サムスン電子、3ナノGAAファウンドリー製品量産出荷式開催

サムスン電子は25日、京畿道華城キャンパスV1ライン(超紫外線専用)で次世代トランジスタGAA(Gate All Around)技術を適用した3ナノファウンドリー製品の出荷式を開いた。 同日の出荷式には産業通商資源部のイ・チャンヤン長官、協力会社、ファブレス、サムスン電子DS部門長のキョン・ケヒョン代表取締役(社長)と社員など約100名が参加し、3ナノGAA研究開発と量産に努めた社員たちを激励した。 _{* 大徳電子のキム・ヨンジェ代表取締役、東進セミケムのイ・ジュンヒョク代表取締役、ソルブレインのチョン・ヒョクソク代表取締役、 ワンセミコンのキム・チャンヒョン代表取締役、ウォンイクIPSのイ・ヒョントク代表取締役、PSKのイ・キョンイル代表取締役、 KCテックのコ・サンゴル副会長、テレチップスのイ・ジャンギュ代表取締役} サムスン電子ファウンドリー事業部は「革新的な技術力で世界トップを目指して取り組んでいく」と自信を示し、3ナノGAAプロセスの量産と先制的なファウンドリー技術で事業競争力を強化していくという抱負を明らかにした。 サムスン電子ファウンドリー事業部の技術開発室長のチョン・キテ副社長は技術開発の経過報告で、ファウンドリー事業部、半導体研究所、グローバル製造&インフラ総括など事業部の枠を超えた協業を通じて技術の限界を克服したことを強調するなど、開発から量産に至るまでの過程を説明した。 続いてサムスン電子DS部門長のキョン・ケヒョン代表取締役は「サムスン電子は今回の製品の量産で従来のファウンドリーサービスとは一線を画した」と社員たちを激励し、「FinFET (フィンフェット)トランジスタが技術的限界に達した時、新しい対案となるGAA技術の早期開発に成功したのは無から有を創造する革新的な結果」と強調した。 産業通商資源部のイ・チャンヤン長官は祝辞でサムスン電子の社員と半導体業界に感謝の意を表し、「微細化プロセスにおける熾烈な競争に勝ち抜くために、サムスン電子とシステム半導体業界、素材・部品・装置業界は力を合わせてほしい」とし、「政府も先週発表した『半導体超強大国達成戦略』をもとに民間投資支援、人材育成、技術開発、素材・部品・装置エコシステムの構築に全面的な努力を傾ける」と強調した。 サムスン電子は2000年代初めからGAAトランジスタ構造研究に取り組んでおり、2017年から3ナノプロセスを本格的に適用、世界で初めてGAA技術を適用した3ナノプロセスの量産を先月発表した。 サムスン電子は3ナノGAAプロセスをハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)分野に初めて採用し、主要顧客とモバイルSoC製品など様々な製品群に拡大採用するための協力を進めている。 出荷式に参加した韓国の半導体製造装置メーカーウォンイクIPSのイ・ヒョントク代表取締役は「サムスン電子と一緒に3ナノGAAファウンドリープロセスの量産を準備したことでウォンイクIPSの力量も一層高まった」とし、「これからも韓国の半導体装置産業の発展に向けて、サムスン電子と共に最善を尽くしたい」と述べた。 また、韓国のファブレス企業テレチップスのイ・ジャンギュ代表取締役は「テレチップスはサムスン電子の超微細プロセスを活用した未来の製品設計に対する期待が高い」とし、「サムスン電子は超微細ファウンドリープロセスを韓国のファブレス企業に積極的に提供し、ファブレス企業が製品設計の範囲を広げられるよう、様々な支援をしている」と述べた。 一方、サムスン電子は華城キャンパスで3ナノGAAファウンドリープロセスの量産を開始し、今後平沢キャンパスに拡大していく予定だ。