつつ、大容量のメモリーソリューションを搭載することができます。

 

これにより、顧客は一層自由に回路を設計でき、データの処理速度を大幅に引き上げると同時にエネルギー消費効率も向上するので、より良いパフォーマンスと地球環境の保全に貢献することができます。 三次元の積層パッケージング技術のほかにも、サムスンファウンドリは持続可能な環境に向けて革新と進化を続けています。 人工知能から5G、モノのインターネット、自動運転の自動車にいたるまで、サムスンファウンドリは第四次産業革命時代をリードする重要なアイコンです。

サムスンファウンドリの革新的な技術は、製品の性能だけでなく、環境のためでもあります。 サムスンファウンドリは、 業界で初めてシステム半導体に3次元の積層パッケージング技術「X-Cube」を採用しました。「X-Cube」とは、全プロセスを経たウェハ状態の複数のチップを上に薄く積層して、一つの半導体にする技術です。 チップ全体の面積を減らしつつ、大容量のメモリーソリューションを搭載することができます。

 

これにより、顧客は一層自由に回路を設計でき、
データの処理速度を大幅に引き上げると同時にエネルギー消費効率も向上するので、より良いパフォーマンスと地球環境の保全に貢献することができます。 三次元の積層パッケージング技術のほかにも、サムスンファウンドリは持続可能な環境に向けて革新と進化を続けています。 人工知能から5G、モノのインターネット、自動運転の自動車にいたるまで、サムスンファウンドリは第四次産業革命時代をリードする重要なアイコンです。

平面から立体へ
3nm GAA (MBCFET®) 平面から立体へ
3nm GAA (MBCFET®) 平面から立体へ
3nm GAA(MBCFET®)

平面(2D)構造のトランジスタの限界により立体(3D)構造のトランジスタが開発されたことを表現したインフォグラフィック

Planar
Structure

3D Structure,
FinFET

평면(2D) 구조의 트렌지스터의 한계로 인해 입체(3D)구조의 트렌지스터가 개발된 것을 표현한 인포그래픽

Planar
Structure

3D Structure,
FinFET

평면(2D) 구조의 트렌지스터의 한계로 인해 입체(3D)구조의 트렌지스터가 개발된 것을 표현한 인포그래픽

Planar
Structure

3D
Structure,
FinFET

GAAはGate All Aroundの略で、トランジスタの構造です。 トランジスタは電子回路の構成要素で、電流の流れを増幅したりスイッチの機能を担います。

 

トランジスタは、ゲート(Gate)に電圧が印加されると、チャネル(Channel)を通じてソース(Source)とドレイン(Drain)に電流が流れて作動します。 従来使用していたプレーナー型(Planar)トランジスタは、ゲートとチャネルが一つの面に当たる平面(2D)構造でしたが、 平面構造には限界がありました。 小型で消費電力も低い半導体を作るためにトランジスタのサイズを縮小すると、ソースとドレインとの距離が近くなり、ゲートがうまく機能せず漏れ電流が生じる短チャネル(Short Channel)現象が発生するなど、動作電圧を下げるのに限界がありました。

 

これを改善するために、立体(3D)構造のプロセス技術、フィンフェット(FinFET)が 開発されました。 フィンフェットの構造が魚のフィン(Fin)の形に似ていることから、フィンフェットまたはフィントランジスタと呼びます。 ゲートとチャネル間の接する面が広いほど効率が高くなる点に着目したフィンフェットは、ゲートとチャネルが3面で当たる3次元構造で、接触面積を広げて半導体の性能を高めます。 しかし、フィンフェットも4ナノ以降のプロセスでは、それ以上動作電圧を下げられないという限界が見つかりました。

GAAはGate All Aroundの略で、トランジスタの構造です。 トランジスタは電子回路の構成要素で、電流の流れを増幅したりスイッチの機能を担います。

 

トランジスタは、ゲート(Gate)に電圧が印加されると、チャネル(Channel)を通じてソース(Source)とドレイン(Drain)に電流が流れて作動します。 従来使用していたプレーナー型(Planar)トランジスタは、ゲートとチャネルが一つの面に当たる平面(2D)構造でしたが、 平面構造には限界がありました。 小型で消費電力も低い半導体を作るためにトランジスタのサイズを縮小すると、ソースとドレインとの距離が近くなり、ゲートがうまく機能せず漏れ電流が生じる短チャネル(Short Channel)現象が発生するなど、動作電圧を下げるのに限界がありました。

 

これを改善するために、立体(3D)構造のプロセス技術、フィンフェット(FinFET)が 開発されました。 フィンフェットの構造が魚のフィン(Fin)の形に似ていることから、フィンフェットまたはフィントランジスタと呼びます。 ゲートとチャネル間の接する面が広いほど効率が高くなる点に着目したフィンフェットは、ゲートとチャネルが3面で当たる3次元構造で、接触面積を広げて半導体の性能を高めます。 しかし、フィンフェットも4ナノ以降のプロセスでは、それ以上動作電圧を下げられないという限界が見つかりました。

GAAはGate All Aroundの略で、トランジスタの構造です。 トランジスタは電子回路の構成要素で、電流の流れを増幅したりスイッチの機能を担います。

 

トランジスタは、ゲート(Gate)に電圧が印加されると、チャネル(Channel)を通じてソース(Source)とドレイン(Drain)に電流が流れて作動します。 従来使用していたプレーナー型(Planar)トランジスタは、ゲートとチャネルが一つの面に当たる平面(2D)構造でしたが、 平面構造には限界がありました。 小型で消費電力も低い半導体を作るためにトランジスタのサイズを縮小すると、ソースとドレインとの距離が近くなり、ゲートがうまく機能せず漏れ電流が生じる短チャネル(Short Channel)現象が発生するなど、動作電圧を下げるのに限界がありました。

 

これを改善するために、立体(3D)構造のプロセス技術、フィンフェット(FinFET)が 開発されました。 フィンフェットの構造が魚のフィン(Fin)の形に似ていることから、フィンフェットまたはフィントランジスタと呼びます。 ゲートとチャネル間の接する面が広いほど効率が高くなる点に着目したフィンフェットは、ゲートとチャネルが3面で当たる3次元構造で、接触面積を広げて半導体の性能を高めます。 しかし、フィンフェットも4ナノ以降のプロセスでは、それ以上動作電圧を下げられないという限界が見つかりました。

超微細回路の動作電圧を

さらに下げるために誕生したのが、
次世代3ナノプロセスのGAA構造です。 超微細回路の動作電圧を

さらに下げるために誕生したのが、
次世代3ナノプロセスのGAA構造です。 超微細回路の動作電圧を

さらに下げるために誕生したのが、次世代3ナノプロセスのGAA構造です。

3ナノ以下の超微細回路に導入されるGAA構造のトランジスタは、電流が流れるチャネル4面をゲートが完全に囲んでおり、電流の流れをより細かく制御します。 これによって高いエネルギー消費効率を得ることができます。

3ナノ以下の超微細回路に導入されるGAA構造のトランジスタは、電流が流れるチャネル4面をゲートが完全に囲んでおり、電流の流れをより細かく制御します。 これによって高いエネルギー消費効率を得ることができます。

3ナノ以下の超微細回路に導入されるGAA構造のトランジスタは、電流が流れるチャネル4面をゲートが完全に囲んでおり、電流の流れをより細かく制御します。 これによって高いエネルギー消費効率を得ることができます。

PlanarFET-FinFET-GAAFET-MBCFET™의 순서대로 핀펫의 변화과정을 보여주는 인포그래픽

Planar FET

MBCFET™
(Nanosheet)

FinFET

GAAFET
(Nanowire)

サムスンファウンドリGAA構造の
独自技術であるMBCFET™
(Multi Bridge Channel FET)で、より高いエネルギー消費効率を得ることができます。 サムスンファウンドリGAA構造の
独自技術であるMBCFET™
(Multi Bridge Channel FET)で、
より高いエネルギー消費効率を得ることができます。 サムスンファウンドリGAA構造の独自技術であるMBCFET™(Multi Bridge Channel FET)で、より高いエネルギー消費効率を得ることができます。

MBCFET™プロセスは断面の直径が1ナノ程度で、細いワイヤー(Wire)型のチャネルが十分に電流を得られなかった点を改善しました。 紙のように薄く長い形状のナノシート(Nano Sheet)を複数枚積層し、性能とエネルギー消費効率を高めます。

 

これにより、7ナノフィンフェット構造のトランジスタに比べてロジック（チップ面積）スペースを約35%ほど削減できます。また、約50%の省電力と約30%のパフォーマンス向上効果が期待できます。

MBCFET™プロセスは断面の直径が1ナノ程度で、細いワイヤー(Wire)型のチャネルが十分に電流を得られなかった点を改善しました。 紙のように薄く長い形状のナノシート(Nano Sheet)を複数枚積層し、性能とエネルギー消費効率を高めます。

 

これにより、7ナノフィンフェット構造のトランジスタに比べてロジック（チップ面積）スペースを約35%ほど削減できます。また、約50%の省電力と約30%のパフォーマンス向上効果が期待できます。

MBCFET™プロセスは断面の直径が1ナノ程度で、細いワイヤー(Wire)型のチャネルが十分に電流を得られなかった点を改善しました。 紙のように薄く長い形状のナノシート(Nano Sheet)を複数枚積層し、性能とエネルギー消費効率を高めます。

 

これにより、7ナノフィンフェット構造のトランジスタに比べてロジック（チップ面積）スペースを約35%ほど削減できます。また、約50%の省電力と約30%のパフォーマンス向上効果が期待できます。

7ナノピンペットトランジスタに比べてMBCFET™の工程効果を示すインフォグラフィック

35%
ロジック面積の削減

50%
省電力

30%
パフォーマンスの向上

サムスンファウンドリが描く
第4次産業革命は、
電力とCO2を削減する技術から始まります。 サムスンファウンドリが描く
第4次産業革命は、電力とCO2を
削減する技術から始まります。 サムスンファウンドリが描く
第4次産業革命は、電力とCO2を
削減する技術から始まります。

木の間にある建物の窓に青い空が映っています。

人工知能やビッグデータ、自動運転、IoTなど向けに高性能化した次世代半導体は、地球環境を考慮した低消費電力技術を必要とします。
サムスン電子ファウンドリ事業部では、技術の限界を超え、低消費電力および環境に優しい半導体のプロセス競争力を高めるために、現在も全力を尽くしています。

人工知能やビッグデータ、自動運転、IoTなど向けに高性能化した次世代半導体は、地球環境を考慮した低消費電力技術を必要とします。サムスン電子ファウンドリ事業部では、技術の限界を超え、低消費電力および環境に優しい半導体のプロセス競争力を高めるために、現在も全力を尽くしています。

人工知能やビッグデータ、自動運転、IoTなど向けに高性能化した次世代半導体は、地球環境を考慮した低消費電力技術を必要とします。サムスン電子ファウンドリ事業部では、技術の限界を超え、低消費電力および環境に優しい半導体のプロセス競争力を高めるために、現在も全力を尽くしています。

地球を守る
サムスン半導体の話

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