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[Tech Day 2022] データ インテリジェンスを向上させる DRAM ソリューション

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サムスンメモリーにとって特別な年である2022年は、1992年に64Mb DRAMを開発して以来、世界1位のDRAMメーカーになって30年。2年単位で1桁、2桁ナノメートルを集積化することができた過去に比べ、たった0.1ナノメートルを減らすためにより多くの時間と投資を必要とする現在の状況では、さらに異例のことだ。常に破壊的な革新を通じて、最高の品質で、最高の製品を提供していくというサムスンメモリーの自信はどこからくるのだろうか。
DRAMがナノメートル以下のレベルに集積化されるほど、プロセスの難易度が大幅に上がることは周知の事実だ。プロセスの微細化が進むほど、帯域幅を増加させるためのフォト工程で起こるパターニング上の問題、セルトランジスタの様々な特性値、さらに小さくなるキャパシタンスの制御など、様々な限界に直面するからだ。このような様々な課題を克服するため、サムスンは長年のプロセス技術のノウハウをもとに、今後10年を見込んで微細プロセス技術を開発している。
Scale-Down Technologies
삼성반도체의 미세 공정 기술
삼성반도체의 미세 공정 기술
絶えず進化するIT業界をサポートするために、サムスンが開発中の代表的な集積化プロセス技術はEUV(超紫外線)パターニングをはじめ、新素材の開発、セル構造の変更にいたるまで多様で緻密である。EUVパターニング技術は持続的に発展し、プロセスの精巧化とステップの簡素化に貢献している。また、抵抗が低い新素材の導入はワード線とビット線の抵抗をそれぞれ40%、35%減らすことができる。また、High-k物質はナノメートル以下のプロセスで誘電体の結晶性を原子的に制御し、FinFET(フィンフェット)構造を適用することでスピードとパワーをそれぞれ30%、20%高められる。
Latest Cutting-edge DRAMs
of Samsung
삼성반도체의 최신 첨단 DRAM 제품들
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従来の集積化技術の限界を乗り越えていくサムスンメモリーの絶え間ないプロセス技術の開発は、次世代製品にそのまま反映される。データが爆発的に増加する時代に備えて開発中の32Gb DDR5は、最大1TBモジュールで提供できるだろう。さらにサムスンは、業界で初めて最高性能の低消費電力モバイルDRAMと高性能グラフィックDRAMをそれぞれ8.5Gbpsと28Gbpsで発売している。現在開発中の低遅延ワイドIO製品を意味するLLW(Low Latency Wide IO)Dラムと1TB/sの超高帯域幅を提供するHBMも、サムスンの革新的なプロセス技術によってさらに高い性能と品質を備えている。 サムスンは業界の長年のリーダーとして、前述のプロセス技術と、これを適用した最先端のDRAM製品だけでなく、業界の様々な課題を解決するために新しいDRAMソリューション製品を開発し、業界に提供している。前例のない速度で増加しているデータと人工知能の発達により、より高速のキャッシュ処理と加速器の増加が求められており、これはシステムの投資費用が大幅に増加することを意味する。
삼성반도체가 제공하는 다양한 D램 솔루션
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サムスンメモリーの技術は、従来システムの構造自体を変える柔軟なチャレンジを通じて、合理的なシステム費用で、業界が求めるレベルの性能を提供するために、様々なDRAMソリューションを開発している。 このような様々な変化はキャッシュから大容量メモリーにいたるまで、カスタマイズのDRAMソリューションへと拡大されている。 サムスンはLast Level Cache(LLC) DRAM、HBM-PIM、AXDIMM、CXLを基盤としたMemory Expander(メモリエキスパンダー)とPNM(Processing Near Memory)にいたるまで、様々な新ソリューションを紹介し、より高い帯域幅と低い電力消費でエネルギー効率とシステム性能を最大化するために業界と連携している。 サムスンは、絶えず次のステップを自ら考え、質問し、ソリューションを提供している。誰もが限界だと思う時、チャレンジと言える理由。それはサムスンが絶え間なく挑戦しつづけ、業界が共に協力し合うことで変化と革新を生み出せると信じているからだ。
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