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技術ブログ

サムスン電子、業界初UFS 4.0メモリーを開発

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サムスン電子は4日、業界初となる次世代UFS 4.0規格の高性能組み込み式フラッシュメモリを開発したことを発表しました。 *UFS : Universal Flash Storage 5月3日(米国現地時間)、JEDEC®半導体技術協会により承認されました。UFS 4.0はデータ転送速度が従来のUFS 3.1に比べて2倍の23.2Gbpsに向上し、より高速なデータの読み込みや保存が可能になります。 *JEDEC : Joint Electron Device Engineering Council UFS 4.0は、高解像度コンテンツや大容量モバイルゲームなどより多くのデータ処理が必要になる最新のスマートフォンなどのモバイル機器をはじめ、今後は車載用(Automotive)半導体やメタバース(Metaverse)などを含む機器にも広く普及するものと予想されます。  サムスン電子は独自に開発したUFS 4.0コントローラーと第7世代V-NANDを搭載し、業界トップレベルの性能を実現しました。 サムスン電子のUFS 4.0メモリーは一世代前のUFS 3.1に比べて連続読み込み速度は2倍の4,200MB/s、連続書き込み速度は1.6倍の2,800MB/sです。  サムスン電子UFS 4.0はエネルギー消費効率も大幅に向上しました。連続読み込み性能は1mAあたり6.0MB/sで従来のUFS 3.1に比べて約45%以上向上しました。 サムスン電子UFS 4.0メモリーを搭載したモバイル機器は、同じバッテリ容量でより多くのデータ処理が可能です。 サムスン電子は個人情報など重要なデータの安全な保護のために、性能が1.8倍向上したアドバンスドRPMB技術を採用しました。 *RPMB : Replay Protected Memory Block またサムスン電子はUFS 4.0 メモリーパッケージを、超小型の縦13mm、横11mm、高さ1.0mmに実装することでモバイルデバイスのデザインと空間の活用において自由度を高めるとともに、最大1TBまでの高容量を提供する予定です。
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