サムスン電子、シリコンバレーにて 「Samsung Memory Tech Day 2023」開催

サムスン電子は20日(現地時間)、米国シリコンバレーのマッケンナリーコンベンションセンター(McEnery Convention Center)でサムスンメモリーテックデイ(Samsung Memory Tech Day)2023を開催し、超巨大AI時代をリードする次世代メモリーソリューションを一挙公開した。 「メモリーの役割の再定義(Memory Reimagined)」というテーマで開催された今回のイベントでは、グローバルIT企業やパートナー、アナリストなど600人以上が参加する中、サムスン電子メモリー事業部長のイ・ジョンベ(社長)や米国を総括するジム・エリオット(Jim Elliott,副社長)、その他業界の主要人物などにより半導体市場のトレンドと主要製品が紹介された。 この日、サムスン電子はクラウド(Cloud)、エッジデバイス(Edge Devices)、自動車(Automotive)などアプリケーション別に技術トレンドを共有し、▲AI技術革新をリードする超高性能HBM3E DRAM「シャインボルト(Shinebolt)」▲次世代のPC・ノートパソコンDRAM市場に変革をもたらす「LPDDR5X CAMM2」▲ストレージ仮想化により分割して使用できる「Detachable AutoSSD(取り外し可能な車載用SSD)」など差別化されたメモリーソリューションを公開した。 _{* エッジデバイス: データを生成、利用、消費するすべての機器を指す(スマートフォンをはじめ、モバイルデバイス、ウェアラブルデバイス、センサーを活用したIoT機器、生活家電、事務機器などを含む) * HBM3E: サムスン電子の第5世代HBM DRAM製品 * CAMM: LPDDRパッケージベースのモジュール製品}

サムスン電子メモリー事業部長のイ・ジョンベは、「超巨大AI時代は技術革新と成長の機会が交差する、業界にとって挑戦の時であると同時に、より大きく飛躍する時となるだろう」とし、「無限の想像力と大胆な挑戦を通じてイノベーションをリードし、お客様やパートナーと密接に協力し合いながら限界を超えた拡張ソリューションを提供し、メモリー市場をこれからもリードしていく」と述べた。 また、イ・ジョンベはこの日のイベントで、新しい構造と素材の導入を通じて超巨大AI時代が直面する課題を克服していくと強調した。 今年の5月に12nm級DRAMの量産をスタートさせたサムスン電子は、次世代11nm級DRAMにおいても業界トップレベルの集積度を目標に開発を進めていると明らかにした。 サムスン電子は10nm以下のDRAMに3次元(3D)の新構造を導入する準備を進めており、これによりワンチップの容量を100Gb(ギガビット)以上に拡張する計画である。 サムスン電子ではダブルスタック(Double Stack)構造により業界最高の層数を実現する第9世代V-NANDを開発しており、来年初めの量産に向けたV-NANDチップの確保に成功したと述べた。 またサムスン電子は、セルの表面積と高さを縮小して体積を減らして層数を増やすコア技術のチャネルホールエッチングで1000層V-NAND時代に備えると強調した。 _{* チャネルホールエッチング(Channel Hole Etching): 積層されたメモリーセルの層に微細な円筒形の穴を開け、電子が移動できるチャネルホールを形成するドライエッチング技術 * ダブルスタック(Double Stack): 「チャネルホール」プロセスを2回行って作られる構造} □ AI技術革新をリードする超高性能HBM3E DRAM「シャインボルト(Shinebolt)」

クラウドシステムは、コンピューティングリソースを最適化して使用できる構造に変わりつつある。 これにより、システムの高性能化をサポートできる高帯域幅や低消費電力メモリー、多元接続のためのストレージ仮想化などが求められている。 2016年に業界で初めて、ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)用HBM2を製品化してHBM時代を切り開いたサムスン電子は、今回次世代HBM3E DRAM「シャインボルト(Shinebolt)」を初めて公開した。 シャインボルトは、データ入出力ピン1本あたり最大9.8Gbpsの高性能を提供し、これは1秒あたり最大1.2TB以上のデータを処理できる速度に相当する。 _{* 1.2TBは、30GB容量のUHD映画を1秒間に40本処理できる速度} サムスン電子は、NCF(非電導性接着フィルム)技術を最適化してチップの隙間を埋めることで高積層化を実現し、熱伝導を最大化して熱特性も改善した。 _{* NCF(Non-conductive Film、非電導性接着フィルム): 積層されたチップ間を絶縁し接合部を衝撃から保護するために使用される高分子材料} サムスン電子は現在、HBM3の8層と12層の製品を量産しており、次世代製品であるHBM3Eのサンプルを顧客企業に提供していると語った。 また、次世代HBM DRAMと最先端のパッケージ技術とファウンドリーを組み合わせてカスタマイズされたターンキーサービスも提供する予定である。

その他、▲既存の最大容量である32Gb DDR5(Double Data Rate)DRAM　▲業界初の32Gbps GDDR7(Graphics Double Data Rate)DRAM ▲ストレージ容量が画期的に向上し最小限のサーバで膨大なデータを処理できるPBSSD(Petabyte Storage)などが紹介された。 □ 高性能、低消費電力、様々なフォームファクタでエッジデバイスイノベーションを牽引 近年、AI技術は爆発的に増加するデータをスムーズに処理するために、クラウドとエッジデバイスの間でワークロードを分散・調整するハイブリッド型に進化している。 サムスン電子は、ユーザーのデバイスカテゴリにおいて高性能・大容量・低消費電力・小型フォームファクタなどをサポートするソリューションを公開した。 特に、業界で初めて開発された7.5Gbps LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module)は、次世代のPC・ノートブックDRAM市場の流れを変える製品として参加者の注目を集めた。 その他にも▲9.6Gbps LPDDR5X DRAM ▲オンデバイスAI(On-Device AI)に特化したLLW(Low Latency Wide I/O)DRAM ▲次世代UFS製品▲PC用大容量QLC SSD BM9C1などが公開された。 □ 2025年の車載メモリー市場1位達成に向けた車載用コアソリューションを公開 自動運転システムの高度化に伴い、車載用メモリー市場では高帯域幅や大容量DRAM、複数のSoCとデータを共有できるShared SSDなどが求められている。 サムスン電子は、ストレージ仮想化を通じて1つのSSDを分割して複数のSoCが使用できる「Detachable AutoSSD」を公開した。 この製品は最大6,500MB/sの連続読み込み速度をサポートし、4TBの容量を提供する。 また、脱着可能なフォームファクタの実装で簡単にSSDを交換することができ、性能のアップグレードなどが容易である。 その他、サムスン電子は車載用▲高帯域幅GDDR7 DRAM▲パッケージサイズを縮小したLPDDR5X DRAMなどを公開し、最適なメモリーソリューションを通じてモビリティイノベーションに貢献すると述べた。 一方、データセンター内のエネルギー効率を高め、環境への影響を最小限に抑えようとする市場トレンドに合わせて、様々な革新技術を発表した。 サムスン電子は、超低消費電力技術の確保を通じてデータセンターやPC/モバイルデバイスなどで使用されるメモリーの消費電力を削減し、ポータブルSSDに再生素材を適用するなどによりCO2を削減する計画である。 また、PBSSDなどの次世代ソリューションでサーバシステムのスペース効率とラック容量を高め、エネルギー消費の削減に貢献すると述べた。 _{* ラック(Rack): サーバや通信機器などシステムを構成する機器を収納するためのフレーム(専用の棚)} サムスン電子は、半導体サプライチェーン全体における顧客企業や協力会社などステークホルダーとの協力を強調し、技術を持続可能にする技術を通じて世界的な気候危機の克服に積極的に参加すると語った。