サムスン電子、「サムスンファウンドリーフォーラム2021」を開催

サムスン電子は、「Adding One More Dimension」をテーマに、「サムスンファウンドリーフォーラム2021」をオンラインで開催した。 サムスン電子は今回のフォーラムで「GAA技術基盤3ナノよび2ナノプロセスの量産計画」と「17ナノ新プロセスの開発」などを紹介し、プロセス技術・ライン運営・ファウンドリーサービスをさらに発展させ、急成長するファウンドリー市場における競争力を強化するとした。 サムスン電子ファウンドリー事業部のチェ・シヨン社長は、基調演説で「大規模な投資を通じて生産能力を拡大し、GAAなど最新の微細化プロセスだけでなく、既存プロセスでも他社にはない技術革新を続けていく」とし、「新型コロナウイルスによりデジタル変革が加速化する中、顧客の多様なアイデアがチップで実現できるようサムスンならではの価値を提供していきたい」と述べた。 今回の「サムスンファウンドリーフォーラム2021」は、これまでのファウンドリーフォーラムの中でも最多の500社、2000人以上のファブレス企業およびパートナー企業が事前登録し、高い関心を集めた。 □GAA技術の量産準備中…ファウンドリー微細化プロセス市場をリード GAA技術は電力効率、性能、設計の柔軟性に優れるため、プロセスの微細化を継続していくためには欠かせない。 サムスン電子は、2022年上半期にGAA技術を3ナノに導入し、2023年には3ナノ第2世代、2025年にはGAA技術を基盤とした2ナノプロセスの量産計画を明らかにし、次世代のトランジスタ技術への自信を示した。 特に、サムスン電子独自のGAA技術であるMBCFET™（Multi Bridge Channel FET）構造を適用した3ナノプロセスは、FinFET基盤の5ナノプロセスに比べて性能が30％向上し、電力消費量は50％、面積は35％の縮小が見込まれる。 また3ナノプロセスの場合、安定した歩留まり率を確保して量産に向けた準備を行っていると述べた。 □17ナノFinFET新プロセスを開発…応用先の拡大計画も紹介 サムスン電子は、コスト面での効率性と応用分野別の競争力を備えた製品を提供するためにFinFET技術の改善を続けており、今回のフォーラムではFinFET基板の17ナノ新プロセスを発表した。 17ナノプロセスは28ナノプロセスに比べて性能が39%、電力効率は49%向上し、面積は43%縮小が期待できる。 特に、平面トランジスタ基板の28ナノ以上のプロセスを主に活用したイメージセンサーやモバイルディスプレイドライバICなどの製品にも17ナノ新プロセスを適用できるため、応用先が広がる可能性も示唆した。 また、既存の14ナノプロセスを3.3V高電圧やeMRAM対応などMCU（Micro Controller Unit）に適用できる多様なオプションを開発してIoTやウェアラブルデバイスなどFinFETプロセスの応用先を多様化し、8ナノRF（Radio Frequency）プラットフォームの場合、5G半導体市場における6GHz以下のmmWave製品でリーダーシップを確保する計画である。 一方、サムスン電子はファウンドリー企業とパートナー企業のエコシステム強化のためのセーフフォーラム（SAFE, Samsung Advanced Foundry Ecosystem）を11月にオンラインで開催予定である。