本文へ移動
ニュース

サムスン電子、業界最先端技術の12nmクラスDRAMを開発

  • 業界初の12nmクラスプロセスによる16GbのDDR5 DRAMを開発
    • 次世代コンピューティングサービスに最適化し、高性能・低消費電力の特性を確保
    • 従来に比べて消費電力は約23%減少、生産性は約20%アップ
  • 2023年に量産開始… DDR5の市場拡大が加速
    • お客様の次世代システムに最適なメモリーソリューションを提供
    • データセンターや人工知能(AI)、次世代コンピューティングなど応用先を拡大

  • 共有
サムスン電子が業界最先端技術の12nmプロセスによる16Gb(ギガビット)のDDR5 DRAMを開発し、最近AMDとの互換性検証を終えた。 ※12nmクラスでのプロセスは、第5世代10nmクラスでのプロセスを意味する サムスン電子は、誘電率(K)の高い新素材を利用して電荷を蓄えるコンデンサ(Capacitor)の容量を増やし、回路の特性を改善するために革新的な設計を行うなど業界最先端のプロセスを完成させた。 さらに、マルチレイヤーEUV(極端紫外線、Extreme Ultra-Violet)技術を活用して、業界トップレベルの集積度で開発した。12nmクラスのDRAMは、前世代の製品に比べて生産性が約20%向上した。 DDR5規格の今回の製品は、最大転送速度7.2Gbpsをサポートする。これは、1秒に30GBのUHD映画を2本処理できる速度である。 この製品は、前世代の製品より消費電力が約23%改善され、気候危機の克服に参加するグローバルIT企業にとって最高のソリューションになると期待されている。 サムスン電子は、性能とエネルギー消費効率を改善して12nmクラスのDRAMラインナップを拡大していく計画であり、データセンター・人工知能(AI)・次世代コンピューティングなど様々な応用先に供給する予定である。 サムスン電子は2023年から業界最先端かつ超高性能の12nmクラスの製造プロセスを採用したDRAMを量産する一方で、グローバルIT企業と協力して次世代DRAM市場を牽引していく計画である。 サムスン電子メモリ事業部DRAM開発室のイ・ジュヨン(副社長)は、「業界最先端技術の12nmクラスのプロセスによるDRAMの発売をきっかけに、本格的にDDR5市場が拡大されるであろう」とし、「差別化されたプロセス技術を通じて開発された今回の製品は、優れた性能と高いエネルギー消費効率で、データセンター・人工知能・次世代コンピューティングなどでお客様の持続可能な経営環境の提供に貢献するだろう」と語った。 AMDのジョー・マクリー(Joe Macri)最高技術責任者(CTO)は、「技術の限界を超える革新には、業界パートナーとの緊密な協力が必要だ」とし、「AMDのZenプラットフォームでのDDR5の検証および最適化を通じてサムスンに協力できて嬉しい」と述べた。
img alt text here

他の画像をチェック

下のボタンをクリックすると、
メディアライブラリで
他の画像を見ることができます。

news.samsung.comに移動