サムスン電子、業界最先端の14ナノEUV DDR5 DRAMを量産

サムスン電子は、EUV（極端紫外線, Extreme Ultra-Violet）プロセスを適用した業界最先端の14ナノDRAMの量産をスタートした。 サムスン電子は、2020年3月に業界初となるEUVプロセスを適用したDRAMモジュールを顧客に供給し、業界で唯一EUVマルチレイヤプロセスを適用して最先端の14ナノDRAMを実現するなど、卓越したプロセス技術力を世界に示した。 サムスン電子は、半導体の更なる微細加工が実現できるEUV露光技術を用いてDRAMの性能と歩留まり率を向上させ、14ナノ以下のDRAM微細化プロセスで競争優位性を確保していく計画である。 5つの層（レイヤー）にEUVプロセスが適用されたサムスン電子14ナノDRAMは、業界最高のウェハ高集積化で一世代前と比べて生産性が約20％向上し、 消費電力も以前のプロセスに比べて約20％改善した。 サムスン電子は、今回の新規プロセスを最新のDDR5（Double Data Rate 5）DRAMにいち早く適用する。 DDR5は最高7.2Gbpsの速度で、DDR4に比べて速度が2倍以上速い次世代DRAM規格である。 人工知能や機械学習などデータ利用方式の高度化に伴い、データセンターやスーパーコンピュータ、企業向けサーバ市場などで高性能DDR5に対する需要が日増しに高まっている。 サムスン電子は、業界最先端の14ナノプロセスと成熟度の高いEUVプロセス技術力を基盤に卓越した性能と安定した歩留まり率を実現し、DDR5 DRAMの普及をリードする戦略である。 また、高容量データ市場の需要を積極的に取り込むため、今回のプロセスでシングルチップの最大容量である24Gb DRAMまで量産する計画である。 サムスン電子メモリー事業部DRAM開発室長のイ・ジュヨン専務は、「30年にわたる技術革新を通じて半導体の微細化プロセスの限界を克服し、今回もいち早くマルチレイヤにEUVプロセスを適用して業界最先端の14ナノプロセスを実現した」とし、「高容量、高性能だけでなく、高く優れた生産性で5G・AI・メタバースなどのビッグデータ時代に必要な最高のメモリーソリューションを提供していきたい」と述べた。